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上海光源增强器采用FODO型磁聚焦结构, 由28个FODO单元组成, 周长180m, 可将直线加速器引出的100MeV的电子束加速至3.5GeV, 用于储存环的注入, 重复频率为2Hz. 增强器的动态升能过程将直接影响到储存环的注入效率. 报告上海光源增强器动态升能过程中磁铁磁场、高频电压的上升过程、涡流效应及影响以及束流参数的变化等. 相似文献
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采用PVDF贴片传感器对脉冲激光作用下2024铝合金表面的动态应变进行了测量,分析了动态应变曲线的特性。结果表明,PVDF贴片传感器在动态应变测量中动态响应快,灵敏度高,可有效应用于脉冲激光诱导材料表面动态应变的实时测量。脉冲激光作用过程中,2024铝合金冲击光斑周围材料先受挤压,后压应变减小。脉冲激光作用结束后,2024铝合金冲击光斑周围材料表面粒子在卸载稀疏波和表面稀疏波的作用下不断往复运动,冲击光斑周围材料甚至受到了拉应变的作用。最后随着时间的推移,材料表面粒子的动态响应经反复震荡后逐渐衰弱形成最终的稳定状态。 相似文献
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采用PVDF贴片传感器对脉冲激光作用下2024铝合金表面的动态应变进行了测量,分析了动态应变曲线的特性。结果表明,PVDF贴片传感器在动态应变测量中动态响应快,灵敏度高,可有效应用于脉冲激光诱导材料表面动态应变的实时测量。脉冲激光作用过程中,2024铝合金冲击光斑周围材料先受挤压,后压应变减小。脉冲激光作用结束后,2024铝合金冲击光斑周围材料表面粒子在卸载稀疏波和表面稀疏波的作用下不断往复运动,冲击光斑周围材料甚至受到了拉应变的作用。最后随着时间的推移,材料表面粒子的动态响应经反复震荡后逐渐衰弱形成最终的稳定状态。 相似文献
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采用有限元方法研究了球形弹丸对铝和碳酚醛平板靶冲击,给出了动态响应的理论计算和图形分析结果。 相似文献
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利用自制的数据采集系统研究了恒定电压下铝合金微弧氧化过程中有关电学参量随时间的变化规律.结果表明:通电回路中的阴极和阳极峰值电流随处理时间的变化明显分为5个阶段;陶瓷膜的动态正向电阻和电阻率随处理时间分阶段变化,而动态的反向电阻和电阻率随时间的变化不大.在微弧氧化过程中,各时刻的动态正、反向电阻值不同,一般情况下,动态正向电阻远大于反向电阻.对不同处理时间样品的扫描电子显微镜分析表明,陶瓷膜呈多孔结构并随处理时间分阶段变化.
关键词:
铝合金
微弧氧化
电学参量
陶瓷膜 相似文献
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本文介绍了一种测试继电器在动态过程中动态参数测试的方法。采用此方法能直接测量和观察继电器动态过程中的线圈电压、电流 ,同时可测出继电器的动作时间 ,还可了解其接点在接触过程是否有振动现象存在。所以 ,此方法是一种多用途的继电器动态参数测量方法 相似文献
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用较为符合实际的高斯分布表示了脉冲激光输出功率密度分布,讨论了脉冲激光功率密度分布函数形状变化对烧蚀过程中靶材表面熔融前温度分布的影响。建立了考虑热源项的热传导方程,并给出了相应的边界条件。以Si为例,用有限差分方法模拟了温度随时间、位置的变化规律,模拟过程中强调了对边界条件的处理,使整体截断误差保持最小。通过改变脉冲激光功率密度分布函数的形状,分析了温度分布的变化。结果表明,相比恒定脉冲功率密度输出,功率密度高斯分布的激光束与靶材作用时高温阶段的温度变化率变大,靶材表面熔融时刻热扩散距离增加;当激光器上升沿变陡时,在有效作用时间内温度上升得更快,对加工区域周围热效应的影响明显减弱,而热扩散距离变小。 相似文献
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根据能量保守原理,将微观粒子运动的动能等效成宏观动态屈服的应变能,建立内秉悬浮粒子运动涨落的磁流变液剪切应力的随机多尺度模型.分析表明,悬浮粒子初始随机条件和Brownian运动,以及剪切应变加载过程中,链簇反复断裂、重组的先后次序和数目不均匀,导致系统宏观屈服性态的非线性涨落和随机涨落;同时,微观运动涨落在体积平均过程中被严重弱化,宏观随机涨落相对不明显.拟合Bingham剪变率本构模型则进一步表明,外加场强对宏观屈服性态的变异性有一定程度的影响,磁流变液装置设计中应该考虑物理参数的随机性. 相似文献
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颜长铭 《光谱学与光谱分析》1996,16(6):75-78
本文研究了AA3003铝合金微量铅0.005%的光谱分析方法。本法利用沸点4200℃的光谱纯碳电极为辅助电极;采用E601,E603,E605,E607多元素标样组成工作曲线。在相适应的电弧温度的作用下,以交流电弧为光源的分析间隙的发光蒸气云中,形成了Al-C为主体的二元主体组分浓度,使多元素标样与3003合金样品与蒸发与激发行为趋于一致,消除了组分和晶体结构的影响,解决了微量铅0.005%分析准 相似文献
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LY—12铝高温屈服强度的测量 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍LY-12铝合金在常温至400℃动载下(应变率为 10~3/秒),屈服强度的测试及研究。采用一维Hopkinson压杆实验装置及管式高温炉。利用一维应力波传播理论及应变片直接测量两种方法,得到了LY-12铝合金的屈服强度随温度变化的曲线。 相似文献
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本文研究了Cu-Al—Be合金等温逆马氏体相变过程中内耗的变化规律。研究发现,在相变温区,样品内耗值随等温时间的延长而有规律地下降。我们认为,这一现象是由于晶体内部缺陷运动引起的。在等温过程中,点缺陷向界面偏聚,逐渐限制界面移动,引起内耗的下降。 相似文献
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报道用SiF4和H2的间接微波等离子体化学气相沉积方法低温生长多晶硅(poly-Si)薄膜.实验发现,等离子体中的离子、荷电集团对薄膜生长表面的轰击是影响薄膜结晶质量的重要因素之一.通过外加偏压抑制这些荷电粒子的动能是控制表面生长反应、制备高质量ploy-Si薄膜的有效方法.在合适的外加偏压下制备的poly-Si薄膜,氢含量仅约为0.9at%,中心位于520cm-1的Raman特征峰半高宽约为4.4cm-1.
关键词:
多晶硅薄膜
低温生长
表面生长反应
外加偏压 相似文献
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