Fe-V-N稀合金中空位复合体特性的研究(Ⅰ)

本文利用正电子湮没技术研究,Fe-V稀合金渗N后出现的V-N-空位复合结构。测定了这种复合结构的正电子湮没寿命值和估算了空位形成能。为解释Fe-V合金渗N后V的增强扩散机制提供实验依据。 关键词：     

铝中氢-空位复合体的正电子湮没特性

本文从第一性原理出发,应用离散变分法、嵌入集团模型和三维数值弛豫技术计算了铝中一氢-空位复合体和多氢-空位复合体的正电子湮没特性,讨论了氢在铝单空位中可能的占据位置,表明正电子湮没技术是研究固体中缺陷的微观结构的有力工具。 关键词：     

铝中单空位正电子态的完全自洽计算

从第一性原理和两分量密度泛函理论出发,应用离散变分法和嵌入集团模型,计算了铝中单空位的正电子态。分析了外部晶格势场、集团大小和芯冻结近似对固体中正电子分布、正电子湮没特性的影响。同时讨论了完全自洽方法和简单方法对固体中正电子态计算的影响。 关键词：     

金刚石纳米颗粒中氮空位色心的电子自旋研究

通过电子注入的方法制备了含氮空位色心单光子源的金刚石荧光纳米颗粒. 自旋回声测试结果表明, 纳米颗粒中氮空位色心的相干时间T₂很短, 介于0.86 μs至5.6 μs之间. Ramsey干涉条纹测试结果表明, 氮空位色心NV1点的退相干时间T₂^* 最大, 为0.7 μs, 其电子自旋共振谱可分辨的最小线宽为1.05 MHz. 并且NV1点的电子自旋共振谱可分辨氮空位色心本身的¹⁴N核自旋与 氮空位色心电子自旋之间的2.2 MHz超精细相互作用, 这对于在金刚石纳米颗粒中实现核自旋的操控和多个量子比特的门操作具有重要意义. 关键词： 纳米颗粒 氮空位色心 电子自旋     

GaNxAs1-x(x＜0.01)中合金态的光学特性

应用多种光谱手段研究了分子束外延生长在半绝缘的(001)GaAs衬底上的低氮含量的GaNAs中三元合金态的光学特性．变温PL谱揭示了合金态的本征特性以及其与氮的杂质态的根本区别，而脉冲激发的光荧光谱则进一步显示了合金态的本征光学特性．最后还研究了GaNAs的吸收光谱特征．     

金属铁中空位团簇演化行为的相场研究

构建了一个定量化的相场模型, 用于研究金属铁(Fe)中空位团簇的演化行为. 基于理想气体自由能函数构造了体系的总能量, 并给出了将相场模型中的计算参数与实验数据相结合的方法. 此相场模型能够定量描述空位团簇在金属Fe中生长和粗化的过程以及晶界对于空位团簇演化过程的影响. 这些结果为进一步研究金属Fe中氢/氦等杂质原子与空位之间的相互作用及其演化行为提供了途径. 关键词： 铁 空位团簇 演化 相场方法     

氧空位对ZnO基(110)二维膜材料电子结构的影响研究

在密度泛函理论方法的基础上,系统研究了本征氧化锌和氧空位氧化锌的(110)二维膜材料的形成和电子结构性质.计算分析结果表明,ZnO的本征(110)二维膜比氧空位的(110)二维膜稳定性高,ZnO的(110)二维膜有失去氧的倾向.本征ZnO的(110)膜为直接带隙型材料,带隙宽度为2.3 eV,氧空位(110)膜为间接带隙型材料,带隙宽度为1.877 eV.氧空位的(110)膜导带向下移动,并且导带中的能级简并化.氧空位(110)膜材料的导带底能级有2个能谷,分别位于1.877 eV和1.88 eV,这些位置的能级有效质量比本征膜大幅度增大,这些位置的电子速度普遍较低. ZnO的(110)膜产生氧空位之后,Zn的s电子参与形成其价带顶能级.氧空位(110)膜材料中Zn-O键的混合型结合倾向增大.     

金刚石中氮空位中心在外加磁场下的电子自旋共振

金刚石中单个氮空位中心的电子自旋在激光辐射下能够发出近红外的光致荧光,增加微波辐射可以对其进行量子调控,是室温条件下实现量子计算机的主要介质之一.本文利用激光共聚焦扫描显微系统观测到了金刚石晶体中氮空位中心的荧光二维扫描图,并通过二次相关函数测量验证了氮空位中心是单光子源.改变微波辐射频率得到了电子自旋共振谱,从而实现了对单个氮空位中心的量子调控.利用设计的可控静磁场研究了氮空位中心在不同磁场方向和大小时的光致荧光特性和自旋共振峰.实验结果表明两个电子自旋共振峰间的频率间距与静磁场的旋转角度成余弦函数关系,与理论分析结果一致.     

a—Fe—(Co,Cr)—Zr系列合金的穆斯堡尔谱研究

本文研究了a-Fe_90-xCo_xZr₁₀(x=4,10,20,…,70)和Fe_90-yCr_yZr₁₀(y=0,4,7,16,20)系列合金的M?ssbaner谱。实验结果表明a-Fe_90-yCo_yZr₁₀和富Fe区(x<30)的a-Fe_90-xCo_xZr_{10 关键词：}     

HfO_2中影响电荷俘获型存储器的氧空位特性第一性原理研究

随着器件尺寸进一步等比例缩小,高k材料HfO2作为俘获层的电荷俘获型存储器展现了较好的耐受性和较强的存储能力,且工艺相对简单,与传统半导体工艺完全兼容,因此得到了广泛的研究.为研究HfO2中氧空位引入的缺陷能级对电荷俘获型存储器存储特性的影响,运用第一性原理计算分析了HfO2中的氧空位缺陷.通过改变缺陷超胞中的电子数模拟器件的写入和擦除操作,发现氧空位对电荷的俘获基本上不受氧空位之间距离的影响,而氧空位个数则影响对电子的俘获,氧空位数多,俘获电子的能力就强.此外,四价配位的氧空位俘获电子的能力比三价配位的氧空位大.态密度分析发现四价配位的氧空位引入深能级量子态数大,并且受氧空位之间的距离影响小,对电子的俘获概率大.结果表明,HfO2中四价配位的氧空位缺陷有利于改善电荷俘获型存储器的存储特性.     

晶态硅中氢化单空位的络合物模型

本文对氢化单空位模型中SiH键间的相互作用对总能量的影响进行了计算。据用全略微分重迭(CNDO/2)方法计算的结果,单空位中四个氢原子有较明显的相互作用,四氢原子络合成组是含氢单晶硅中一种合理的氢相关组态模型。 关键词：     

(CrO4)络离子中Cr-O距离的研究

通过MS-X_α方法的计算详细地讨论当Cr—O距离变化时(CrO₄)络离子的电子结构和能级分布。给出铬离子三种不同价态(Cr²⁺,Cr³⁺,Cr⁴⁺)的单电子轨道能量、电荷分布、基态电子组态、低激发态的光学跃迁,以及能级示意图。当配位体与中心离子的距离R≤2?时,用晶场理论得出的结果不能令人满意。这时必须考虑配位体与中心离子距离的影响,以及中心离子(对于过渡族金属离子而言)的4s或4p原子轨道的作用。 关键词：     

金刚石生长过程中Fe基合金催化机制的研究

 用X光衍射、电子能谱及Mossbauer谱实验方法，测量了高温高压条件下Fe基合金中Fe原子的3d壳层电子状态的变化，揭示了人造金刚石生长过程中，Fe原子3d壳层未成对电子与2P_z电子之间的键合。     

阿莫西林与锌(Ⅱ)、镉(Ⅱ)、汞(Ⅱ)配合物的合成及配位位置的研究

阿莫西林是一种广谱抗生素,本文通过共沉淀法合成了阿莫西林与d¹⁰组态金属离子的固体配合物,并对其进行了光谱及波谱研究,确定了配合物的配合机理及配位点.     

离心式叶轮中低浓度固体颗粒分布的研究

离心式叶轮中低浓度固体颗粒分布的研究许洪元，吴玉林，戴江，宋益群，王琳（清华大学水电系北京１０００８４）关键词：叶轮，两相流，颗粒分布一、前言固液离心泵在工业上得到广泛应用。其内部流动机理的研究有很大实际意义。已有多人进行了离心叶轮中固体颗粒运动轨迹...     

面心立方金属的空穴松弛能和空穴形成能的计算

本文利用纯金属的Morse势计算了五种面心立方金属(Pb,Ag,Ni,Cu,Al)的空穴松弛能和空穴形成能。计算松弛能时,除了考虑原子重新分布外,还特别考虑了电子云重新分布所引起的效应。如此求得的松弛能分别为1.27—1.36,>1.73,1.93—2.29,1.52—1.84,>1.09eV,比没有考虑电子云重新分布求得的松弛能大一个多电子伏。这表明电子云重新分布对松弛能的贡献是很重要的。由于求得了比较合理的松弛能,因而找到了一种模型比较简单,充分考虑到松弛效应的、适合于计算所有立方金属空穴形成能的方法。最后,求得上述金属的空穴形成能分别为0.64—0.74,<1.22,1.78—2.15,1.52—1.85,<1.67eV,比实验值大一些;它给出了上述实际金属的合理的理论上限值。     

急冷Al-Si-Ge合金超导电性的研究

本文研究了热处理对急冷Al-8.3at%Si-8.5at%Ge合金的微观结构及超导电性的影响。结构分析表明,液态淬火的样品由两相组成:过饱和α-Al(Si,Ge)固溶体基体和Al,Si,Ge的非晶球体,后者在基体中相互连接,构成连续通路。经过100℃/50h热处理后,非晶球体尺寸缩小,不再构成连续通路,并在其中析出弥散的Si(Ge)微晶。热处理后的样品的电阻-温度及电阻-磁场转变曲线上均出现两次正常-超导转变。它可以用样品中存在两个超导相的模型予以解释。 关键词：     

S-D系统的统一模型与稀磁合金的电子比热

本文采用Ａｎｄｅｒｓｏｎ ｓ－ｄ混合模型和ｓ－ｄ交换模型,讨论了磁性杂质溶入金属后,对稀磁合金比热的影响,并对Ｃｄ－Ｍｎ合金进行了定量的讨论。     

S-D系统的统一模型与稀磁合金的热导率和热电势

本文采用Anderson s-d混合模型和s-d交换模型,讨论了磁性杂质溶入金属后,对稀磁合金热导率和热电势的影响,并对Cd-Mn合金进行了定量的讨论。