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利用瓦特计技术,研究了YBa_2Cu_3O_(7-y)烧结样品和粉末熔化法(PMP)织构样品在77K和50Hz交变磁场下的交流(ac)损耗(?)实验结果表明,ac损耗(?)同外磁场振幅H_m之间遵从幂函数规律:(?)∝H_m~n对于YBa_2Cu_3O_(7-y)的烧结样品:(1)当H_m<40Oe时,这样低的磁场已穿透弱连接的晶粒边界网络,导至晶粒间的损耗,(?)∝H_m~(1.6)(2)当40Oe≤H_m<170Oe时,中等磁场破坏了晶粒间的耦合,并且磁通穿进了晶粒内,引起不完全穿透的晶粒内损耗,(?
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A method for determination of the oxygen content (y) in YBa2Cu3O7-y films has been established, in which the lattice conetant difference (b-a) of the films was measured and used to fit the function of (b-a) vs y for the experimental data of bulk YBaaCuaO?-y given in the literature. It is suggested that the function of (b-a) vs y can indeed be used in the case of film. In this process the twin structure of the YBa2Cu3O7-y films was used. 相似文献
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通过制备(YBa2Cu3O7)1-x(V2O5)x(0≤x≤0.15)复合材料,获得了一系列典型的弱连接的颗粒超导体,其中以dR/dT-T关系中呈现出双峰转变为主要特征。第一峰代表晶粒的超导转变,第二峰代表颗粒系统超导长程序的形成。对于具有双峰转变的样品,其临界电流密度一致地符合ic~(1-t)n,n=1.6.这一行为与三维Josephson结网络系统的渗流行为相一致;对于不具有双峰转变的系统,临界电流密度随温度的变化尽管也可以用jc~(1-t)n描述,但是幂指数n明显地大于1.6,且随样品的不同而离散地分布。本文还对产生这种离散的原因进行探索和分析。
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本文通过脉冲激光沉积法制备了不同厚度(80nm、320nm、1000nm和2000nm)的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导薄膜,对它们的剩余应力和临界电流特性进行了对比研究.通过系列的激光显微Raman光谱和磁化曲线测量分别获得了薄膜剩余应力和磁化临界电流密度(Jc)对薄膜厚度的依赖关系.结果显示超导薄膜内剩余应力越小,Jc越高.对于中等厚度的薄膜样品(320nm和1000nm),其膜内剩余应力较小,同时由其特征的磁通匹配场大小推知在该厚度范围内的样品具有较高的线性缺陷密度,从而显示出较高的Jc值. 相似文献
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通过测量YBa2Cu3-xMxO7-y(M=Zn,Ni,x=0,0.025,0.05,0.075,0.1,0.15,0.2,0.3)系列样品的晶体结构、正常态电子输运性质、超导电性以及O含量,给出了Zn择优取代Cu(2)的更直接证据;同时,观察到掺Zn系统中的由正交相Ⅰ到正交相Ⅱ的结构相变以及Ni取代Cu带来的电子局域化效应。研究结果表明,具有正二价态的Zn对Cu(2)具有择优取代性,而具有正二价和正三价的Ni并不具有明显的择优取代。对Cu(2)的取代引起超导临界温度的显著变化,但对正常态电子输运性质的影响不明显;对Cu(1)的取代更显著地影响了晶体结构和正常态电子输运性质,同时对Tc产生抑制,我们认为,YBa2Cu307中的高温超导电性以及正常态输运性质是由CU-O平面和Cu-0链共同承担,而Cu-O平面和Cu-0链之间的耦合强度决定着该系统的超导电性的强弱。
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