高Tc超导体的表面微波吸收

测量不同粒度及低真空条件下高T_c超导样品Bi-Pb-Sb-Sr-Ca-Cu-O的非共振微波吸收信号,实验表明,这个对温度和磁场十分敏感的信号还与样品颗粒的大小及氧气氛有关;并经计算证明,信号强度与近表面趋肤深度壳层Meissner态的体积成正比。 关键词：     

Bi系超导体高Tc相的形成机制

本文研究Bi系超导体高T_c(2223)相的形成机制。提出Bi系氧化物超导体高T_c相的形成过程是:首先Sr-Ca-Cu氧化物(Ca_0.85Sr_0.15CuO₂)与低T_c(2212)相反应形成高T_c相的核,然后样品内2223相核通过象结晶学中晶体生长那样的方式长大成2223相晶粒。2223相成核过程中Sr-Ca-Cu氧化物的形成途径有两条:一条是通过固相反应 关键词：     

二维反铁磁Heisenberg模型(s=1/2)的低能性质研究

利用一种有效的Monte Carlo簇团迭代方法进行了关于二维反铁磁Heisenberg量子模型的数值研究。比较手征微扰理论的有关解析结果,在有限温度和有限体积下精确地确定了该系统的重要低能参数:基态能量密度e_o=-0.6693(1)J/a²,参差磁化强度M_s=0.3076(4)/a²,自旋波速度?c=1.68(1)Ja和自旋块度(spin stiffness)ρ_s=0.185(5)J。计算结果与 关键词：     

铁基超导体中的长程反铁磁序

文章回顾了用中子散射技术对铁基超导体中所存在的三维长程反铁磁序进行研究的进展.大多数铁基超导体母体的晶体结构在温度降低时都经历了从四方相变化到正交相或单斜相的结构相变.在此相变温度之下,自旋系统也从顺磁变化到三维长程反铁磁.在掺杂之后,结构相变和磁相变都被压制,而超导则最终出现.文章详细介绍了各种母体中的三维反铁磁结构及其自旋波频谱,并讨论了掺杂对反铁磁相变和晶格相变的影响.     

铁基超导体中的长程反铁磁序

文章回顾了用中子散射技术对铁基超导体中所存在的三维长程反铁磁序进行研究的进展. 大多数铁基超导体母体的晶体结构在温度降低时都经历了从四方相变化到正交相或单斜相的结构相变. 在此相变温度之下,自旋系统也从顺磁变化到三维长程反铁磁. 在掺杂之后,结构相变和磁相变都被压制,而超导则最终出现. 文章详细介绍了各种母体中的三维反铁磁结构及其自旋波频谱,并讨论了掺杂对反铁磁相变和晶格相变的影响.     

一种具有铁磁与反铁磁相互作用Ising模型的热力学性质

对最近邻自旋间具有反铁磁相互作用Ｊ_s，相隔偶数个自旋间又具有指数型长程铁磁相互作用Ｊ₁的一维Ｉｓｉｎｇ模型，利用积分方程的方法得出内能和比热的解析表达式。在Ｊ₁＝１，Ｊ_s分别为０．０５，０．１和０．３的条件下，作出零场时的内能和比热随温度参量变化的图形，并指出其相变临界点。在Ｊ₁＝１，Ｊ_s＝０．１的条件下，作出外磁场变化对内能和比热的影响图。鉴于系统在低温、零场或弱场以及较弱 关键词：     

在H2气氛中Bi2Sr2CaCu2O8+δ的热处理效应

对高品质单相多晶Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ样品作真空或H₂气氛中不同温度下的热处理。由X射线结构分析,其正常态和超导态性质(特别是载流子浓度)的系统测量结果表明:Bi₂Sr₂CaCu₂0_8+δ样品在H₂气氛中热处理,其氧的释放可分为两个阶段:一是Bi-O层之间的过量氧原子的逸出,降低系统的载流子浓度,从而调节T_c;二是CuO₂面内氧原子的迁移,产生氧空位,使CuO₂面内Cu²⁺的短程二维反铁磁(2D-AFM)有序背景遭到破坏。可以认为:以往文献中报道的Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ超导体的吸氢效应导致T_c的变化,很可能主要的并不是氢原子的电子掺杂行为,而是与吸氢过程中氧含量的变化相联系。 关键词：     

Pr0.2Yb0.8-xLaxBa2Cu3O7-δ体系的超导电性和磁性

本文研究了Pr_0.2Yb_0.8-xLa_xBa₂Cu₃O_7-δ体系的晶体结构,超导电性和磁性。结果表明,在Pr含量不变的条件下,超导转变温度随稀土离子半径增大而降低,当x≈0.65时,T_c=0;电子比热和费密能级上的态密度也随稀土离子半径增大而降低。并讨论了稀土离子半径与杂化的关系。 关键词：     

高温超导体中的短程反铁磁自旋关联

传统超导体具有大的相干长度 ,借助于由隧穿测量给出的电流 -电压关系 ,可以反演出电声子相互作用的谱密度α2 Ｆ(ω) .对于高温超导体来说 ,情况完全不同 ,它的相干长度很短 ,为要研究其中的相互作用谱密度 ,最好的办法是采用红外光反射率测量或进行中子非弹性散射实验 .最近 ,美国橡树岭 (ＯａｋＲｉｄｇｅ)国家实验室的Ｐ .Ｃ .Ｄａｉ等 ,对ＹＢａ2 Ｃｕ3Ｏ6 ｘ(ＹＢＣＯ)系列样品 ,给出了中子非弹性散射研究的新数据 .结果表明 ,短程反铁磁自旋关联 ,在超导形成中起着重要的作用 .中子散射与Ｘ射线散射的区别主要在于 :Ｘ射线散射的强…     

Heisenberg反铁磁超晶格的自旋波

考虑由两种不同的Heisenberg及铁磁膜组成的磁性超晶格结构,通过线性化的Hol-stein-Primakoff变换和Green函数理论,计算了自旋波色散关系。有趣的是,视一个超原胞内原子平面数为奇或偶,结果有差异,意味着宏观性质也会有差异。 关键词：     

调制转移光谱线型的理论计算

本文从密度矩阵运动方程出发,研究了经位相调制的光束和未经调制的光束同时与串联式三能级系统相互作用的过程,并计算了基于近简并四波混频过程的光外差调制转移光谱讯号的线型。计算结果表明它能有效地克服中间能级近共振所产生的多普勒背景,并有效地区分单光子饱和吸收讯号和双光子跃迁讯号。 关键词：     

非晶态超导体转变温度Tc的经验公式

本文提出一个非晶态非过渡金属超导体的T_c经验公式,T_c=Aλ<ω>^1/2/(<ω>/ω₀+(1+λ)/20),式中A=(1/5)^(K1/2)。计算值和实验值,以及和Garland理论值的比较表明,T_c经验公式能很好地描述非晶态超导体的T_c值。 关键词：     

偏振三光子跃迁讯号的理论计算

本文从密度矩阵运动方程出发,对四能级阶跃型及折迭型能级结构的分子系综与不同性质偏振激光场作用时,可能发生的五种近共振增强三光子电子跃迁分别作了具体推导,获得了以第三跃迁为探测跃迁时的实验讯号强度及光谱特征解析式。通过与三能级系统作比较,发现其线型因子、谱线强度因子均有不同程度的增大,使讯号相对强度有数量级的提高。最后还讨论了所得讯号在分子光谱分析中的应用前景。 关键词：     

场助InP/InGaAsP半导体光电阴极量子效率的理论计算

本文对决定场助InP/InGaAsP半导体光电阴极量子效率的诸因素进行了详细分析。基于电流连续性方程和量子力学的隧道效应,对阴极吸收层中的电子传输、发射层中的电子转移以及表面电子逸出几率等过程进行了定量计算,得到了在不同场助偏压时,波长与量子效率的关系曲线。计算结果表明,在场助偏压的作用下,可将半导体阴极在0.9—1.25μm范围的量子效率提高两个数量级以上。本文的计算结果对场助半导体阴极的结构设计及工作条件的优化具有一定的帮助。     

液氮冲击压缩特性的理论计算

 用修正的WCA理论计算了液氮冲击压缩至70 GPa的一次冲击Hugoniot数据。计算中引入与体系比容有关的分子离解因子，计算结果表明，在33GPa以上液氮体系发生的相变为分子离解相变，该过程对体系热力学状态有较大影响，分子离解是对冲击能量的吸收过程，导致体系冲击压力和温度增长率下降。     

Ll2超导体的Tc表达式

通过对L1₂超导体的研究,我们得出了这类超导体临界温度的表达式T_c=(15.9T_BV(B)G_A)/(M^1/2V(L1₂)G_B)。其中T_B是B组元的超导转变温度,V(B)是B组元的原子体积,V(L1₂)为L1₂化合物的平均原子体积,M是L1₂化合物的平均原子量,G_A,G_B分别为A组元、B组元的Gordy电负性值。 关键词：     

Na2SbF5晶体倍频系数的理论计算

本文使用阴离子基团理论计算了Na₂SbF₅晶体的倍频系数,得到d₁₂₃=4.48×10^-10esu,与实验值符合较好。计算结果表明,阴离子基团中孤对电子的存在有利于产生大的倍频效应。本文还分析了Na₂SbF₅晶体倍频系数小的原因:尽管(SbF₅)^2-基团存在孤对电子可以对晶体倍频系数有较大贡献,但孤对电子能级的相对位置对其倍频系数有不利影响,从而导致它的倍频系数d₁₂₃较小。 关键词：     

一种新的激光器锁模方法的理论计算

本文对采用一个反射率随光强而变的非线性反射镜进行被动锁模的激光器提出一个涨落模型,并用此模型对Nd:YAG激光器改变各种参量,对两种非线性晶体(KTP和KDP)进行计算机模拟,根据模拟计算预言了实现完善锁模的最佳条件和激光器的最佳参量。 关键词：