包钴型γ-Fe2O3磁粉矫顽力的研究

包钴型γ-Fe₂O₃磁粉分为包钴γ-Fe₂O₃(简记为Co-γ-Fe₂O₃)和包钴包亚铁γ-Fe₂O₃(简记为CoFe-γ-Fe₂O₃)两种,它们的矫顽力可比γ-Fe₂O₃磁粉的提高100至400Oe左右,本工作对这两种磁粉矫顽力增大的原因作了探讨,认为它们矫顽力增大的机制不同:CO-γ-Fe₂O₃矫顽力增大是由于表面包覆一层Co(OH)₂使表面各向异性增大,而CoFe-γ-Fe₂O₃则是由于表面包覆的是钴铁氧体,γ-Fe₂O₃与钴铁氧体之间发生耦合作用,使矫顽力增大。     

包钴型r-Fe_2O_3磁粉各向异性研究

包钴型γ-Fe_2O_3磁粉的矫顽力可比原γ-Fe_2O_3磁粉提高8000—32000A/m。木文研究探讨了两种包钴型γ-Fe_2O_3磁粉(包钴γ-Fe_2O_3和包钴包亚铁γ-Fe_2O_3)的单轴各向异性的起源和矫顽力增大的机制。包钴γ-Fe_2O_3磁粉矫顽力增大是由于钴离子在γ-Fe_2O_3表面从尤取向产生表面单轴各向异性。包钴包亚铁γ-Fe_2O_3磁粉(Co~(2+)/γ-Fe_2O_3=2—16wt％)的矩形比S.R.为0.5左右,包钴包亚铁后增强的单轴各向异性和多轴磁晶各向异性使矫顽力增大。增强的单轴各向异性的起源:(1)钴离子在γ-Fe_2O_3表面从尤取向产生表面单轴各向异性;(2)表面层钴铁氧体微晶易磁化轴从尤排列显示单轴各向异性。     

包钴型γ-Fe2O3磁粉的穆斯堡尔谱研究

用穆斯堡尔谱学并配合宏观手段,研究不同工艺条件下的包钴型γ-Fe₂O₃磁粉以及扩样试验磁粉,将不同工艺下磁粉矫顽力的变化与微观结构联系起来。 关键词：     

GdBa2Cu3O7-δ单晶的各向异性研究

本文报道了对GdBa₂Cu₃O_7-δ单晶正常态电阻率、超导临界温变,以及磁转变的各向异性观测结果,发现ab平面上及c轴方向的电阻率,除T_c附近由于超导涨落引起的明显偏离以外,在正常态都能很好地满足Anderson-Zou关系:ρ=A/T+BT,但两方向的A,B存在显著差异说明其输运电荷是由不同机制产生,它具有显著的二维特征;沿c轴方向的超导电性比沿ab平面的超导电性要弱,T_ce⊥比T_ce∥低2K;H∥ab平面时的交流屏蔽效应仅是H⊥ab平面时的76％。 关键词：     

关于MgB2/Al2O3超导薄膜电阻转变和各向异性的研究

利用电子束蒸发方法将MgB₂超导薄膜沉积到Al₂O₃(001)衬底上.采用标准的四引线法研究了磁场平行和垂直超导薄膜ab平面下的电阻转变.一个激活能模型 U(T,H)=U₀(1-T/(T_c+δ))ⁿ(1-H/H 关键词： 2/Al₂O₃')" href="#">MgB₂/Al₂O₃ 超导体 电阻转变 各向异性     

强磁场下Er2Ga5O12的磁晶各向异性

用量子理论定量计算了Er3Ga5O12在强磁场作用下,温度为42K,外磁场沿着[001],[100],[110]和[111]四个方向的磁化强度.可以看出,磁化强度随着外磁场呈很强的各向异性,而在低温弱磁场下,磁化强度和外磁场呈线性关系 关键词： 磁晶各向异性 磁化强度     

超细磁粉矫顽力的研究

利用透射电子显微镜和X射线衍射研究了溶胶法制备的分散在SiO_2母体内的纯Fe微粉(Fe-SiO_2)和化学共沉法制得的含Coγ-Fe_2O_3微粉的晶形和结构。用振动样品磁强计测量这些微粉的磁性。发现粒度为50—300(?)的Fe-SiO_2微粉,当温度由300K降至80K时,矫顽力变化很少,但1000(?)的含Coγ-Fe_2O_3微粉的矫顽力则上升了10倍以上。利用趋近饱和定律求出这些样品的各向异性常数随温度的变化,并讨论了它们的矫顽力随温度变化的原因。 关键词：     

不同氧含量Bi2Sr2CaCu2O８+δ单晶电阻率的各向异性

精确测量了在不同氧压下退火的单晶Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ(Bi2212)样品的Cu-O面内和Cu-O面外的电阻率ρ_c(T)和ρ_ab(T).发现ρ_c(T)和各向异性比(ρ_c(T)/ρ_ab(T))随着载流子浓度增加而迅速下降.在过掺杂样品中,高于120K时,ρ_c随温度线性下降,而各向异性 关键词：     

Fe/MnPd薄膜各向异性和矫顽力的研究

从理论和实验上对Fe/MnPd薄膜的交换偏置效应、各向异性和矫顽力的增加作了系统的研究.研究表明,在FM/AF结构中,FM和AF的交换耦合作用会诱导系统产生高阶各向异性,在Fe/MnPd结构中获得的单轴和立方各向异性的大小同单轴各向异性与铁磁层的厚度成反比关系一样.同时,铁磁层(FM)和反铁磁层(AF)的交换耦合作用诱导而产生的高阶各向异性的存在是使系统矫顽力增加的重要原因. 关键词：     

NiFe2O4纳米线阵列的制备与磁性

在氧化铝模板的纳米孔洞中, 用电化学的方法沉积铁镍合金纳米线，经过550℃30h氧化处理 , 成功制备出 NiFe2O4纳米线阵列. 分别用扫描电子显微镜 (SEM) 、透射电 子显微镜 (TEM) 、x射线衍射仪 (XRD) 和振动样品磁场计 (VSM) 对样品的形貌、晶体结构 和磁学性质进行了表征测试. SEM和TEM观察结果显示氧化铝模板的孔洞分布均匀，孔心距约 为110nm; 纳米线的直径约为70nm. XRD显示纳米线阵列的物相结构为NiFe2O4; VSM测试结果表明，NiFe2O4纳米线阵列膜的易磁化方向垂直于膜面. 当垂直 磁化时磁滞回线的矩形比约为05，矫顽力为41×103A/m，比氧化处理前的铁镍合金 纳米线阵列都有显著提高. 关键词： 纳米线 Ni Fe2O4 矫顽力     

Co淀积到γ-Fe2O3表面的光电发射谱研究

在γ-Fe₂O₃表面蒸镀不同厚度Co,观察到低Co覆盖度,Co具有很大活力与O₂结合,而使Fe还原.在θ=0.2—0.8时,表面上形成类CoFe₂O₄.Co覆盖度进一步增加,Fe在表面偏析,Co开始形成第二层,破坏了形成这种氧化物的条件.因此,这种铁钴氧化物与单层或亚单层包钴磁粉磁性的改善可能有密切关系. 关键词：     

BaZn2(GeMn)0-2Fe15-6O27六角铁氧体的磁晶各向异性

用标准陶瓷工艺制备了ＢａＺｎ２（ＧｅＭｎ）０－２Ｆｅ１５－６Ｏ２７六角铁氧体．假设Ｇｅ４＋取代了４ｅ和４ｆⅣ中的Ｆｅ３＋,能够很好地解释实验结果．利用分子场理论和Ｈ．Ｂ．Ｃａｌｌｅｎ单离子各向异性模型计算了ＢａＺｎ２（ＧｅＭｎ）０－２Ｆｅ１５－６Ｏ２７次点阵之间的交换参数和各次点阵对磁晶各向异性的贡献,并对实验结果进行了拟合．结果表明,１２ｋ和２ｄ次点阵对磁晶各向异性有较大的贡献 关键词：     

Er2(Fe1-xCox)15Ga2化合物的磁晶各向异性

通过X射线衍射和磁性测量等手段研究了Er₂(Fe_1-xCo_x)₁₅Ga₂化合物的结构与磁性，重点讨论了它们的磁晶各向异性.实验结果表明，Er₂(Fe_1-xCo_x)₁₅Ga₂化合物均为Th₂Ni₁₇型六角结构，晶格常数a,c和单胞体积V随Co含量的 关键词：     

Y2O3·Cr2O3复合氧化物热力学性质的研究

在1182—1386K温度范围内,用固体电解质氧浓差电池:Mo|Cr,Y₂O₃,Y₂O₃·Cr₂O₃|ZrO₂(+MgO)|Cr,Cr₂O₃|Mo测定了复合氧化物Y₂O₃·Cr₂O₃的热力学性质。对于反应Y_{2关键词：}     

R2Fe14B型永磁材料中第二磁晶各向异性常数对反磁化过程的影响

针对低温下各向同性Pr₂Fe₁₄B永磁材料的最小形核场问题，用数值 计算法和近似解 析解研究了第二磁晶各向异性常数K₂对最小形核场的影响.研究发现，尽管对于 Nd₂ Fe₁₄B永磁材料一级近似的解析解与数值计算结果很接近，但是对于低温下各向 同性P r₂Fe₁₄B永磁材料则至少要用二级近似下的解析解才能与数值计算 结果相接近.用有 关最小形核场的计算结果很好地解释了低温时各向同性Pr₂Fe₁₄B永 磁材料的矫顽力与最小形核场的关系. 关键词： 第二磁晶各向异性常数 形核场 矫顽力     

纯三元及含Zr, Ga元素磁粉的各向异性

未经均匀化热处理的纯三元及含Zr, Ga元素的SC合金铸片经优化的HDDR工艺处理都可以制备各向异性NdFeB磁粉。这表明：元素的添加及SC铸片是否进行了均匀化热处理都不是HDDR磁粉各向异性形成的必要条件。磁粉各向异性形成的关键因素在于HDDR工艺的调节,即适当地加快歧化反应过程,减缓脱氢再结合过程以及控制脱氢再结合时的合适氢气压强均有利于磁粉各向异性的形成。本文将为制备低成本高各向异性磁粉提供重要的指导。     

垂直各向异性Ho3Fe5O12薄膜的外延生长与其异质结构的自旋输运

垂直磁各向异性稀土-铁-石榴石纳米薄膜在自旋电子学中具有重要应用前景.本文使用溅射方法在(111)取向掺杂钇钪的钆镓石榴石(Gd_0.63Y_2.37Sc₂Ga₃O₁₂,GYSGG)单晶衬底上外延生长了2—100 nm厚的钬铁石榴石(Ho₃Fe₅O₁₂,HoIG)薄膜,并进一步在HoIG上沉积了3 nm Pt薄膜.测量了室温下HoIG的磁各向异性和HoIG/Pt异质结构的自旋相关输运性质.结果显示,厚度薄至2 nm的HoIG薄膜(小于2个单胞层)在室温仍具有铁磁性,且由于外延应变,2—60 nm厚HoIG薄膜都具有很强的垂直磁各向异性,有效垂直各向异性场最大达350 mT;异质结构样品表现出非常可观的反常霍尔效应和“自旋霍尔/各向异性”磁电阻效应,前者在HoIG厚度小于4 nm时开始缓慢下降,而后者当HoIG厚度小于7 nm时急剧减小,说明相较于反常霍尔效应,磁电阻效应对HoIG的体磁性相对更加敏感;此外,自旋相关热电压随HoIG厚度减薄在整个厚度范围以指数方式下降,说明遵从热激化磁振子运动规律的自旋塞贝克效应是其主要贡献者.本文结果表明HoIG纳米薄膜具有可调控的垂直磁各向异性,厚度大于4 nm的HoIG/Pt异质结构具有高效的自旋界面交换作用,是自旋电子学应用发展的一个重要候选材料.     

包钴型γ-Fe_2O_3磁粉矫顽力的研究

包钴型γ-Fe_2O_3磁粉分为包钴γ-Fe_2O_3(简记为Co-γ-Fe_2O_3)和包钴包亚铁γ-Fe_2O_3(简记为 CoFe-γ-Fe_2O_3)两种,它们的矫顽力可比γ-Fe_2O_3磁粉的提高100至400Oe左右,本工作对这两种磁粉矫顽力增大的原因作了探讨,认为它们矫顽力增大的机制不同:CO-γ-Fe_2O_3矫顽力增大是由于表面包覆一层Co(OH)_2使表面各向异性增大,而CoFe-γ-Fe_2O_3则是由于表面包覆的是钴铁氧体,γ-Fe_2O_3与钴铁氧体之间发生耦合作用,使矫顽力增大。     

纯三元及含Zr,Ga元素磁粉的各向异性

未经均匀化热处理的纯三元及含Zr,Ga元素的SC合金铸片经优化的HDDR工艺处理都可以制备各向异性Nd Fe B磁粉.这表明:元素的添加及SC铸片是否进行了均匀化热处理都不是HDDR磁粉各向异性形成的必要条件.磁粉各向异性形成的关键因素在于HDDR工艺的调节,即适当地加快歧化反应过程,减缓脱氢再结合过程以及控制脱氢再结合时的合适氢气压强均有利于磁粉各向异性的形成.本文将为制备低成本高各向异性磁粉提供重要的指导.     

Al2O3衬底MgB2超薄膜的研究

我们利用混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapor deposition简称为HPCVD)在(000l)Al2O3衬底上制备了系列干净的MgB2超薄膜,并通过R-T测量、SEM测量、M-T测量、XRD测量对它们进行了表征,探究了其超导电磁性能和薄膜的生长机制.其中的7.5nm厚的MgB2超薄膜为已报导的蓝宝石衬底上生长的性能最高的超薄膜.