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包钴型γ-Fe2O3磁粉分为包钴γ-Fe2O3(简记为Co-γ-Fe2O3)和包钴包亚铁γ-Fe2O3(简记为CoFe-γ-Fe2O3)两种,它们的矫顽力可比γ-Fe2O3磁粉的提高100至400Oe左右,本工作对这两种磁粉矫顽力增大的原因作了探讨,认为它们矫顽力增大的机制不同:CO-γ-Fe2O3矫顽力增大是由于表面包覆一层Co(OH)2使表面各向异性增大,而CoFe-γ-Fe2O3则是由于表面包覆的是钴铁氧体,γ-Fe2O3与钴铁氧体之间发生耦合作用,使矫顽力增大。 相似文献
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包钴型γ-Fe_2O_3磁粉的矫顽力可比原γ-Fe_2O_3磁粉提高8000—32000A/m。木文研究探讨了两种包钴型γ-Fe_2O_3磁粉(包钴γ-Fe_2O_3和包钴包亚铁γ-Fe_2O_3)的单轴各向异性的起源和矫顽力增大的机制。包钴γ-Fe_2O_3磁粉矫顽力增大是由于钴离子在γ-Fe_2O_3表面从尤取向产生表面单轴各向异性。包钴包亚铁γ-Fe_2O_3磁粉(Co~(2+)/γ-Fe_2O_3=2—16wt%)的矩形比S.R.为0.5左右,包钴包亚铁后增强的单轴各向异性和多轴磁晶各向异性使矫顽力增大。增强的单轴各向异性的起源:(1)钴离子在γ-Fe_2O_3表面从尤取向产生表面单轴各向异性;(2)表面层钴铁氧体微晶易磁化轴从尤排列显示单轴各向异性。 相似文献
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本文报道了对GdBa2Cu3O7-δ单晶正常态电阻率、超导临界温变,以及磁转变的各向异性观测结果,发现ab平面上及c轴方向的电阻率,除Tc附近由于超导涨落引起的明显偏离以外,在正常态都能很好地满足Anderson-Zou关系:ρ=A/T+BT,但两方向的A,B存在显著差异说明其输运电荷是由不同机制产生,它具有显著的二维特征;沿c轴方向的超导电性比沿ab平面的超导电性要弱,Tce⊥比Tce∥低2K;H∥ab平面时的交流屏蔽效应仅是H⊥ab平面时的76%。
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利用透射电子显微镜和X射线衍射研究了溶胶法制备的分散在SiO_2母体内的纯Fe微粉(Fe-SiO_2)和化学共沉法制得的含Coγ-Fe_2O_3微粉的晶形和结构。用振动样品磁强计测量这些微粉的磁性。发现粒度为50—300(?)的Fe-SiO_2微粉,当温度由300K降至80K时,矫顽力变化很少,但1000(?)的含Coγ-Fe_2O_3微粉的矫顽力则上升了10倍以上。利用趋近饱和定律求出这些样品的各向异性常数随温度的变化,并讨论了它们的矫顽力随温度变化的原因。
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从理论和实验上对Fe/MnPd薄膜的交换偏置效应、各向异性和矫顽力的增加作了系统的研究.研究表明,在FM/AF结构中,FM和AF的交换耦合作用会诱导系统产生高阶各向异性,在Fe/MnPd结构中获得的单轴和立方各向异性的大小同单轴各向异性与铁磁层的厚度成反比关系一样.同时,铁磁层(FM)和反铁磁层(AF)的交换耦合作用诱导而产生的高阶各向异性的存在是使系统矫顽力增加的重要原因.
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在氧化铝模板的纳米孔洞中, 用电化学的方法沉积铁镍合金纳米线,经过550℃30h氧化处理 , 成功制备出 NiFe2O4纳米线阵列. 分别用扫描电子显微镜 (SEM) 、透射电 子显微镜 (TEM) 、x射线衍射仪 (XRD) 和振动样品磁场计 (VSM) 对样品的形貌、晶体结构 和磁学性质进行了表征测试. SEM和TEM观察结果显示氧化铝模板的孔洞分布均匀,孔心距约 为110nm; 纳米线的直径约为70nm. XRD显示纳米线阵列的物相结构为NiFe2O4; VSM测试结果表明,NiFe2O4纳米线阵列膜的易磁化方向垂直于膜面. 当垂直 磁化时磁滞回线的矩形比约为05,矫顽力为41×103A/m,比氧化处理前的铁镍合金 纳米线阵列都有显著提高.
关键词:
纳米线
Ni Fe2O4
矫顽力 相似文献
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针对低温下各向同性Pr2Fe14B永磁材料的最小形核场问题,用数值 计算法和近似解 析解研究了第二磁晶各向异性常数K2对最小形核场的影响.研究发现,尽管对于 Nd2 Fe14B永磁材料一级近似的解析解与数值计算结果很接近,但是对于低温下各向 同性P r2Fe14B永磁材料则至少要用二级近似下的解析解才能与数值计算 结果相接近.用有 关最小形核场的计算结果很好地解释了低温时各向同性Pr2Fe14B永 磁材料的矫顽力与最小形核场的关系.
关键词:
第二磁晶各向异性常数
形核场
矫顽力 相似文献
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刘敏 《原子与分子物理学报》2016,33(1)
未经均匀化热处理的纯三元及含Zr, Ga元素的SC合金铸片经优化的HDDR工艺处理都可以制备各向异性NdFeB磁粉。这表明:元素的添加及SC铸片是否进行了均匀化热处理都不是HDDR磁粉各向异性形成的必要条件。磁粉各向异性形成的关键因素在于HDDR工艺的调节,即适当地加快歧化反应过程,减缓脱氢再结合过程以及控制脱氢再结合时的合适氢气压强均有利于磁粉各向异性的形成。本文将为制备低成本高各向异性磁粉提供重要的指导。 相似文献
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垂直磁各向异性稀土-铁-石榴石纳米薄膜在自旋电子学中具有重要应用前景.本文使用溅射方法在(111)取向掺杂钇钪的钆镓石榴石(Gd0.63Y2.37Sc2Ga3O12,GYSGG)单晶衬底上外延生长了2—100 nm厚的钬铁石榴石(Ho3Fe5O12,HoIG)薄膜,并进一步在HoIG上沉积了3 nm Pt薄膜.测量了室温下HoIG的磁各向异性和HoIG/Pt异质结构的自旋相关输运性质.结果显示,厚度薄至2 nm的HoIG薄膜(小于2个单胞层)在室温仍具有铁磁性,且由于外延应变,2—60 nm厚HoIG薄膜都具有很强的垂直磁各向异性,有效垂直各向异性场最大达350 mT;异质结构样品表现出非常可观的反常霍尔效应和“自旋霍尔/各向异性”磁电阻效应,前者在HoIG厚度小于4 nm时开始缓慢下降,而后者当HoIG厚度小于7 nm时急剧减小,说明相较于反常霍尔效应,磁电阻效应对HoIG的体磁性相对更加敏感;此外,自旋相关热电压随HoIG厚度减薄在整个厚度范围以指数方式下降,说明遵从热激化磁振子运动规律的自旋塞贝克效应是其主要贡献者.本文结果表明HoIG纳米薄膜具有可调控的垂直磁各向异性,厚度大于4 nm的HoIG/Pt异质结构具有高效的自旋界面交换作用,是自旋电子学应用发展的一个重要候选材料. 相似文献
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包钴型γ-Fe_2O_3磁粉分为包钴γ-Fe_2O_3(简记为Co-γ-Fe_2O_3)和包钴包亚铁γ-Fe_2O_3(简记为 CoFe-γ-Fe_2O_3)两种,它们的矫顽力可比γ-Fe_2O_3磁粉的提高100至400Oe左右,本工作对这两种磁粉矫顽力增大的原因作了探讨,认为它们矫顽力增大的机制不同:CO-γ-Fe_2O_3矫顽力增大是由于表面包覆一层Co(OH)_2使表面各向异性增大,而CoFe-γ-Fe_2O_3则是由于表面包覆的是钴铁氧体,γ-Fe_2O_3与钴铁氧体之间发生耦合作用,使矫顽力增大。 相似文献
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刘敏 《原子与分子物理学报》2015,32(6)
未经均匀化热处理的纯三元及含Zr,Ga元素的SC合金铸片经优化的HDDR工艺处理都可以制备各向异性Nd Fe B磁粉.这表明:元素的添加及SC铸片是否进行了均匀化热处理都不是HDDR磁粉各向异性形成的必要条件.磁粉各向异性形成的关键因素在于HDDR工艺的调节,即适当地加快歧化反应过程,减缓脱氢再结合过程以及控制脱氢再结合时的合适氢气压强均有利于磁粉各向异性的形成.本文将为制备低成本高各向异性磁粉提供重要的指导. 相似文献