大型无氧铜氢气保护焊接设备的研究

对氢气保护钎焊炉的结构及功能进行了大量的改进,研究了无氧铜大型构件在氢气炉中的焊接工艺。介绍了设备的结构特点、电控特点及达到的技术指标。设备的研究提升了大型无氧铜构件的一次性焊接成型的稳定性及工艺性,达到了工艺要求的效果。     

红外探测器薄壳杜瓦组件的瞬态钎焊热场分析

制冷型红外探测器是航天领域广泛应用的重要电子器件,主要由半导体芯片、杜瓦组件、制冷器等部件构成.其中薄壳杜瓦组件用于创造探测器内部的真空隔热环境,从而维持器件的低温工作.薄壳杜瓦组件是通过真空钎焊的方式加工生产的,设计合理的钎焊热场可预防零件形变、提高加工一致性,从而提升器件良率.对于机械强度较差的薄壳类零件,除稳态热...     

激光填丝钎焊温度场数值模拟仿真研究

为提高车身顶板和侧板之间激光填丝钎焊的质量,研究钎焊热传导规律,建立了镀锌钢板卷边对接模型、CuSi3为钎料进行数值模拟仿真分析,考虑材料热物理属性、相变潜热以及热对流等问题的前提下采用双椭球激光热源模型进行热分析.探究了激光填丝钎焊温度随时间的变化规律,不同区域对温度的敏感程度以及不同功率下焊接熔池的温度场分布,为激...     

SMT激光低温钎焊接合部热过程的数值模型

本文在实验与分析的基础上,建立了表面组装激光低温钎焊接合部温度场数值计算模型,考虑了钎料的热物理性质变化、激光的实际能量分布和在钎焊材料表面的反射损失以及表面散热对热过程的影响,试验验证了该模型的正确性。     

激光全息检测印刷电路板钎焊缺陷

根据两次曝光法检测加载前后焊点的应变情况,提出一种高性能的钎焊质量检测方法,提高电子产品的可靠性和稳定性.     

梯度温度气体介质的热辐射传递特性研究

高速导弹光学窗口外存在激波层,为高度不均匀的梯度温度气体介质,针对其中的热辐射传递开展一种有效数值求解方法研究.基于离散传递法的思想,利用光线传输模型寻找导引头探测口径内的视线路径,推衍出激波层的热辐射强度计算模型,并研究此模型所得激波层热辐射噪声与来流参数之间的关系,给出经验公式,结果表明,对于3 ～8 μm红外波段...     

波导阵列天线钎焊夹具热分析与优化

某一维相扫裂缝波导阵列天线由多组铝合金波导组件组成。其结构复杂,尺寸及形状精度要求高。铝合金裂缝波导组件是该天线主要的结构部件,需要进行矫形和折弯、精密数控加工等工艺。然后纽装焊接成形。在该组件的焊接过程中如何控制焊接热变形。是保证其尺寸及形状精度关键。本文通过对铝合金裂缝波导组件及其整体钎焊定位夹具在钎焊时热变形的有限元仿真分析和优化的探讨．提出了可有效控制波导组件尺寸及形状精度的铝钎焊夹具的设计和热分析方法。     

钎焊技术在大型发电机制造中的应用研究

作为一种制造技术,钎焊技术在大型发电机制造中的应用非常广泛,特别是在不断增大的电机容量以及不断更新的产品结构条件下,应用钎焊技术能够更好地满足大型发电机制造的高要求.文章以大型发电机制造过程中应用钎焊技术为中心,研究钎焊技术的实际应用要点.     

红外成像光学系统近场辐射噪声建模与仿真分析

在红外探测系统中,当目标信号比较弱时,少量的杂散光引起的噪声就会大大降低系统的输出信噪比,从而降低系统的探测能力。对于高灵敏红外成像探测系统和低冷辐射环境模拟系统,系统自身热辐射将成为杂光的最大来源。文中分析说明了系统自身热辐射杂光的确定性和近场性,提出了一种新的基于光线光学的计算模型,讨论了计算模型中的一些关键问题和解决方法,并编程实现了对近场物体杂散辐射的精确数值模拟与仿真。得到了杂光在探测器上的辐照度分布图,并分析了温度、物距和辐射系数等参数对系统杂光水平的影响。对如何合理高效地降低系统自身热辐射噪声具有指导意义。     

光纤固定软钎焊焊点的三维形态模拟

本文在建立光纤固定软钎焊焊点模型及能量边界条件的基础上,利用有限元方法对焊点三维形态进行数值模拟并分析材料及结构等参数对焊点形态的影响规律.基于能量最小原理并利用形态模拟数据,得出钎料量及焊盘尺寸对光纤与焊盘间隙高度的影响规律,以及光纤横向偏移量对回复力的影响规律.研究结果表明:针对一定的焊盘相对尺寸,当钎料量大于临界值,最小间隙高度随着钎料量的增加而成线性增加;光纤横向偏移量小于一定值时,回复力随着偏移量的增加成线性增加.研究结果对于通过调整结构及工艺参数来控制光纤对准偏移具有指导意义.     

避免可伐材料在真空灭弧室钎焊时开裂的措施探析

4J33可伐材料也称铁-镍-钴合金,由于其具有与无氧铜、陶瓷材料等相近的热膨胀系数,并具有良好的真空钎焊性能,故在真空灭弧室的结构设计中多被采用,但在用银铜焊料对可伐材料进行钎焊封接时经常会发生无法修补的可伐开裂现象,直接给应用者造成损失。针对这一现象做了一系列的试验,并结合相关的理论知识对此现象进行了详细的分析,从结构设计与工艺控制角度来探寻适宜可行的解决方法。     

无磁蒙乃尔材料漏气原因分析

微波真空电子器件广泛应用于雷达、卫星通信、电子加速器等方面。蒙乃尔材料也称镍一铜合金,其常被应用于微波真空电子器件,其性能好坏将直接影响微波源的可靠性和寿命。但在用银铜焊料对蒙乃尔材料进行钎焊封接时经常会发生漏气现象,直接给应用者造成损失。针对这一现象做了一系列的试验,并结合相关的理论知识对此现象进行了详细的分析,从工艺控制角度来探寻适宜可行的解决方法。介绍了在封接工艺中蒙乃尔材料合金退火的重要性及目的,并分析得出了蒙乃尔材料合金退火的温度及气氛。     

地源热泵垂直埋管周围土壤温度场数值模拟及分析

概述了地源热泵技术,对影响埋管换热器的最主要因素——埋管周围土壤温度场进行了研究,采用了建立传热模型并借助FLUENT软件进行数值模拟的方法,对垂直U型埋管换热器周围土壤温度场的特性进行了研究,分析了不同管井水平间距、系统冬夏季不同的运行天数、热泵系统长期和短期运行、不同埋管类型等不同工况对埋管换热器周围土壤温度场的影响,以提供冬、夏季节的运行时间分配和管井水平间距等方面的基础数据,从而为垂直埋管换热器的设计提供参考。     

Thermal Characteristics of Optoelectronic Modules with DIP and BGA Package

In order to meet the electrical and thermal performance requirements of current high performance optoelectronics, two package types with dual-in-line package（DIP） and ball grid array（BGA） for optoelectronics are modeled and thermally simulated, their thermal characterizations are compared and discussed by using the temperature contours and the simulated heating characterization curves in free air and forced air ambient. The results show that BGA has superior inside and outside total performances, and has the promising future in the highly integrated optoelectronics.     

空间目标温度特性分析及仿真

红外辐射探测是空间目标探测的重要手段之一,而空间目标的外表面温度是研究其红外辐射特性所需的一个重要参数.利用STK软件的输出数据,分析并仿真了不同轨道倾角和高度卫星的太阳帆板和本体外表面的温度特性.该研究结果对空间目标的红外探测具有比较重要的参考价值.     

多晶硅锭定向凝固过程的数值模拟

研究了多晶硅锭定向凝固过程中晶体和熔体中的温度分布、固液界面的温度场,并对定向凝固过程进行了数值模拟,对热场对多晶硅晶体生长的影响进行了系统的理论分析和试验验证。     

夏季气流组织对办公室温度场影响

利用Airpak软件模拟研究了夏季不同气流组织下办公室内的温度场.通过对无通风、自然通风及两种不同的机械通风进行模拟,得到了各个工况下的速度矢量图、温度场及PMV.对比分析不同气流组织温度场分布原因,并得到了4种气流组织温度场的特点.研究结果表明,通风可以明显改变房间温度场,机械通风房间温度场更均匀,其中,上送下回的能...     

脉冲激光钼表面氮化处理温度场的数值模拟

本文用有限差分法对金属钼表面脉冲激光生成氮化钼薄膜过程的温度场进行了三维数值模拟计算,计算模型在能量平衡方程的基础上,将入射的脉冲激光在时间与空间上的分布以Gauss分布考虑,同时考虑工件尺寸、工件材料热物理性质及对流辐射造成的表面热损失等对温度场的影响,此外还从理论上计算了激光脉冲在脉冲宽度加宽后的温度场变化,分析了利用长脉冲激光进行材料表面相变硬化和激光重熔的可行性。     

BJMOSFET温度特性分析及计算机模拟

对兼有双极型和场效应型两种器件特点的双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的电流和阈值电压的温度特性进行了详细分析．推导出它们随温度变化率的解析表达式。建立BJMOSFET的直流小信号模拟分析等效电路和频率特性模拟分析等效电路,采用通用电路仿真软件PSpice9,对BJMOSFET的输出特性、瞬态特性和幅频特性随温度的变化进行了计算机模拟,得到了随温度变化的特性曲线,并且理论分析与计算机模拟取得了一致的结果。相对传统MOSFET,证明了BJMOSFET具有较好的温度特性。     

热功率信号下芯片温度动态响应及热特性分析

针对电子元件在瞬态传热中的热惯性问题,对芯片在热功率信号作用下的温度动态响应特性进行识别。根据芯片温度对芯片发热功率的阶跃响应曲线,求得芯片上关键点的传递函数;根据芯片温度的方波响应曲线和正弦响应曲线,重点对热功率信号给芯片造成的温度冲击与信号周期之间的关系进行分析。该研究对提高电子元件抵抗热冲击和热疲劳的能力具有指导意义。