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1.
THEMACQMCALCULATIONOFTHETOTALENERGYCURVEFORTHEICOSAHEDRALCENTRALSTRUCTUREOFTHECLUSTERH-13ZhangJianping*LiPingGouQingquanInst...  相似文献   

2.
选用类氧原子波函数,在单中心球模型近似下,利用变分法计算了H7^-团簇正八面体中心结构的能量曲线。结果表明,当中心H原子核能顶角H原子核之间的距离R=1.58a0时,体系能量有一极小值-4.0899453h.a.u.。这表明H7的正八面体中心结构是可能稳定存在的。计算结果与用MACQM法计算的结果基本相符,表明提出的物理模型及其计算方法是合理的。  相似文献   

3.
H_5~-团簇正四面体中心结构与能量的变分计算   总被引:2,自引:0,他引:2  
选用类C原子波函数,在单中心球模型近似下,利用变分法计算了H-5团簇正四面体中心结构与能量。结果表明当中心H原子核到顶角H原子核之间的距离R=1.58a0时,体系能量有一极小值-2.8036h.a.u.。这表明H-5的正四面体中心结构是可能稳定存在的。计算结果与用MACQM法计算的结果基本相符,表明采用的物理模型及其计算方法是合理可靠的。  相似文献   

4.
利用二次量子化方法研究了由相同面心立方结构(100)材料构成的铁磁性双层薄膜,重点讨论了铁磁性界面交换作用(JAB>0)和反铁磁性界面交换作用(JAB<0)对体系二维布里渊区能带结构的影响.结果表明,当界面交换作用大于体交换作用时,在体模上方出现光学型界面模;当界面交换作用小于体交换作用时,在体模下方出现声学型界面模.特别的是,当铁磁性界面交换作用大小在零与体交换作用之间时,在面心立方结构中同样能出现声学型界面模,这与简立方结构有明显区别.并且讨论了不同界面交换作用时宇称对界面模的影响.  相似文献   

5.
H4^+团簇离子两种结构的能量曲线计算   总被引:4,自引:2,他引:2  
此文认为在一定的条件下,H4^+团簇可能由一个氢核与三个氢原子相互作用而形成对称性较高的平面正三角形中心结构或正四面体结构。用MACQM方法,本文计算了这两种构型的能量曲线。结果表明:平面正三角形中心结构在中心原子核与顶角原子核间距离为2.19a0时,体系出现能量极小值-1.6484a.u.;正四面体结构在核间距为1.92a0时,体系有一能量极小值-1.7777a.u.。这说明H4^+的这两种结构  相似文献   

6.
H^—5的正四面体中心和正方形中心构型能量的理论计算   总被引:1,自引:1,他引:1  
文中用MACQM(modifiedarangementchannelquantummechanics)方法计算了负离子团簇H-5的正四面体中心和正方形中心构型的能量随中心原子核到顶角原子核间距离R变化的曲线。计算得知,两种构型均在R=1.55a0时有能量极小值E正四面体中心=-2.7899a.u.,E正方形中心=-2.7539a.u.。说明H-5的这两种结构都可能存在,但正四面体中心结构较为稳定。  相似文献   

7.
InGaAs(S)/InP应变量子阱能带计算和有源区材料的选择   总被引:3,自引:1,他引:2  
刘宝林  刘式墉 《光子学报》1993,22(2):114-120
本文利用K·P能带理论和形变势模型计算了应变对量子阱结构能带及能级的影响,提出了在压缩应变情况下,当固定发射波长时,利用InGaAsP做阱材料可对应变大小和阱宽进行独立控制,克服了应变较大时InGaAs阱材料阱宽较窄的困难。在伸张应变情况下,利用InGaAs做有源区较为合适。  相似文献   

8.
本文介绍了近期用能量耗散方法探索液态物质结构及其动力学行为的新进展。其中液态物质包括了金属及其合金的熔融态,以及高分子聚合物的溶液和熔融态。该方向的研究工作虽才开始,但已显示出能量耗散技术的广阔应用前景。  相似文献   

9.
四种材料构成的超晶格能带结构的研究   总被引:4,自引:4,他引:0  
田园  彭宇恒 《光子学报》1997,26(7):599-603
本文对由AIAs,AIyGl-yAs、AIxGal-xAs和GaAs四种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究.通过改变材料组分和层厚,发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时,对应的自旋向上和自徒向下的子带产生劈裂,而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方.  相似文献   

10.
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