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电子束蒸发法制备ZrO2薄膜的相变模型分析 总被引:1,自引:0,他引:1
用电子束蒸发方法制备了纯的ZrO2薄膜和含Y2O3摩尔分数为7%和13%的ZrO2薄膜,即YSZ薄膜,通过测定薄膜的损伤阈值来验证温度诱导相变模型;并用X射线衍射(XRD)来测定ZrO2和YSZ镀膜材料和薄膜的结构特征。结果表明:ZrO2镀膜材料和薄膜室温下都表现为单斜相,YSZ镀膜材料和薄膜室温下都以立方相存在;YSZ薄膜的损伤阈值远高于ZrO2薄膜的损伤阈值,这是因为添加Y2O3后的YSZ材料的相比较稳定,在蒸发过程中不会发生相变,而ZrO2材料则发生相变,产生缺陷,缺陷在激光作用下成为吸收中心和初始破坏点,导致ZrO2薄膜的损伤阈值降低。 相似文献
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利用脉冲激光沉积技术在c-Al2O3单晶基片上制备了Bi2Sr2Co2Oy热电薄膜并研究了沉积温度和氧压对薄膜晶体结构及电输运性能的影响.在最佳沉积条件下制备的单相、c轴取向的Bi2Sr2Co2Oy薄膜的室温电阻率ρ和塞贝克系数S分别为2.9mΩ/cm和110μupV/K,其功率因子S2/ρ好于在单晶样品上得到的值.此外,该薄膜在低温下表现出较强的负磁阻效应,在2K,9T时达到了40%. 相似文献
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在室温及不同的氧氩比条件下,采用射频磁控溅射Ag层和直流磁控溅射SnO2层,在载玻片衬底上制备出了SnO2/Ag/SnO2多层薄膜.用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪和紫外-可见-近红外光谱仪等表征了薄膜的电学性质和光学性质.实验结果表明:当氧氩比为1:14时,所制得的薄膜的光电性质优良指数最大,为1.69×10-2 Ω-1;此时,薄膜的电阻率为9.8×10-5 Ω·cm,方电阻为9.68 Ω/sq,在400~800 nm可见光区的平均光学透射率达85%;并且,在氧氩比为1:14时,利用射频磁控溅射Ag层和直流磁控溅射SnO2层在PET柔性衬底上制备出了光电性质优良的柔性透明导电膜,其在可见光区的平均光学透过率达85%以上,电阻率为1.22×10-4 Ωcm,方电阻为12.05 Ω/sq. 相似文献
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用脉冲激光沉积(PLD)的方法在硅单晶基片上制备了Ti90Cr10和Co80Cr20/Ti90Cr10薄膜,用XRD研究了Ti90Cr10薄膜的晶体结构与制备温度的关系,结果表明随着温度升高,薄膜从非晶态逐步向晶态转化,并且计算了Ti90Cr10薄膜的晶粒大小以及晶格常数. 利用透射电镜对Ti90Cr10薄膜进行了表面和截面形貌的表征. 采用纳米压痕仪对Ti90Cr10薄膜的硬度和膜基界面结合力进行了分析,表明薄膜的硬度和膜基结合力随制备条件改变有所变化,制备温度增加,薄膜的硬度和膜基结合力随之增加. 利用Ti90Cr10薄膜作为中间层,用PLD制备了Co80Cr20磁性层,获得了很好的垂直磁化性质,膜厚减小,矫顽力和矩形比有所增加,600℃真空条件下制备的Co80Cr20(8 nm)/Ti90Cr10(14 nm)薄膜的矫顽力为65.25 kA/m,矩形比为0.86,并且讨论了Co80Cr20/Ti90Cr10薄膜的磁化性质. 相似文献
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本文通过简单的溶剂热法制备了g-C3N4与高比表面积的TiO2复合材料,该方法操作简单且能耗低. 甲基橙降解实验结果表明,高比表面积的TiO2有效提高了光催化活性. 光电化学测试结果表明,与g-C3N4复合后,TiO2的电荷载流子迁移速率得到明显改善. g-C3N4/高比表面积-TiO2的光催化活性很强,在100分钟内,6%-g-C3N4/高比表面积-TiO2对甲基橙的降解程度可达92.44%. 6%-g-C3N4/高比表面积-TiO2不仅具有良好的光催化降解性能,还具有较高的稳定性. 本文对6%-g-C3N4/高比表面积-TiO2的光催化机理也进行了系统的研究. 相似文献
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光催化降解有机污染物由于其具有低能耗和绿色环保的特点,已经成为研究的热点. 氧化铋纳米晶体的带隙在2.0∽2.8 eV之间,利用它催化可见光降解有机污染物具有较高的活性,从而引起了越来越多的关注. 尽管近年来已经开发了几种制备Bi2O3基半导体材料的方法,但是仍然难以用简单的方法大规模地制备高活性的Bi2O3催化剂. 因此,开发简单可行的大规模制备Bi2O3纳米晶体的方法对于工业废水处理的潜在应用具有重要意义. 本文通过蚀刻商用BiSn粉末,然后进行热处理,成功地大规模制备了多孔Bi2O3. 获得的多孔Bi2O3在亚甲基蓝(MB)的光催化降解中表现出优异的活性和稳定性. 对该机理的进一步研究表明,多孔Bi2O3合适的能带结构允许生成活性氧物种,例如O2-·和·OH,可有效降解MB. 相似文献
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Two-layer ZrO2/SiO2 and SiO2/ZrO2 films were deposited on K9 glass substrates by sol–gel dip coating method. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) technique was used to investigate the diffusion of ZrO2/SiO2 and SiO2/ZrO2 films. To explain the difference of diffusion between ZrO2/SiO2 and SiO2/ZrO2 films, porous ratio and surface morphology of monolayer SiO2 and ZrO2 films were analyzed by using ellipsometry and atomic force microscopy (AFM). We found that for the ZrO2/SiO2 films there was a diffusion layer with a certain thickness and the atomic concentrations of Si and Zr changed rapidly; for the SiO2/ZrO2 films, the atomic concentrations of Si and Zr changed relatively slowly, and the ZrO2 layer had diffused through the entire SiO2 layer. The difference of diffusion between ZrO2/SiO2 and SiO2/ZrO2 films was influenced by the microstructure of SiO2 and ZrO2. 相似文献
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Microwave characteristics of MgB2/Al2O3 superconducting thin films were investigated by coplanar resonator technique. The thin films studied have different grain sizes resulting from different growth techniques. The experimental results can be described very well by a grain-size model which combines coplanar resonator theory and Josephson junction network model. It was found that the penetration depth and surface resistance of thin films with smaller grain sizes are larger than those of thin films with larger grain sizes. 相似文献
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用时间分辨傅立叶变换红外发射光谱(TR-FTIR)和G3MP2//B3LYP/6-311G(d,p)水平的电子结构计算研究了环境化学中重要的二氯代乙烯自由基C2HCl2和O2分子的基元反应通道和机理. 通过0.5 cm-1高分辨的TR-FTIR发射光谱观察到三种振动激发态产物CO2、CO和HCl,由光谱拟合得到CO和HCl的振动态分布,结合电子结构计算的反应势能曲线,提出反应机理和能量上最可能的反 相似文献
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In this paper, the crystallization behaviour of amorphous Ge2Sb2Te5 thin films is investigated using differential scanning calorimetry), x-ray diffraction and optical transmissivity measurements. It is indicated that only the amorphous phase to face-centred-cubic phase transformation occurs during laser annealing of the normal phase-change structure, which is a benefit for raising the phase-change optical disk's carrier-to-noise ratio (CNR). For amorphous Ge2Sb2Te5 thin films, the crystallization temperature is about 200℃ and the melting temperature is 546.87℃. The activation energy for the crystallization, Ea, is 2.25eV. The crystallization dynamics for Ge2Sb2Te5 thin films obeys the law of nucleation and growth reaction. The sputtered Ge2Sb2Te5 films were initialized by an initializer unit. The initialization conditions have a great effect on the reflectivity contrast of the Ge2Sb2Te5 phase-change optical disk. 相似文献
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近年来光催化固氮引起了广泛的关注,其代表了将N2有效转化为NH3的“绿色工业”的可持续发展路线,如何有效合理地设计这方面的光催化剂仍然是本领域地一个挑战. 本文提出了一种策略,即在高浓度掺杂的TiOsub>2中利用等离激元热电子来激活惰性Nsub>2分子. 成功合成的Mo掺杂TiOsub>2催化剂在常温常压条件下显示出高达134 μmol·g-1·h-1的NH3催化效率,这与传统的等离激元贵金属所实现的催化效率相当. 通过超快光谱技术,发现该体系中的等离激元热电子激活了N2分子,从而提高了TiO2的催化活性. 本文为基于等离激元半导体的光催化固氮反应开辟了一条新的途径. 相似文献
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采用Gaussian 98程序,运用B3LYP方法,对Pd和Pb原子采用收缩价基组LANL2DZ,对Pb2和PdPb2分子的微观结构进行了理论计算. 由于Pb2分子离解后一个Pb原子处于基态,另一个Pb原子处于激发态,采用最小二乘法拟合Pb2分子的势能函数,选用的函数形式为Murrell-Sorbie势能函数加上开关函数. 使用多体展式理论导出了势函数中的参数进而给出PdPb2分子基态势函数的解析表达式,其势能面准确地复现了PdPb2分子的两个稳定构型(C2V和C∞v)及其能量关系.
关键词:
2')" href="#">Pb2
2')" href="#">PdPb2
势能函数 相似文献
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Thirty-nine new submillimetre laser lines in CH2F2 and twelve in CD2Cl2 have been obtained in a Fabry-Perot FIR resonator by optically pumping with a CW12C18O2 laser. The wavelength range obtained for CH2F2 is 126m to 1091m and for CD2Cl2 212m to 774m. The wavelength measurements are accurate to within 5.10–3. The relative polarisations of the pump laser and the FIR laser output were also determined. Tentative assignments of the IR and FIR transitions were made using existing microwave data. 相似文献
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使用牛津震动样品磁强计(VSM)研究了Bi2Sr2CaCu2O8单晶的磁滞回线.在20到40K温度之间发现了反常的尖锋效应,随样品O含量的增加,发生尖锋效应的外场也相应提高.可以认为在尖峰效应处发生了由涡漩物质的有序固态到无序固态的相变,在有少量点缺陷存在的BSCCO单晶相图上,Bsp线终止于20K温度处,在20K以下温区没有发生准格子到涡漩玻璃的相变,涡漩固相始终以准格子形式存在;可以认为尖峰效
关键词:
2Sr2CaCu2O8单晶')" href="#">Bi2Sr2CaCu2O8单晶
磁滞回线
尖锋效应
相变 相似文献