烃在四种典型活性炭中吸附状态随温度变化的~1H NMR和~2H NMR的研究

本文观察了吸附在四种孔结构活性炭中苯,环已烷和正已烷的~1H NMR和笊代苯的~2H NMR谱线在297～195 κ温度范围内的变化。在室温下被吸附的上述各种化合物的~1H NMR及~2H NMR谱均为一条线宽不同的单峰,且随温度下降而增宽。在~2H NMR谱中发现,当以对数表示的谱线半高宽和绝对温度倒数的直线关系上出现拐点时,同时可观察到固体粉末谱线。除2~#活性炭外,最初出现固体粉末谱的温度大致相同。这暗示粉末谱是毛细管中三维类液体固化的结果。文内就所观察到的现象进行了初步讨论。     

利用稳态汽泡式低温恒温器测量GGG:Cr~(3+)的低温荧光谱

采用新近发展起来的稳态汽泡式低温恒温器,在5- 300K 温度范围,测量了GGG:Cr~(3+)的荧光谱。在低温下观测到尖锐的R_1和R_2荧光线。随着温度的升高,R线变宽并红移。利用R_1和R_2线的荧光强度比,计算了标称温度为5.6K时的样品真实温度为7K。     

GdOBr:Eu荧光谱的高压研究

本文在室温下测量了GdOBr:Eu的常压和高压荧光谱,光谱范围在13000～21500cm-1之间,压力至12GPa.常压下,清晰可辨的荧光谱线共有43条,这些谱线由Eu3+4f6组态内5D0-2至7F0-5的跃迁产生。由荧光谱线得到26个晶场能级(Stark能级).谱线绝大部分随压力红移,少数几条谱线随压力先蓝移后红移。所有谱线的强度随压力升高而减弱。7F0-5的能级随压力的变化规律比较复杂,而5D0-5各能级均随压力的升高几乎线性地降低。     

高压下Na5Eu(WO4)4的光谱和晶场参数

四钨酸铕钠Na5Eu(WO4)4是化学计量的基质发光材料,发光来源于基质中高浓度的Eu3+.本工作用金刚石对顶砧显微高压光谱系统,在0～8GPa范围内研究了Na5Eu(WO4)4的Eu3+室温光谱,确定了各发射谱线在高压下的红移率.根据晶场理论,确定了Eu3+各能级用晶场参数表示的公式,并与高压下谱线位置实验值定出的能级值拟合,计算出晶场参数Bkq(kq=20、40、44、60、64)随压力的变化率ΔBkq/ΔP.     

高压对YVO4:Eu发光的影响

用金刚石对顶砧微型压机产生上百千巴的压力,用氩离子激光器作激发光源,测量了高压下YVO4:Eu的发光。实验结果表明,随着压力的升高,所观测到的谱线均发生红移,强度下降(5D2(A1)-7F6(B21)线除外),在大约71.7kbar时,发光光谱发生突变,有一些新的谱线产生,与此同时,原有谱线的强度急剧下降以至消失。对高压下YVO4:Eu喇曼光谱的测量表明,在相同的压力下,喇曼光谱也发生了突变。这说明,在71.7kbar时,样品发生了相变。     

等离子体效应对类氦氖Kα线系电偶极辐射的影响

采用离子球模型,通过自洽求解Boltzmann方程和Poisson方程,得到类氦氖离子Kα线系的两条电偶极辐射光谱能量随等离子体环境的漂移.结果显示,Kα线系电偶极谱线随等离子体电子密度增大发生红移,红移量与等离子体电子密度有近似的正比关系;随着等离子体电子温度的降低,光谱红移对等离子体电子密度的敏感性增大.另外,所研究的两条谱线间的能量间隔随等离子体电子密度的增大而减小,减小量随等离子体电子密度的变化也呈现出近似的线性规律.值得注意的是,类氦氖Kα线系中两条电偶极谱线分别为互组合线与共振谱线,而其能量差就是1s2p(3P1)的交换能,因此进一步发现能级中交换能将随等离子体环境变化的规律.所观察到的光谱红移和精细结构分裂在高密度等离子体中都有明显的变化,对探索高密度等离子体的诊断新方法有重要意义.     

基质发光晶体Na5Eu(MoO4)4在高压下的光谱与晶体场参数

对白钨矿型化学计量的基质发光晶体四钼酸铕钠Na₅Eu(MoO₄)₄在室温下的高压光谱用金刚石对顶砧高压显微光谱系统进行了研究。确定了Eu³⁺各发射谱线的压力红移率。按晶场理论简化方法推导了能级的晶场参数表达式,并按实验数据拟会出晶场参数随压力的移动率。还将上述结果与掺杂发光材料YVO₄:Eu的高压光谱结果作了对比。 关键词：     

Li_3VO_4-Li_4TO_4(T=Ge,Si)固溶体离子导体~7Li的NMR研究

在150—573K温度范围内,研究了固溶体Li_3VO_4-Li_4TO_4(T=Ge,Si)系统不同成分的~7Li的NMR谱。发现γ_(II)相固溶体室温~7Li的NMR线宽和自旋晶格弛豫时间T_1的值都比Li_4GeO_4,Li_4SiO_4和Li_3VO_4小约一个数量级。这表明在γ_(II)相固溶体离子导体中,Li~+离子运动有可能比固溶前有数量级增长。同时还发现~7Li的电四极分裂伴线数随成分和温度而异,以及伴线强度百分比依赖于温度。这反映γ_(II)相的不同成分中,间隙Li~+离子占有的不等价位置个数不同,而Li~+离子在每个不等价位置上的占有率又随温度而变化。     

等离子体效应对类氦氖Kα线系电偶极辐射的影响

采用离子球模型，通过自洽求解Boltzmann方程和Poisson方程，得到类氦氖离子Kα线系的两条电偶极辐射光谱能量随等离子体环境的漂移.结果显示，Kα线系电偶极谱线随等离子体电子密度增大发生红移，红移量与等离子体电子密度有近似的正比关系；随着等离子体电子温度的降低，光谱红移对等离子体电子密度的敏感性增大.另外，所研究的两条谱线间的能量间隔随等离子体电子密度的增大而减小，减小量随等离子体电子密度的变化也呈现出近似的线性规律.值得注意的是，类氦氖Kα线系中两条电偶极谱线分别为互组合线与共振谱线，而其能量差就是1s2p(³P₁)的交换能，因此进一步发现能级中交换能将随等离子体环境变化的规律.所观察到的光谱红移和精细结构分裂在高密度等离子体中都有明显的变化，对探索高密度等离子体的诊断新方法有重要意义. 关键词： 光谱漂移 交换能 等离子体 类氦离子     

Cr~(3+)和Eu~(3+)、Nd~(3+)在不同基质中荧光谱线峰值的压力移动和温度移动关系间的异常

红宝石Cr~(3+)离子的R_1荧光谱线的波长随压力作线性移动为基础的压力标是目前世界上高压光学实验中最通用的测压标准。由于许多材料的低温荧光比室温时强,因此高压光学实验常常在低温下做。     

YGG:Cr~(3+)晶体的光谱特性

本文通过实验研究了YGG:Cr~(3+)晶体的光谱特性,报道了室温下的吸收谱,10,133,300K的荧光谱,以及荧光寿命、无辐射跃迁几率、辐射量子效率与温度之间的依赖关系。从吸收谱及荧光谱中确定在C_(3i)(S_6)低对称场微扰下,Cr~(3+)离子在基质YGG中~2T_1能级分裂的子能级及基态~+A_2~2E零声子跃迁R线的位置。     

高温超导体Bi_(1.7)Pb_(0.3)Sr_2Ca_1Cu_2O_(8+δ)中的电四极相互作用研究

用微分扰动角关联(DPAC)方法测量了高 T_c 超导体 Bi_(1.7)Pb_(0.3)Sr_2Ca_1Cu_2O_(8+δ)中的电四极相互作用.由分析室温和液氮温度下的 DPAC 谱,分别得出三组单值的电四极相互作用频率,它们对应于三种处在不同电场梯度(efg)位置的 Bi~1,Bi~2和 Bi~4.由实验结果看到,Bi~1位置的(V_z~1)_z在样品由常态转变为超导态时,增加到1.5倍.在室温和液氮温度下,都看出在Bi~2位置有明显的自旋弛豫现象存在.     

Al_2O_3从CaIrO_3结构转变为U_2S_3结构的相变对其高压下光学性质的影响

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,计算了Al_2O_3晶体在高压下的光学性质.结果表明:(1)Al_2O_3从CaIrO_3结构转变为U_2S_3结构:将使得其吸收谱主峰值强度增强、副峰值强度显著减弱、主副谱峰均红移以及光谱吸收边出现巨大的红移.(2)结构相变将引起Al_2O_3折射率谱峰值强度减弱和谱峰数增加;同时,在波长为400-2000 nm的范围内,结构相变将导致Al_2O_3折射率显著增大.本文的计算结果为未来进一步的实验研究提供了参考信息.     

高压下Na5Tb(WO4)4单晶的光谱

研究了Na5Tb(WO4)4单晶的高压发光规律,化学计量的Na5Tb(WO4)4基质发光单晶的发光来源于基质中高浓度Tb3+.用金刚石对顶砧显微光谱系统在0-4GPa范围内研究了Na5Tb(WO4)4的室温高压光谱,确定了各发射谱线的高压移动率.对Tb3+的5D4→7Fj(j=0,1,2,3,4,5),测到18条谱线高压移动率中除一条(5D4→7F2,常压峰值15509cm-1)蓝移外,都红移,红移率最大为-19.5cm-1/GPa(对应谱线5D4→7F4,常压峰值16876cm-1),与Tb3+在其它基质中相比,此移动率很大.     

Nd:LuVO_4晶体的拉曼光谱研究

采用不同的几何配置测量了Nd:LuVO4晶体的室温拉曼光谱,根据群论对称性分类计算了该晶体的红外和拉曼活性振动模并与实验结果做了比较,指认了测定的特征谱线。测量并分析了Nd:LuVO4晶体A1g全对称类的高温拉曼光谱,讨论了拉曼频移随温度变化的关系,认为晶体的热膨胀是引起拉曼频移变化的主要原因。     

SiOx∶H(0＜x＜2)薄膜光致发光的退火行为研究

采用退火后处理的方法，使SiO_x∶H(0＜x＜2)形成纳米硅与二氧化硅的镶嵌结构.利用红外透射谱、Raman谱和光致发光谱，系统地研究了不同退火温度对薄膜微结构及室温光致发光谱的影响.发现发光谱均由两个Gauss线组成，其中主峰随着退火温度的升高而红移，而位于835nm的伴峰不变.指出退火前在720—610nm的波长范围内强的主峰可能来源于膜中的非晶硅原子团，随退火温度的升高主峰的红移是由于非晶硅原子团的长大.而伴峰可能来自硅过剩或氧欠缺引入的某种发光缺陷.1170℃退火后在850n 关键词：     

介质阻挡放电中亮暗点放电的谱线线形及振动温度

在氩气/空气的混合气体介质阻挡放电中,首次在高温条件下观察到亮点和暗点共存的放电,比较了中心亮点及四周暗点放电的谱线频移,并测量了它们的振动温度。实验采用氩原子ArⅠ(2P2→1S5)的发射谱线测量谱线频移,采用氮分子第二正带系(C3Πu→B3Πg)的发射谱线测量振动温度。结果表明:中心亮点放电中的ArⅠ(2P2→1S5)谱线的频移大于四周的暗点放电谱线的频移,表明前者电子密度较高;四周的暗点的放电振动温度高于中心亮点放电的振动温度。     

LiF晶体F_3~ 色心的实验研究

本文从实验上系统地研究了在不同条件下电子束辐照LiF晶体所形成的F_3~ 色心的光学特点。并且由荧光光谱分析了F_3~ 心和F_2心,的相对密度关系。实验表明,辐照温度对于色心的形成和密度的相对大小起着关键的作用。主要实验结果包括:1)在液氮温度下辐照,然后在暗处加热至室温可形成高密度的F_3~ 心,表现在发射光谱中F_3~ 心荧光占绝对优势。吸收光谱表明没有N心和R心。2)由动力学荧光谱可以看到低温辐照的样品在F_2~ 心衰变的同时,F_3~ 心密度迅速增加。而室温辐照的样品则是F_2心,与F_3~ 心的密度以近似相等的速率增加。3)详细观察了F_3~ 心530nm荧光激发带与F_2心670nm荧光激发带半宽度的变化和双峰结构。由此对M吸收区的发光特点作了解释。     

用高压显微光谱系统测量流体静压力对非晶态As_2S_3光学吸收边的影响

用金刚石对顶砧高压显微光谱系统在0—66 kbar的流体静压力范围内测量了a-As_2S_3的光学吸收达随压力的移动特性。发现a-As_2S_3的光学吸收边随压力的增加而迅速红移。在计算机上用最小二乘法对实验点进行了拟合,结果得出吸收边和压力之间的关系为:E_g(P)=E_g(0)-1.31×10~(-3)P-3.91×10~(-4)P~2 4.04×10~(-6)P~3值得注意的是|dE_g/dP|和压力之间的关系经历了一个先是增大,然后再减小以至于趋于饱和的过程。这和Weinstein等人先前的实验结果是有所不同的。     

常压辉光等离子体催化CH_4转化制C_2烃在线诊断研究

利用发射光谱原位技术对旋转电极辉光等离子体作用下CH4-H2转化反应进行诊断研究,在300~700 nm波长范围内检测到了C,CH,C2,H和H2等激发态物种的发射谱线。利用H原子发射光谱,通过Boltzmann图解法计算了等离子体的激发温度,该激发温度在6 300~6 600 K之间。同时由谱线展宽计算了电子密度,其数量级在1020m-3。