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铁基超导体是在2008年由Hosono发现的一种新型超导材料, 由于其具有上临界场高、各向异性小、临界电流密度大等优点, 在世界范围内引起了广泛关注. 以Ba1-xKxFe2As2为代表的FeAs-122系超导体具有结构简单、合成温度低、单晶容易制备等优点, 是物理学家和材料学家关注的焦点. 本工作在获得最优化掺杂的Ba1-xKxFe2As2单晶(Tc = 38.5 K)基础上, 通过分析其在不同磁场条件下电阻温度变化关系、不同温度条件下的磁滞回线等数据, 系统的研究了Ba1-xKxFe2As2单晶磁通钉扎力和磁通钉扎机理. 研究发现Ba1-xKxFe2As2超导体具有非常高的磁通钉扎势, 其中9 T的外场条件下, 其在H//c轴和H//ab面的钉扎势分别为5800 K和8100 K, 展示出良好的应用前景; 通过进一步分析发现, 其磁通钉扎机理应是由于晶格内部的小尺寸缺陷引起的电子平均自由程变化而导致的δl钉扎. 相似文献
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采用脉冲激光沉积技术,在单晶SrTiO3基底上外延生长了一系列名义结构为p×(NdBa2Cu3O7-δ(m)/YBa2Cu3O7-δ(n))的多层膜和准多层膜(单元层NdBa2Cu3O7-δ较厚而YBa2Cu3O7-δ呈非连贯的岛状分布,m,n为激光脉冲数,p为重复周期).样品的超导转变温度在87—91 K范围,具体大小取决于不同的调制结构,多层膜的重复周期越大,层状界面越多,超导转变温度就越低.磁传输测量表明,准多层的样品不仅具有较高的超导转变温度,而且具有较强的磁通钉扎性能,77K零场下的临界电流密度高达4×106 A/cm2,显示出良好的应用前景.
关键词:
2Cu3O7-δ')" href="#">NdBa2Cu3O7-δ
多层膜
磁通钉扎
临界电流密度 相似文献
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磁通钉扎性能对GdBa2Cu3O7-δ超导块材的实际应用具有重要的影响, 而引入合适的第二相粒子可以改善GdBa2Cu3O7-δ 超导块材的磁通钉扎性能.本文采用顶部籽晶熔融织构法成功地制备出纳米微粒BaFe12O19(<100 nm)掺杂的超导块材, 样品的最终组分为Gd123+ 0.4 Gd211+ x BaFe12O19 (x=0, 0.2 mol%, 0.4 mol%, 0.8 mol%)+ 10 wt%Ag2O+ 0.5 wt%Pt. 通过研究不同掺杂量的BaFe12O19微粒对GdBa2Cu3O7-δ 超导块材微观结构和超导性能的影响, 结果表明当掺杂量为0.2 mol%时, 样品的临界电流密度几乎在整个外加磁场下都有明显的提高.在零场下, 临界电流密度达到5.5× 104 A/cm2. 纳米微粒BaFe12O19不仅可以保持掺杂前的化学组成, 作为有效的钉扎中心存在于超导块材中, 并且能够改善Gd2BaCuO5粒子的分布和细化Gd2BaCuO5粒子, 使Gd2BaCuO5粒子的平均粒径由未掺杂时的1.4 μ m减小到掺杂后的0.79 μ m, 进而提高了超导块材的临界电流密度和俘获磁场, 明显提高了GdBa2Cu3O7-δ 超导块材的超导性能.临界温度TC也有所提升, 并能够维持在92.5 K左右. 该结果为进一步研究纳米磁通钉扎中心的引入并改善GdBa2Cu3O7-δ 超导块材的性能有着重要的意义. 相似文献
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利用正电子湮没实验,结合x射线衍射(XRD)结构分析,研究了具有混合稀土特征的(Y1 -xGdx)Ba2Cu3O7-δ系列样品. XRD 实验结果表明,半径较大的Gd离子Y位替代使得样品晶胞参数和晶胞体积增大,但所有样品 仍保持与YBa2Cu3O7-δ(YBCO)样品相同的单相正交结 构. 正电子湮没实验表明,正电子各寿命参数表现出很强的Gd替代依赖关系. 从正电子实验 结果出发,计算了Cu-O链区局域电子密度ne的变化. 结果表明,局域电子密度n e随Gd含量x的增加而减小,而超导转变温度Tc随局域电子密度ne的减小而增加,这种局域电子密度ne与超导电性的关联是与铜位替代 完全不同的,且可能是近年来人们关于混合稀土铜氧化物体系具有较高临界电流密度的原因 之一. 该研究结果为铜氧化物超导体的应用和机理研究提供了相应的正电子实验资料.
关键词:
超导电性
正电子湮没
相结构
局域电子密度 相似文献
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本文报道了对GdBa2Cu3O7-δ单晶正常态电阻率、超导临界温变,以及磁转变的各向异性观测结果,发现ab平面上及c轴方向的电阻率,除Tc附近由于超导涨落引起的明显偏离以外,在正常态都能很好地满足Anderson-Zou关系:ρ=A/T+BT,但两方向的A,B存在显著差异说明其输运电荷是由不同机制产生,它具有显著的二维特征;沿c轴方向的超导电性比沿ab平面的超导电性要弱,Tce⊥比Tce∥低2K;H∥ab平面时的交流屏蔽效应仅是H⊥ab平面时的76%。
关键词: 相似文献
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SmTiFex(x的数值为8—11)可形成稳定的金属间化合物,经测定,晶体结构属于ThMn12型四方结构,空间群为14/mmm,本文着重分析了Sm(TiFe)12和Gd(TiFe)12的结构和磁性。Sm(TiFe)12具有很强的单轴磁晶各向异性,易磁化方向为c轴,居里温度610K。通过对Gd(TiFe)12磁性的研究,进一步分析了在Sm(TiFe)12中Sm和Fe次晶格的各向异性,实验结果表明,Sm和Fe次晶格都具有单轴磁晶各向异性,易磁化方向皆沿c轴。这是继Nd2Fe14B型永磁体以后发现的又一种具有单轴磁晶各向异性的三元稀土-铁金属间化合物。
关键词: 相似文献
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本文中研究了从Nd14Fe78B8过渡到Nd14Fe78C8时化合物的晶体结构与内禀磁性。指出轻稀土-Fe-C化合物形成P42/mnm型四方结构的结晶学条件在于适当的热处理温度。在Nd14Fe78B8-xCx系列中,随着C含量的增加,居里温度略有减少,饱和磁化强度σs出现一个平缓的峰值变化,室温下的剩磁σr、内禀矫顽力 iHe和磁晶各向异性场Ha都明显增大。含碳样品的各向异性行为与Nd-Fe-B相似,室温下易磁化方向沿e轴,低温下易轴各向异性转变成易锥型。自旋再取向温度随C的增加逐渐降低,但1.5K下的锥角有轻微的增大,这表明在Nd和Fe次晶格的各向异性之间存在着复杂的耦合。此外,适当富Nd的Nd-Fe-C化合物有强的各向异性。
关键词: 相似文献
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采用自助熔剂缓冷法成功地生长出了Nd1.85Ce0. 15CuO4-δ单晶,其零场下零电阻温度约为21K. 在0—0.5T范围内分别测量了磁场平行和垂直样品表面的电阻转变曲线以及0.5T不同角度下的电阻转变曲线. 结果显示磁场平行和垂直样品表面时的转变温度Tp随磁场的变化均服从H=H0(1-Tp(h)/Tp(0))2关系. 0.5T
关键词:
1.85Ce0.15CuO4-δ单晶')" href="#">Nd1.85Ce0.15CuO4-δ单晶
输运性质 相似文献
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钙钛矿型锰氧化物(La$lt;sub$gt;0.8$lt;/sub$gt;Eu$lt;sub$gt;0.2$lt;/sub$gt;)$lt;sub$gt;4/3$lt;/sub$gt;Sr$lt;sub$gt;5/3$lt;/sub$gt;Mn$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;O$lt;sub$gt;7$lt;/sub$gt;的磁性和电性研究 下载免费PDF全文
采用传统固相反应法制备钙钛矿型锰氧化物 (La0.8Eu0.2)4/3Sr5/3Mn2O7多晶样品, X-射线衍射分析表明, 样品(La0.8Eu0.2)4/3Sr5/3Mn2O7结构呈现良好的单相. 通过磁化强度随温度的变化曲线(M-T)、不同温度下磁化强度随磁场的变化曲线(M-H)和电子自旋共振谱发现: 在300 K以下, 随着温度的降低, 样品先后经历了二维短程铁磁有序转变 (TC2D ≈ 282 K)、三维长程铁磁有序转变(TC3D ≈ 259 K)、奈尔转变(TN ≈ 208K)和电荷有序转变(TCO ≈ 35 K); 样品 (La0.8Eu0.2)4/3Sr5/3Mn2O7在TN以下, 主要处于反铁磁态; 在TC3D达到370 K时, 样品处于铁磁-顺磁共存态, 在370 K以上时样品进入顺磁态. 此外, 分析电阻率随温度的变化曲线(ρ-T)得到: 样品在金属-绝缘转变温度(TP ≈ 80 K)附近出现最大磁电阻值, 其位置远离TC3D, 表现出非本征磁电阻现象, 其磁电阻值约为61%. 在TCO以下, 电阻率出现明显增长, 这是由于温度下降使原本在高温部分巡游的eg电子开始自发局域化增强所致. 通过对 (La0.8Eu0.2)4/3Sr5/3Mn2O7的ρ-T 曲线拟合, 发现样品在高温部分的导电方式基本遵循小极化子的导电方式.
关键词:
磁性
电性
金属-绝缘转变温度
电子自旋共振 相似文献