Ba-La-Cu-O体系的金属-半导体转变和超导电性

测量了名义组分为 BaxLa_(5-x)Cu_5O_(5(3-y))(x=0,0.25,0.5,1.0,1.25,1.5; y>0)的系列样品电阻-温度关系。发现:对x=0的二元氧化物,其电子输运呈典型的半导体特征;随着Ba的掺入以及含Ba量的增加,系统经历了半导体-半金属-金属(超导体)转变,并且其超导临界温度Tc也单调地升高。根据Mattheiss及Freeman等人的能带计算结果,在电声子强耦合的框架里对上述现象作了定性的解释。本文作者认为:二价Ba的掺入抑制了晶格的不稳定性,稳定了超导相。     

金属氢高温超导电性

本文利用晶体的平均电子半径r_s、离子质量M和声速v_j等较少参量表示Z价金属的有效声子谱α²F(ω)、电声子耦合常数λ和谱面积λ/2〈ω〉,并用Dynes的T_c公式,求得了金属氢、铅和铌的超导临界温度。计算表明,在零压下金属氢的λ=2.55,T_c=162K。 关键词：     

金属-半导体接触效应

一、研究的意义和历史金属－半导体接触效应的研究,无论从半导体器件的研制和生产,或是界面物理学的发展来说,都是一个相当重要的基本课题．最早的点接触整流器、光电探测器,第一只晶体管的注入极和集电极,都是直接和金属－半导体的点接触效应相关的．人们为了解这个效应的物理机制,也是首先从这里考虑表面态的作用．当对这个效应详细的物理机制还不清楚的时候,要稳定和提高这类器件的性能就缺乏明确的指导．pｎ结型器件....     

金属-半导体界面与肖特基势垒

本文主要评述关于肖特基势垒、半导体表面态和金属-半导体界面的实验研究和近年来的进展。第一部分介绍肖特基势垒的基本理论,实验方法和测量结果。第二部分介绍半导体表面态的实验研究,主要是用光电子能谱获得的成果。第三部分介绍近年来关于肖特基势垒和金属-半导体界面的一些研究进展。文中着重介绍美Stanford大学Spicer研究组的一系列贡献。     

金属-半导体界面与肖特基势垒

本文主要评述关于肖特基势垒、半导体表面态和金属-半导体界面的实验研究和近年来的进展。第一部分介绍肖特基势垒的基本理论,实验方法和测量结果。第二部分介绍半导体表面态的实验研究,主要是用光电子能谱获得的成果。第三部分介绍近年来关于肖特基势垒和金属-半导体界面的一些研究进展。文中着重介绍美Stanford大学Spicer研究组的一系列贡献。     

Ba-Y-Cu-O体系的超微粉末法合成及其超导电性

本文报道用化学法合成Ba-Y-Cu-O体系超微粉末。将Ba(NO_3)_2、Cu(NO_3)_2·3H_2O和Y(NO_3)_3溶液按一定配比混合后.用KOH使之沉淀为氢氧化物。再在低温下让其连续反应生成复合氧化物。由X射线衍射和电镜分析结果表明,所得复合氧化物粒度约为100A。将其制成超导体,获得了T_c(ρ=0)=90.5K。与陶瓷法相比,用超微粉末法制备超导体具有装备简单,操作方便,产量大、速度快等优点,是一种可能有前途的方法。     

金属微粒-半导体薄膜中小胶粒的光吸收和散射

金属微粒-半导体薄膜具有特殊的电学、光学及光电特性。本文讨论了埋藏于半导体基体中金属小胶粒光吸收和光散射公式。这些胶粉可以是球形,也可以是长球或扁球形。本文以银胶粒-氧化铯半导体为例,讨论了胶粒大小、椭球的偏心率对相对光吸收系数和光散射系数的影响,并给出这些系数随波长改变的曲线。 关键词：     

La-Sr-Cu-O体系的半导体-金属转变和超导电性

制备了名义组分为La_(5-x)Sr_xCu_5O_3(3-y)(x=0.5,0.75,1.0.1.25,1.5)的多晶样品,测量了5—150K的电阻温度关系,并选择部分样品做了光电子能谱分析。结果发现,在相同的制备条件下,随组分的变化,该系统经历了超导体-半导体-金属(超导体)转变。通过与BaPb_(1-xBi_xO_3)系统类比对结果进行了计论。     

金属-氧化物-半导体场效应管辐射效应模型研究

基于氧化层陷阱电荷以及界面陷阱电荷的产生动力学以及辐射应力损伤的微观机理,推导出了金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)中辐射应力引起的氧化层陷阱电荷、界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量之间定量关系的模型. 根据模型可以得到:低剂量情况下,氧化层陷阱电荷与界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量成正比;高剂量情况下,氧化层陷阱电荷导致的阈值电压漂移量发生饱和, 其峰值与辐射剂量无关,界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量呈指数关系. 另外,模型还表明氧化层陷阱电荷与界面陷阱电荷在不同的辐射剂量点开始产生饱和现象, 其中界面陷阱电荷先于氧化层陷阱电荷产生饱和现象.最后,用实验验证了该模型的正确性. 该模型可以较为准确地预测辐射应力作用下MOSFET的退化情况.     

吸收增强的光栅型金属-半导体-金属光电探测器的优化设计

针对可见光通信对硅基光电探测器高响应度的要求,本文利用亚波长金属光栅的异常光学透射现象,提出一种增强与硅基CMOS工艺兼容的金属-半导体-金属光电探测器吸收的方法。采用时域有限差分法,详细分析了光栅周期、光栅高度和狭缝宽度对探测器吸收性能的影响,证明了类法布里-珀罗共振和表面等离子体激元是吸收增强的物理起源。对于波长615 nm的红光通信而言,探测器金属光栅的最佳周期、最佳高度和最佳狭缝宽度分别为580,91,360 nm。与没有亚波长金属光栅结构的探测器相比,本文设计的探测器吸收系数提高了32%。本文研究的MSM探测器结构与CMOS工艺完全兼容,有望在可见光通信芯片中得到实际应用。     

单壁碳纳米管中的金属-半导体转变与对称性

报道了最近作者对受压扶手椅形单壁碳纳米管中的金属-半导体转变机理的理论研究。这种转变在两种因素的共同作用下得以发生，即外加压力造成碳纳米管镜像对称破缺，以及被压碳纳米管两侧原子发生成键相互作用．作者还进一步揭示了发生这种转变的普遍机制：只要将单壁碳纳米管中两套原来等价的子晶格变得可以区分(对称性破缺)，在费米能附近就会产生能隙．     

拓扑半金属-超导体异质结的约瑟夫森效应

拓扑半金属是一类受对称性保护的无能隙量子材料.因其相对论性能带色散关系,拓扑半金属中涌现出丰富的量子态和量子效应,例如费米弧表面态和手征反常.近年来,因在拓扑量子计算的潜在应用,拓扑与超导的耦合体系受到广泛关注.本文从两方面回顾拓扑半金属-超导体异质结体系近年来的实验进展:1)超导电流对拓扑量子态的模式过滤; 2)拓扑超导和Majorana零能模的探测与调控.对于前者,利用约瑟夫森电流对电磁场的响应,拓扑半金属中费米弧表面态的弹道输运被揭示,高阶拓扑半金属相被证实,有限动量配对及超导二极管效应被实现.对于后者,通过交流约瑟夫森效应,狄拉克半金属中4π周期的拓扑超导态被发现,纯电学栅压调控的拓扑相变被实现.本文最后展望了拓扑半金属-超导体异质结体系的发展前景和在Majorana零能模编织和拓扑量子计算上的潜在应用.     

目前金属-半导体肖特基势垒形成机理的新进展

关于金属一半导体接触问题,在一百多年前布朗（Braun）首先发现硫化铜和硫化铁之类的金属和半导体接触时的单向导电性．虽然当时人们对单向导电性的机理并不了解,但是这种接触还是很快地广泛用作无线电的探测器．为了说明这个单向导电性的机理,1938年肖特基（Schottky）和莫特（Mott）各自独立地提出过关于电子通过正常的漂移和扩散过程越过势垒的问题．按两位学者的模型,势垒的出现是由金属和半导体之间的功函数之....     

金属超微粒子-半导体薄膜的光学瞬态响应

利用飞秒脉冲激光和泵浦 探测技术测量了金属超微粒子 半导体复合薄膜Ａｇ-ＢａＯ的瞬态光学透过率随延迟时间的变化曲线，观察到了薄膜对光的吸收漂白现象，并在不到２ｐｓ时间内恢复．该现象是薄膜中金属超微粒子内费密能级附近电子被飞秒激光脉冲激发，产生非平衡电子而经历瞬态弛豫造成的．弛豫主要包括非平衡电子越过超微粒子和周围介质的界面位垒进入周围介质，以及非平衡电子同晶格和界面的散射两种过程．超微粒子粒径的差别会引起非平衡电子弛豫时间的差别 关键词：     

硅基双势垒金属-绝缘层-金属-绝缘层-半导体隧道发光结

讨论了硅基双势垒金属－绝缘层－金属－绝缘层－半导体（MIMIS）隧道发光结的结构、制备方法及发光特性。所制备的样品最大发光亮度达到1．9cd/m^2、光谱的峰值波长移到了蓝绿光区，表明双势垒MIMIS隧道发光结的性能优于单势垒金属－绝缘层－半导体（MIS）隧道发光结。利用量子力学的共振隧穿效应对它作了较好的解释。     

SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型

针对4H-SiC射频大功率MESFET，建立了一个解析的陷阱效应模型，该模型采用简化参数描述方法，并结合自热效应分析，从理论上完善了SiC MESFET大信号直流I-V特性的解析模型，且避免了数值方法模拟陷阱效应的巨大计算量. 关键词： 碳化硅 陷阱效应 金属-半导体场效应晶体管 深能级陷阱 界面态     

金属-半导体比接触电阻的圆环结构测试法

本文中提出了一种测量金属-半导体欧姆接触比接触电阻的新方法-圆环结构测试法。导出了适用于半无限大和有一定厚度的半导体材料的比接触电阻表达式,用此方法进行实验测量和计算,所得结果与文献结果符合得很好。 关键词：     

金属-绝缘体-半导体(MIS)太阳电池原理简介

ＭＩＳ太阳电池由金属－半导体结构成,利用金属－半导体结的肖特基势垒（ＳＢ）产生内场来分离光生载流子．它和ｐ－ｎ结太阳电池相比,有如下一些优点：（１）制结快速、容易,不需高温．同时,因为是表面结,所需基片较薄,所以材料及能量消耗均较少．（２）在电池作用区避免了高温扩散引起的晶格损伤和少子寿命退化,减小了体区载流子复合．（３）延长到硅表面的电场,有助于收集短波光生少子,避免了多数ｐ－ｎ结太阳电池?...     

低温凝聚InSb膜的相变和超导电性

本文研究了低温凝聚InSb膜的相变和超导电性,获得了以下新的实验结果:(1)第一次电导跃变是自发的,与InSb凝聚温度无关;(2)第二次跃变发生并达到峰值后,退火温度进一步升高,电导迅速减小,并伴随着结晶半导体相的形成。但实验证明它是一个亚稳结晶相,当退火温度再升高时,发生第三次跃变,形成的相也是一个金属相,但直到1.5K未出现超导电性;(3)第一次电导跃变后形成的金属相是超导的,其Tc随底板温度不同而不同。 关键词：     

金属-半导体超晶格中界面电荷的生成机理

采用LMTO ASA能带计算方法，研究(Si₂)₃ (2Al) ₆ (001),(Ge₂)₃ (2Al) ₆ (001),(Ge₂)₃ (2Au) ₆ (001)和(Ge₂)₃ (2Ag) ₆ (001)超晶格中半导体界面电荷Qss的生成机理，结 关键词： Schottky势垒 界面电荷