基于流动聚焦微流控芯片的液晶微滴制备及传感响应分析

针对限制液晶微滴生物传感响应性能的微滴尺寸不均一的问题,设计了流动聚焦微流控芯片结构,系统研究了单分散液晶微滴光学探针的制备方法及传感响应特性。以向列型液晶为分散相,十二烷基硫酸钠/聚乙烯醇混合液为连续相,通过控制流动聚焦时两相流速来调节影响液晶微滴生成的不同流动模式。测试并分析了两相流速、连续相粘度、孔口宽度等参数对液晶微滴尺寸的影响及其内在机制。利用不同尺寸的液晶微滴为传感探针,检测并分析了肝肠疾病的潜在标志物脱氧胆酸。结果表明,当液晶微滴尺寸从38μm增加到77μm时,脱氧胆酸的检出限从(383䥺SymbolqB@23.6)μmol/L降低到(140䥺SymbolqB@14.1)μmol/L。     

溶出伏安法中玻碳镀汞电极表面的汞膜状态

本文对不同条件下形成的汞D$的形成过程丶汞膜形态与其形成条件的关系以及对溶出峰的影响.结果表明: 玻碳表面的汞膜是由视直径小于10μm, 的微汞滴构成, 其分布密度随镀汞电位的负值增加而增加;微汞滴在电析过程中不断长大并相聚成更大一些的微汞滴, 在旋转玻碳电极上, 汞膜的最大平均厚度大会超过5μm, 而适用于溶溶出分析的范围为0.05~1μm, 比文献记载的范围(0.001~10-5M时虽经长时间镀汞用的Hg2+ 浓度的适用范围为1X10-5 ~2x10-4 m; Hg 2+浓度为2X10-ⅴM 时虽经长时间镀汞亦不易产生较大的微汞滴. 实验还表明峰高的重现性与电极表面载汞量有关. 还观察到较大的微汞滴在电极表面滑动以致被甩离电极表面的现象, 严重时会引起峰的下降.     

共沉淀法制备铝酸镧超微粉末的研究

用尿素-氨水在热水溶液中调pH共沉淀制备铝酸镧超微粉末。研究了氨水浓度、尿素浓度和尿素-氨水滴加速度对超微粉末颗粒的影响和焙烧温度对超微粉末颗粒微观变化的作用。在选定的条件下,制备成粒径为0.1～0.7μm、比表面93～112m~2/g的铝酸镧超微粉末。     

SDE-GC-μEGD分析水中挥发性卤代烃

运用微滴溶剂萃取-气相色谱-微池电子捕获检测器联用技术(SDE-GC-μECD)对水中挥发性卤代烃(vHH)的分析进行了可行性探讨,优化了微滴溶剂萃取技术的多种影响因素.方法在0.1～20μg/L之间呈线性,相关系数为0.999 1～0.999 8,相对标准偏差在1.2%～4.6%之间,加标回收率在83%～117%之间.该方法所用的有机溶剂很少(1～2 μL),装置简便,是值得推广的绿色环保、高效的前处理方法.     

SDE—GC—μECD分析水中挥发性卤代烃

运用微滴溶剂萃取-气相色谱-微池电子捕获检测器联用技术(SDE—GC-μECD)对水中挥发性卤代烃(VHH)的分析进行了可行性探讨，优化了微滴溶剂萃取技术的多种影响因素，方法在0．1～20μg／L之间呈线性，相关系数为0．9991～0．9998，相对标准偏差在1．2％～4．6％之间，加标回收率在83％～117％之间。该方法所用的有机溶剂很少(1～2μL)，装置简便，是值得推广的绿色环保、高效的前处理方法.     

交联剂加入方式对聚苯乙烯微球形貌和分散性能的影响

以醇水混合液为分散介质,偶氮二异丁腈为引发剂,聚乙烯吡咯烷酮为稳定剂,二乙烯基苯为交联剂,采用分散聚合法一步制备了粒径约为1μm的单分散交联聚苯乙烯微球;采用扫描电镜和激光粒度仪等分析微球表面形貌及粒径分布,研究了滴加交联剂开始时间、交联剂浓度、引发剂浓度等对微球形貌和分散性能的影响.结果表明,在实验进行4h时加入交联剂,且交联剂滴加持续时间为2h的条件下,可制得平均粒径为1μm左右的交联聚苯乙烯微球,其具有较好的单分散性和球形度,且表面光滑.     

交联聚苯乙烯单分散微球的制备

微米级粒度均匀的聚合物微球作为功能高分子材料在分析化学、生物化学、标准计量以及某些高新技术领域中应用广泛。制备聚合物微球的传统方法有乳液和悬浮聚合法。乳液聚合只能制备粒径为0．1-0．7μm的颗粒，采用无皂或低皂乳液聚合法制成的单分散聚合物微球粒径接近1μm，但难于达到1μm以上，且后处理比较麻烦；悬浮聚合制备的聚合物微球粒径则一般在100-1000μm之间，且是多分散性的。而分散聚合获得的微球呈单分散性，是制备粒径为1-10μm的单分散聚合物微球的有效方法。     

碘遇淀粉变蓝质疑--记一则有趣的可逆热色性小实验

淀粉是植物体内最为重要的贮藏性多糖,在植物体内如种子、块根、块茎中含量特别丰富。淀粉以淀粉颗粒的形式存在,因植物种类不同而呈球形、卵形、不规则形等,直径约为1μm~175μm。学生在做室温下淀粉遇碘变蓝的实验中,往往向刚煮沸还未冷却的淀粉溶液中滴加数滴I2-KI稀溶液,却     

旋转对流下铜在微沟道中的电沉积

将刻有微沟道的芯片固定在旋转圆盘电极上,在旋转对流条件下于微沟道中电沉积铜.微沟道深度为1μm,宽度分别为0.35μm,0.50μm,0.70μm.研究了芯片的旋转、电流密度以及Cu2+浓度等对微沟道中铜沉积的影响.实验表明,在旋转对流传质下,铜在微沟道中的沉积速率比静止芯片时的约快2～3倍.较低的Cu2+浓度和适中的沉积电流密度更有利于超等厚沉积的形成.     

微电极研究 III: Hg^2^+的电沉积过程的研究

研究了不同浓度的Hg^2^+在碳纤维微电极电沉积Hg的形态, 沉积机制和实验参数对汞膜性质及溶出电流的影响; 剖析了Hg的成核过程, 验证了成核理论; 借扫描电镜观察了汞晶体图象。约在6×10^-^5mol·L^-^1Hg^2^+时镀汞, 可形成密布型微汞滴构成的类汞膜, 微滴直径在0.03-0.2μm, 汞微滴密度约为5.7×10^6个/cm^2, 提出了优化汞膜的实验条件和依据。