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掺杂元素的Lewis酸强度对掺杂In_2O_3电性质的影响文世杰G.Campet(LawrenceBerkeleyLaboratory,BerkeleyCA94720,USA)(LaboratoiredeChemieduSolideduCNRS,Uni... 相似文献
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Al掺杂对Li(AlyCo1-y)O2材料结构的影响 总被引:9,自引:0,他引:9
报道了在800℃烧结制备的新型锂二次电池正极材料Li(AlyCo1-y)O2(y=0,0.11)的X射线衍射结果和由此而揭示的结构演化过程.研究表明,y≤0.5时,材料呈单相,0.6≤y≤0.9时,材料呈两相[Li(AlyCo1-y)O2,C-LiAlO2]共存状态,y=1时,材料又呈单相,为LiAlO2相.Li(AlyCo1-y)O2材料中y值的上限即Al的最大固溶度在0.5左右.在单相区(y≤0.5),随着Al掺杂的增多,Li(AlyCo1-y)O2材料晶格结构参数发生变化,a轴缩短,c轴变长,c/a比基本呈线性增加,材料的层状属性更加明显. 相似文献
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采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势计算方法, 研究了In、Sc p型掺杂对SrTiO3母体化合物稳定性、电子结构和光学性质的影响. 计算结果表明:掺杂后, SrIn0.125Ti0.875O3和SrSc0.125Ti0.875O3的稳定性降低, 体系显示p型简并半导体特征, 掺杂仅引起杂质原子近邻区域的几何结构发生变化. 同时, SrIn0.125Ti0.875O3和SrSc0.125Ti0.875O3体系的光学带隙分别展宽0.35、0.30 eV, 光学吸收边发生蓝移, 在1.25-2.00 eV的能量区间出现新的吸收峰, 该吸收峰与体系Drude型自由载流子的激发相关. 此外, SrIn0.125Ti0.875O3和SrSc0.125Ti0.875O3体系的可见光透过率有了明显的提高, 在350-625 nm波长范围透过率高于85%. 掺杂原子在费米能级处低的电子态密度限制了跃迁概率和光吸收. 大的禁带宽度、小的跃迁概率和弱的光吸收是SrIn0.125Ti0.875O3和SrSc0.125Ti0.875O3体系具有较高光学透明度的原因. 相似文献
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报道了在800℃烧结制备的新型锂二次电池极材料Li(AlyCo1-y)O2(y=0,0.1~1)的X射线衍射结果和由此而揭示的结构演化过程,研究表明,y≤y≤0.9时,材料呈两相[Li(AlyCo1-y)O2,r-LiAlO2]共存状态,y=1时,材料又呈单相,为r-LiAlO2相,Li(AlyCo1-y)O2材料中y值的上限即Al的最大固深度在0.5左右,在单相区(y≤0.5),随着Al掺杂的增多,Li(AlyCo1-y)O2材料晶格结构参数发生变化,a 轴缩短,c轴变长,c/a比基本呈线性增加,材料的层状属性更加明显。 相似文献
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采用高温固相法,在掺硫和不掺硫两种情形下制备了Sr3Al2O6Eu, Dy红色长余辉发光材料. 利用XRD、荧光分光光度计和亮度计,分别研究了材料的晶体结构、激发光谱、发射光谱和衰减曲线. 结果表明硫的掺入没有引起Sr3Al2O6激发峰的变化,但对材料的组成,初始亮度和余辉特性有明显影响. 在同一烧结温度下,未掺硫的样品主晶相为Sr3Al2O6,并有少量杂相Sr4Al2O7,初始亮度为148 mcd·m-2,余辉时间为330 s; 掺硫的样品主晶相为Sr3Al2O6,含有少量杂项SrS,初始亮度为505 mcd·m-2,余辉时间为18 min. 相似文献
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以Ni(NO3)2、Al(NO3)3和LiOH为原料,研究了一种制备锂离子电池正极材料LiNi1-xAlxO2(x=0.025~0.30)新的共沉淀方法:在前驱体的制备过程中采用超声波振动,在焙烧前用无水乙醇保护前驱体,并在空气气氛下对前驱体进行焙烧。采用充放电测试、XRD和循环伏安研究了掺铝量、焙烧温度和时间、补锂量以及超声波振动对LiNi1-xAlxO2性能及结构的影响。结果表明,在空气气氛中,正极材料LiNi1-xAlxO2中Al的最佳含量为x=0.2,最佳焙烧温度为700 ℃,焙烧时间为16 h,补锂量为0.05(即:nLi∶nNi+Al=1.05∶1)效果较好;并发现掺铝有利于形成和稳定α-NaFeO2型层状有序结构。同时发现,超声波振动提高了电池材料的性能。 相似文献
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本文综述了近年来国际上对晶态聚合物结构研究的几个活跃问题,内容包括高分子折叠链,结晶-非晶中间层,晶态聚合物的形变机理,聚合物附生结晶。并简要介绍了各种实验技术及方法在这方面的研究结果。 相似文献
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采用共沉淀法按不同Al掺杂比例x[x=n(Al)∶n(Mn+Al)=0, 0.025, 0.050, 0.100, 0.150, 0.200]制得了Al(OH)3和Mn3O4混合物, 将其与LiNO3按一定比例混合, 在空气中于700 ℃烧结得Li[Mn(Al)]2O4样品. X射线衍射和Raman光谱结果表明, 在0≤x≤0.20范围内均得到了单相的尖晶石型样品, 随着x的增加, 晶胞参数减小, 晶格振动能量增加, Mn(Al)-O的结合增强, 结构稳定性增强. 相似文献
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热处理温度对铬掺杂二氧化钛表面结构和性质的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用溶胶-凝胶法制备了铬掺杂二氧化钛(Cr-TiO2), 并对经过不同温度烧结的Cr-TiO2的结构、吸收光谱及样品中铬的氧化态等进行了表征. 实验结果表明, 在不高于723 K的温度烧结后, 铬以Cr3+的氧化物和Cr6+的铬酸盐或重铬酸盐的形式存在于TiO2表面. 随着热处理温度的提高, Cr6+的含量逐渐增多. Cr-TiO2在可见区400~550 nm的吸收带是由Cr3+的4A2→4T1跃迁和O→Cr6+的1t1→2e电荷转移等引起的, 620~800 nm的吸收则是Cr3+的4A2→4T2跃迁的结果. 前者随着烧结温度的升高而增强, 后者则随着温度升高而下降. 相似文献
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以共沉淀法合成的前驱体Ni1/3Co2/3-xAlx(OH)2与低共熔锂盐0.38LiOH·H2O-0.62LiNO3制备了锂离子电池正极材料LiNi1/3Co2/3-xAlxO2(x=1/12,1/6,1/3,1/2,7/12).采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和电化学性能测试对其结构、形貌和电化学性质进行表征.结果表明,LiNi1/3Co2/3-xAlxO2在1/12≤x≤1/3范围内可以保持单一的六方层状α-NaFeO2结构,当Al掺杂量(x)高于1/3时,会出现杂相.其中,LiNi1/3Co1/3Al1/3O2结晶程度最高,阳离子混排效应最小,并且颗粒小而均匀,振实密度可以达到2.88g·cm-3,首次放电容量为151.5mAh·g-1,循环50次后放电容量保持在91.4%,在1C和2C倍率下放电容量仍可达到133.7和120.9mAh·g-1. 相似文献
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采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势计算方法,研究了In、Sc p型掺杂对SrTiO_3母体化合物稳定性、电子结构和光学性质的影响.计算结果表明:掺杂后,SrIn_(0.125)Ti_(0.875)O_3和SrSc_(0.125)Ti_(0.875)O_3的稳定性降低,体系显示p型简并半导体特征,掺杂仅引起杂质原子近邻区域的几何结构发生变化.同时,SrIn_(0.125)Ti_(0.875)O_3和SrSc_(0.125)Ti_(0.875)O_3体系的光学带隙分别展寬0.35、0.30 eV,光学吸收边发生蓝移,在1.25.2.00 eV的能量区间出现新的吸收峰,该吸收峰与体系Drude型自由载流子的激发相关.此外,SrIn_(0.125)Ti_(0.875)O_3和SrSc_(0.125)Ti_(0.875)O_3体系的可见光透过率有了明显的提高,在350-625 nm波长范围透过率高于85%.掺杂原子在费米能级处低的电子态密度限制了跃迁概率和光吸收.大的禁带宽度、小的跃迁概率和弱的光吸收是SrIn_(0.125)Ti_(0.875)O_3和SrSc_(0.125)Ti_(0.875)O_3体系具有较高光学透明度的原因. 相似文献
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Al2O3掺杂对CeO2基固体电解质性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用四探针电阻测量法、 SEM等手段研究了CeO2基固体电解质材料中掺杂Al2O3后的性能变化. 实验发现, 加入的Al2O3分布在晶界处, 将会导致裂纹偏转, 可以显著增加CeO2基材料的强度, 最大弯曲强度对应的Al2O3添加剂量为3 mol%. 另外, 掺杂Al2O3后由于热膨胀系数的差异, 在CeO2中引入压缩性应力, 可以抑制裂纹的进一步扩展. 加入Al2O3还具有显著的促进烧结作用, 但使电导率降低. 相似文献
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Al掺杂α-Fe2O3材料的制备、表征和气敏特性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用均相沉淀法制备了纯α-Fe2O3(300 ℃煅烧)和Al掺杂α-Fe2O3(300和400 ℃煅烧), 使用SEM, XRD, ICP和红外光谱等手段进行表征, 并利用气敏仪测试无水乙醇和90#汽油在不同条件下对材料的响应性能. 结果表明, 微量Al掺杂不改变α-Fe2O3材料的物相, 但会阻碍晶粒生长, 使颗粒变小及Fe2O3晶格间隙中的铁原子数目增多, 材料的导电率增大, 从而显著提高材料的气敏性能. Al掺杂α-Fe2O3对乙醇的响应性能优于对汽油的响应性能, 在乙醇气氛中, 材料对湿度仍然不敏感. 经400 ℃煅烧的Al掺杂α-Fe2O3稳定性较好, 可作为检测乙醇气体的半导体气敏材料. 相似文献
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Nd2O3掺杂对SnO2气敏性质的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
SnO_2是目前应用最广的一种气敏材料。我们曾经报道掺入La_2O_3,CeO_2,Pr_6O_(11),和Nd_2O_3后可使半导体元件的灵敏度提高,尤以对乙醇、乙醚、丙酮为显著。掺Nd_2O_3元件对乙炔的灵敏度也有提高。本文考察了SnO_2粒度和被测气氛的物化性质对掺Nd_2O_3元件灵敏度的影响。SnO_2采用水解SnCl_4法制备,纯度经光谱分析测定合格,试样用标准筛分目。在SnO_2中加1wt%Nd_2O_3(光谱纯)和适量水及甲基纤维素,混磨15分钟。将制成的悬浊液滴在一对铂 相似文献
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通过高通量实验方法制备了一系列新型的Ce3+离子掺杂亚磷酸锰(NH4)4[Mn4-xCex(HPO3)6](简称JIS-10∶xCe3+) 无机开放骨架材料. 通过粉末X射线衍射(PXRD)谱图、 扫描电子显微镜(SEM)、 微量元素能谱(EDS)、 X射线光电子能谱(XPS)、 傅里叶变换红外(FTIR)光谱和光致发光(PL)光谱等手段对该材料进行了表征, 并研究了Ce3+离子掺杂浓度、 反应温度和时间对晶体相变和发光性能的影响. 结果表明, 在波长260 nm的光激发下, Ce3+离子在500 nm处有1个绿光发射带而Mn2+离子在590 nm处有1个黄光发射带. 调变JIS-10∶xCe3+材料中Ce3+离子的掺杂浓度发现, 当x=0.06时, 即Ce3+离子的掺杂浓度较低时, 样品的发射颜色为黄绿色, 其CIE坐标为(0.38, 0.48); 当Ce3+离子的掺杂浓度增加时, 绿色发光带的增长快于黄色发光带的增长, 从而调整发射颜色; 在x=1.33时观察到最强的发射, 浓度过高发生浓度猝灭. 相似文献