氮化铝薄膜对金属膜电阻器性能的影响

本文采用射频反应溅射法在电阻瓷体表面和微晶玻璃片上淀积一层具有择优取向的A1N薄膜,然后再在其上淀积金属电阻膜(80％Ni,20％Cr)或Fe-Al-Si-Cr合金粉。对电阻器进行了功率老化、高温存贮、热冲击、短时过载等可靠性试验,测量了其TCR和表面温升。由于A1N材料的优良导热和钝化特性,使具有A1N薄膜的电阻器性能得到很大提高。文中还讨论了A1N材料改善电阻器特性的微观机理。     

提高金属膜熔断电阻器的熔断性能

通过分析金属膜熔断电阻器熔断原理，主要从选择最佳的热处理温度、采用低碱瓷基体、锡镀层的铁帽盖材料等几方面论述了如何提高金属膜熔断电阻器的熔断性能。