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《中国光学与应用光学文摘》2004,(4)
溅射时在基片下方放置磁铁,让来自基片下方的磁场发挥磁控作用,以此来研究基片下磁场磁控溅射的方法。发现辉光形貌以及沉积的薄膜厚度分布均发生明显变化的同时,辉光的外形也随着外加磁铁直径的变化而变化。运用磁荷理论对磁场分布进行模拟,解释了辉光形貌变化的机理,运用沉积粒子 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2007,(1)
O484.12007010582δ掺杂对Si衬底GaN蓝光LED外延膜性能的影响研究=Effect ofδ-doping on performance of GaN blue LED epi-taxial fil ms on Si substrates[刊,中]/程海英(南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心.江西,南昌(330047)),方文卿…//光学学报.—2006,26(8).—1269-1273用X射线衍射方法通过不同晶面的ω扫描测试,分析了Si衬底GaN蓝光LED外延膜中n-型层δ掺杂Si处理对外延膜结晶性能的影响。报道了Si衬底GaN外延膜系列晶面的半峰全宽(FWHM)值。通过使用晶格-旋转(Lattice-rotation)模型拟合,计算出样品的螺位错密… 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2004,(3)
O484.1 2004032095 溶胶-凝胶法制备宽带减反膜=Preparation of nanoporousbroadband antireflective coatings by sol-gel method[刊,中]/付甜(同济大学波耳固体物理研究所.上海(200092)),吴广明…∥功能材料.—2003,34(5).—579-581,584 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2004,(1)
O484.1 2004010480 热蒸镀法与溶胶-凝胶法制备的WO_3薄膜=WO_3 thinfilms derived from thermal evaporation and sol-gel[刊,中]/谢红(郧阳师范高等专科学校物理系.湖北,丹江口(442700)),杨修文∥光电子技术.—2003,23(2).—89-91,125 采用真空热蒸发沉积技术在衬底上沉积了WO_3薄膜。以金属W粉为无机原料,溶胶-凝胶技术结合浸渍镀 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2005,(6)
O484．1 2005064320 磁控溅射材料沉积速率的定标方法的研究=Calibrating method of magnetron sputtering material deposition rate [刊,中]/吴文娟(同济大学精密光学工程技术研究所．上 海(200092)),王占山…∥光学技术．-2005,31(4)．- 537-539 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2005,(1)
O484．1 2005010443 热退火对ZnO薄膜表面形貌与椭偏特性的影响=Thermal annealing effect on characteristics of surface morphology and ellipsometric of zinc oxide film[刊,中]／刘磁辉(中国科学技术大学物理系．安徽,合肥(230026))．林碧霞…∥发光学报．-2004,25(2)．-151-155 利用原子力显微镜(AFM)和椭偏仪对溅射制备的硅基ZnO薄膜的热退火表面形貌与椭偏特性进行了研究。 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2006,(5)
O484.12006054416LPCVD法制备碳纳米管薄膜及其场发射性能的研究=Deposition of carbon nanotubes fil mby LPCVDand relatedfield emission property[刊,中]/陈婷(华东师范大学纳米功能材料和器件应用研究中心.上海(200062)),孙卓…//光学学报.—2006,26(5).—777-782采用低压化学汽相沉积法(LPCVD)在镍片上直接制备碳纳米管(CNTs)薄膜,系统地研究了生长温度(500~800℃)对碳纳米管薄膜形貌、结构及场发射性能的影响,并对此方法的生长机理进行了分析。当温度从500℃升高到650℃时,碳纳米管的生长速率随着温度升高而增大,而温度继续… 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2007,(4)
O484.12007043600CdS薄膜的化学沉积法制备及其特性的研究=Study onproperty of CBD-CdS thin fil ms[刊,中]/孙学柏(北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室.北京(100044)),张希清…//光谱学与光谱分析.?2007,27(1).?32-34用化学沉积方法在90℃下制备了 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2005,(5)
TB43 2005053690 离子辅助沉积中离子束流密度的作用=Effect of ion cur- rent density in ion beam assisted deposition[刊,中]／张大 伟(中科院上海光机所．上海(201800)),洪瑞金…∥光子 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2004,(5)
O484.1 2004053708 ZnO-SnO_2透明导电膜的低温制备及性质=Preparation and properties of conducting transparent ZnO-SnO_2 films deposited at room temperature[刊,中]/黄树来(山东大学物理与微电子学院,山东,济南(250100)),马瑾…∥半导体学报,—2004,25(1)。—56-59 在室温下,采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2006,(3)
O484.1 2006032385聚合物纳米孔隙增透膜制备工艺的研究=Fabrication ofpolymer nanoporous antireflection fil m[刊,中]/杨振宇(华中科技大学激光技术国家重点实验室.湖北,武汉(430074)) ,朱大庆…∥光学学报.—2006 ,26(1) .—152-156论述了聚合物纳米孔隙增透膜的制备工艺流程,分析了聚合物材料分子量、实验环境温度和湿度、溶剂挥发性等条件对纳米孔隙增透膜的影响。研究表明,聚合物材料分子量的增大、温度的降低、湿度的升高以及采用挥发性弱的溶剂都将导致增透膜孔隙尺寸的增大,孔隙越大其对光的散射损耗就会越大,所以增透膜的透过… 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2006,(1)
O484.12006010529低压反应离子镀方法制备ITO透明导电膜=Preparationof ITOfil ms by reactive lowvoltageion plating[刊,中]/徐颖(中科院长春光机所光学技术研究中心.吉林,长春(130022)),高劲松…∥光学技术.—2005,31(5).—669-671使用一种不同于溅射方法的另一种制备工艺—低压反应离子镀方法制备ITO透明导电膜。实验对不同沉积速率和不同氧气流量对ITO透明导电膜的方块电阻以及光学透过率的影响进行了详细的分析,并综合比较得到了当沉积速率为0.5nm/s,氧气流量为24cm3/min时,在波长为550nm处,方块电阻为20Ω,λ=550nm,透过率为90… 相似文献