电容储能式高速电磁阀驱动电路的研制

本文介绍了一种电容储能式高速电磁阀驱动电路。通过采用高端电流检测反馈控制PWM输出实现了对电磁阀电流的精确控制。与传统的电磁阀驱动电路相比，其控制逻辑简单，更符合电磁阀的电流响应特点，且有利于降低功耗和防止电磁阀过载。     

复位电路的抗静电放电

[静电放电] 执行标准:IEC 61000-4-2(GB 17626.2-1998)<静电放电抗扰度试验>.     

一种新型互补电容耦合ESD保护电路

提出了一种改进型的基于亚微米工艺中ESD保护电路,它由互补式电容实现,结构与工艺简单。电路采用0.6μm1P2MCMOS工艺进行了验证,结果表明,ESD失效电压特性有较明显改善,可达3000V以上。     

传输线理论分析静电放电电流

传输线理论分析了静电放电(ESD)发生器的放电过程,时域有限差分法(FDTD)模拟了放电电流,得到与IEC61000-4-2标准相符合的电流波形,并对影响电流波形的关键因素进行讨论.结果表明,静电放电发生器中电阻和连接线长度影响电流波形的上升时间;连接线的布置影响着电流波形的平滑性;不同的终端负载也对电流峰值有很大影响.该结论为静电放电发生器的设计提供了参考和建议.     

一种超级电容储能的双向逆变电路及其控制策略

为解决数控机床加工中意外掉电退刀、伺服单元外接制动电阻产生能耗等问题,提出了一种超级电容储能的双向逆变电路,使得伺服系统在突然断电状态下,储能模块能够继续短时地给数控机床系统供电,完成断电回退的功能。该电路可以提供更高的输出电压和占空比,且在应用中可以取消伺服单元外接制动电阻而将制动能量循环利用,同时提出了相应的控制策略。该电路包括Buck/Boost电路、信号采样电路、PWM逻辑控制电路和互锁驱动电路,通过调节两路互为180°的PWM波占空比及充、放电信号来实现升、降压闭环控制,从而完成能量的双向传递。该拓扑简单、高效,性能稳定,以最少的功率器件实现大功率转换及输出。最后,实验波形验证了所提方案的可靠性。     

传输线电容参数提取中的奇异性处理方法

传输线电容参数提取过程中需要计算导体上的电量,而在电量计算过程中普遍存在着角点的奇异性问题.本文给出了角点附近区域电势分布的数学模型,通过采用有限级数逼近该数学模型的解析解提出了一种新的电量计算方法,并进行了级数逼近的误差分析.本文算法克服了邓肯矫正需要选择角点积分区域的不足,有效地校正了导体角点奇异性引起的电容参数提取的计算误差,最后给出了算法的数值实验与分析结果.     

摇控高压放电防盗防抢电路

本文所介绍的遥控高压放电防盗、防抢电路,由数字编码无线遥控电路(Fuzhi7014)和高压放电电路两部份组成。可直接应用于银行提款箱、保险柜、旅行箱、居家门窗安全防盗、防抢等场合。该遥控开关已获得国家专利,专利证书号为ZL 94 2 26220.4。数字编码无线遥控电路Fuzhi7014由遥控发射器和遥控接收模块两部份组成,地址数据编码3~(10)组,输出2路开关控制信号,遥控距离超过25m。遥控发射器外形和电路分别如图1(a)、(b)所示。它由无线发射电路、编码集成电路和     

电容加速度计的接口电路

电容硅微型加速度计可以采用静电力平衡结构来构成。这种闭合回路结构可通过改变反馈因数形成不同的测量范围。这样,用同一个加速度计可以测量从1μg—1g的输入加速度;同时可以包含一个调节器电路来修整闭环频率响应,从而达到理想的带宽与阻尼因数。 接口电路起开关电容器电路的作用,它以±5V双电源工作。给出了一个数值例子来说明这一理论。     

两种电容快速放电方法研究

电容使用完成后必须对其进行放电,以保证使用者的安全和延长电容的使用寿命。传统电容放电方式是采用自然放电或连接恒定电阻放电,对于大电容、高电压的电容需较长的放电时间。为提升电容放电速率,提出了两种快速放电法。增大放电电流,改变放电过程中放电电阻的阻值,保证放电电流保持在较高水平,从而大幅减少放电时间。结果表明,采用电机控制放电电阻随时间均匀变化可达到最快的放电速率,比连接恒定电阻的放电速率提升5倍左右;采用继电器控制放电电阻阻值阶跃变化可提升电容放电速率,比连接恒定电阻放电速率提升1倍左右。     

基于高压陶瓷电容器放电回路的优化设计

针对使用高压电容器的几种放电回路,开展了回路参数仿真分析研究。参数辨识结果表明采用高压陶瓷电容和固态开关组成的放电回路参数明显优于采用高压固体电容器和触发管的放电回路,改进装配方式后回路参数也比改进之前明显减小。该改进技术的提出,在不改变既定电性能指标的基础上大大改善了整个回路电路的体积与质量。该改进技术已成功应用于多个爆破项目中。     

印制电路板传输线的制作工艺仿真

目前,电子产品在计算机、通信,军事装备等诸多领域得到了广泛的应用。作为电子产品的重要组成部分,印制电路板也在不断完善、更新。目前,我国已经成为印制板的第一产国。由于印制电路板在设计的过程中传输线的制作关系到印制电路板的信号完整性。因此,对印制电路板传输性的制作工艺进行研究对提高印制电路板的性能具有十分重要的意义。     

电容滤波电路工作波形的Multisim仿真分析

基于探索电容滤波电路工作波形仿真实验技术的目的,采用Multisim10仿真软件对电容滤波电路的工作波形进行了仿真实验测试,给出了Multisim仿真实验方案,仿真分析了滤波电容选取不同数值时电路工作波形、电路性能的变化情况。结论是仿真实验可直观形象地描述电容滤波电路的工作特性,有利于系统地研究电路的构成及电路元件参数的选择。     

输电线路智能地线管控系统的研制与应用

为了提高输电线路智能地线管控能力,构建输电线路智能地线管控系统,提出基于虚拟同步控制的输电线路智能地线管控系统,建立了矢量控制下输电线路智能地线管控等效电路模型。采用T型等效电路分析的方法进行输电线路智能地线管控的系统稳定性特征分析,求得输电线路智能地线管控的优化参数结构模型。基于虚拟同步控制方法,进行输电线路智能地线子侧变流器的控制结构优化,采用最大功率跟踪的方法进行智能地线管控系统的控制指令加载,实现输电线路电压定向管控,构建优化的输电线路智能地线管控系统。仿真结果表明,采用该方法进行输电线路智能地线管控的智能性较好,稳定控制能力较强,提高了输电线路智能地线管控的无功环比例积分控制能力。     

基于广义传输线方程的矩形波导等效电路

介绍了广义传输线方程在波导分析中的应用,讨论了建立在该方程基础上的具有不连续性的矩形波导的等效电路,提出了用两个频点来提取整个频带内电路参数的方法,以加载金属膜片的矩形波导为例进行了数值计算,并应用等效电路来计算S参数,计算结果和用Ansoft公司的HFSS软件所得结果相符合.     

传输线网络瞬态响应灵敏度分析方法

针对传输线网络瞬态响应灵敏度分析问题,提出了一种采用快速傅里叶变换的灵敏度分析方法。方法从描述整个传输线网络特性的电路方程出发,将传输线网络瞬态响应灵敏度转化为求解传输线网络瞬态响应以及网络参数矩阵对电路参数的偏导数,实现了传输线网络任意节点瞬态响应对任意网络参数的灵敏度分析。该方法无需对耦合传输线进行解耦,能够分析任意类型传输线及任意负载。算例结果表明,方法正确有效。     

S2激光器泵浦源的设计

S2激光器产生的蓝—绿激光波长范围为430—520nm,根据理论计算,采用放电泵浦S2双原子分子的泵浦电流脉宽应小于30ns．以Blumlein电路作为泵浦源,设计合理的电路结构,传输线采用宽带引线,减小回路的寄生电感,实现了稳定的快脉冲放电,满足了对放电电流的要求,为放电激励是激光器产生激光提共了条件。     

准分子激光放电回路的研究

对高压放电泵浦的准分子激光放电回路进行了探讨。运用等效电路方法，给出了准分子激光工作气体在击穿放电前后的电路变化规律，同时分析了能量转移效率与回路参数之间的关系，这为设计高效率和稳定可靠的准分子放电回路提供了理论上的参考依据。     

Scalable wideband equivalent circuit model for silicon-based on-chip transmission lines

A scalable wideband equivalent circuit model of silicon-based on-chip transmission lines is presented in this paper along with an efficient analytical parameter extraction method based on improved characteristic function approach, including a relevant equation to reduce the deviation caused by approximation. The model consists of both series and shunt lumped elements and accounts for high-order parasitic effects. The equivalent circuit model is derived and verified to recover the frequency-dependent parameters at a range from direct current to 50 GHz accurately. The scalability of the model is proved by comparing simulated and measured scattering parameters with the method of cascade, attaining excellent results based on samples made from CMOS 0.13 and 0.18μm process.