一种SnO_2导电膜的制备方法

本专利报导了用锡和钛的有机化合物混合物热分解获得的一种SnO_2透明导电膜的方法。其混合物如Sn(OR)_2(或Sn(OOCR)_2)和Ti(OR_4)(或Ti(OOCR)_4),其中的R为烷基,把它溶在醇或醚化合物的有机溶剂中,然后涂在底上,在100—250℃下干燥,然后把衬底连同涂层一起在高于400—500℃温度下热处理。这时所用混合物完全热分解,完成了SnO TiO_2层的再结晶。     

无机缓冲层对柔性In_2O_3:SnO_2薄膜光电及耐弯曲性能影响的研究

在室温条件下采用离子辅助沉积技术在柔性衬底上依次制备无机缓冲层及In_2O_3:SnO_2(ITO)薄膜,重点研究了不同无机缓冲层对柔性ITO薄膜光电及耐弯曲性能的影响。研究发现SiO_2,TiO_2,Ta_2O_5和Al_2O_3无机缓冲层对ITO薄膜的方阻、光学透射比、耐弯曲性能等机电特性影响各异:添加SiO_2缓冲层的ITO薄膜其方阻变化率最大,方阻降低率达29.8%,而添加Al_2O_3缓冲层的ITO薄膜其方阻变化率最小,方阻降低率仅为5.6%;添加Ta_2O_5缓冲层的ITO薄膜其可见光透射比最佳,平均透射比达85%以上,而添加SiO_2缓冲层的ITO薄膜其可见光透射比最差,但其平均透射比也高于80%;SiO_2在耐弯曲半径上对ITO薄膜的改善效果比TiO_2更佳,而当ITO薄膜以弯曲半径R=0.8 cm和R=1.2 cm发生内弯时,SiO_2对ITO薄膜耐弯曲次数性能的改善效果不及TiO_2。     

Sn掺杂对In_2O_3热电性能的影响

本文利用第一性原理结合半经典玻尔兹曼理论研究了Sn掺杂对In_2O_3热电特性的影响.由于一个In_2O_3原胞有80个原子,所以为了清楚表明Sn的掺杂浓度,我们将化学式表述为In_(32-x)Sn_xO_(48).形成能的计算表明Sn比较容易取代In位,且Inb位比Ind位更容易被取代.且只有x=1,形成能是负值,而x=2和3的形成能是正值.电子结构的计算表明Sn掺杂对In_2O_3的能带结构的形状影响很小,只是费米能级向导带方向移动了,基于这一点我们预测刚性带模拟In_2O_3的电子热电特性和实际Sn掺杂的应该比较接近.输运性质的计算表明在价带顶或导带底附近,电子输运性质随化学势发生明显的变化,而在价带以上导带以下的一定化学势范围内,虽然S,σ/τ和n随化学势和温度变化比较大,ZeT随化学势和温度几乎没有变化,且n型和p型掺杂下的ZeT非常接近,大小在1附近.令人兴奋的是,通过将刚性带模型计算In_2O_3电子输运性质和实验结果对比,发现当温度为1000 K,化学势为0.6512 Ry时的实验ZT=0.28和理论0.273非常接近.而此化学势远在导带底以上,说明如果选择较低的掺杂浓度,In_2O_3的输运性质有望进一步提高.     

激光制造透明导电膜

东京三菱研究所(MRIT)的研究人员开发了制造透明导电膜的一种新的激光处理技术。这种工艺可用于不耐热或易氧化的基片,可用来制造透过90%可见光的晶体——氧化物导电膜。透明导电膜通常用作光传输电极。用氧化物制造的电极在可见光波长上特别透明,而且薄膜非常坚固。有一?..     

激光制造透明导电膜

东京三菱研究所（ＭＲＩＴ）的研究人员开发了制造透明导电膜的一种新的激光处理技术。这种工艺可用于不耐热或易氧化的基片,可用来制造透过９０％可见光的晶体—氧化物导电膜。透明导电膜通常用作光传输电极。用氧化物制造的电极在可见光波长上特别透明,且薄膜非常坚固。有一种这样的材料就是氧化铟（Ｉｎ２Ｏ３）外加氧化锡（ＩＴＯ）,这种材料广泛用于液晶和等离子体显示器可见光元件的电极。直到现在,这种薄膜可以通过原材料上的发光离子或电子光束形成,即使它汽化,并将气体沉积到穿过该材料放置的衬底上。但是,由于该材料是由不…     

基于Sb_2O_3/Ag/Sb_2O_3叠层透明导电薄膜的自组装沟道透明薄膜晶体管

首次利用Sb2O3/Ag/Sb2O3(SAS)叠层透明导电薄膜作为透明电极,并采用衍射自组装沟道的方法研制了一种透明薄膜晶体管。通过一次掩模工艺,在电子束热蒸发过程中的SAS源漏电极之间制作沟道层。SAS透明导电薄膜具有优异的光电性能。研制的透明薄膜晶体管具有良好的器件性能,其迁移率高达11.36cm2/(V·s)。整个器件在可见光范围内的平均透过率为80%。结果表明,这种透明薄膜晶体管有希望应用于低成本透明光电子产品中。     

对含Y_2O_3和Gd_2O_3的La_2O_3-B_2O_3-BaO玻璃化学稳定性研究

本文研究了含Ｙ２Ｏ３和Ｇｄ２Ｏ３的Ｌａ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ＢａＯ玻璃的耐水性和耐酸性。结果表明，比硅酸盐玻璃化学稳定性差的Ｌａ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ＢａＯ玻璃，可以适量的用Ｙ２Ｏ３和Ｇｄ２Ｏ３取代Ｌａ２Ｏ３，可得以改善     

高效透明导电膜荧光屏的研究

介绍了一种新型荧光屏结构,采用透明导电膜代替传统荧光屏中的铝膜作电极.分别测试了新型荧光屏和传统荧光屏的加电特性.实验结果表明新型荧光屏具有较高的耐压性能,对提高X射线变像管的空间分辨率有重要作用,而且能延长变像管的寿命.采用透明导电膜制作荧光屏还具有工艺简单,成本低和成品率高的优点.     

Y_2O_3和Gd_2O_3对含La_2O_3硼酸盐玻璃析晶性能的影响

用差热分析（ＤＴＡ）、Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）方法研究了Ｙ２Ｏ３和Ｇｄ２Ｏ３对７０Ｂ２Ｏ３２５Ｌａ２Ｏ３５ＺｎＯ（ｍｏｌ％）玻璃析晶性能的影响；用梯温炉测定比较了Ｙ２Ｏ３和Ｇｄ２Ｏ３对玻璃失透倾向的影响；用红外光谱（ＩＲ）研究了Ｙ２Ｏ３和Ｇｄ２Ｏ３在玻璃中的结构作用。结果表明，适量用Ｙ２Ｏ３或Ｇｄ２Ｏ３取代Ｌａ２Ｏ３可以减轻玻璃的失透倾向，但没有改变玻璃的析晶相。玻璃的析晶相是ＬａＢ３Ｏ６，Ｙ２Ｏ３和Ｇｄ２Ｏ３在玻璃结构中为网络修饰体。玻璃的折射率ｎｄ高于１．７０，色散系数υ低于５５。     

α-Al_2O_3透明陶瓷的发光及热释光特性

采用传统无压烧结工艺,以MgO为烧结助剂,制备出了透明性良好的α-Al2O3透明多晶陶瓷,测定了其吸收光谱、荧光光谱、激发光谱,并做了热释光测试.结果表明,吸收光谱存在192nm和225—250nm吸收峰,分别对应于F色心和F+色心.在荧光光谱的410nm处发现有明显的发射峰.结合对其激发光谱的研究,证明了对应于F和F+色心.热释光谱中存在368,456,614K三个热释光峰,其中456K的峰值是受热激发的电子与F+色心复合产生的.     

掺稀土的Y_2O_3、La_2O_3和Y_2O_2S粉末层的电致发光

掺三价稀土离子的场致发光荧光体发射铣线状光谱,它是(4f)电子组态内跃迁的特征,光谱范围从红到兰。这类荧光体之所以引起人们的兴趣,是因为有可能将它们应用于彩色平板显示器中去。已经报道过一些掺稀土的ZnS粉末的电致发光的研究工     

栅格式透明导电膜透光性能的表征和测试方法

建立了栅格式透明导电膜透光性能的表征参量和测试方法。利用电荷耦合器件(CCD)光电成像设备的响应特性,将响应信号转换为透光率信息;求解出不同尺度面元上的平均透光率,并建立栅格线的印制宽度、线边缘粗糙度和线上平均透光率等参量;结合三维图示技术,对透光膜进行了像素级微观透光性的三维显示。对三个柔印正方形栅格透明导电膜样品的测试结果表明:由所建立方法得到的透光率与紫外分光光度计测试结果误差小于1%;由测量的栅格线宽、透光率及像素级微观透光特性,能够分析样品的透光及印刷工艺特征。所建立方法能够起到较详尽分析和表征栅格式透明导电膜光学性能的作用。     

氧化锡透明导电膜的制备及其性能

<正> 一、引言正在研制的太阳磁场望远镜,使用6块纵调KDP电光晶体,需使用12块透明导电玻璃作电极,它们在5324A和4861A上工作。由于使用的电极多,所以单块导电玻璃透光率的高低将严重影响仪器的光量和性能。因此,高透明的导电玻璃是该仪器研制的关键问题之一。我们采用在K9玻璃上高温喷镀氧化锡膜层的方法来制作导电玻璃,通过喷加和磨减,调节膜层的厚度和均匀性,从而制得了高透明氧化锡导电玻璃。测量结果表明,在硅油中12片导电玻璃(包括膜层和基底)总的吸收和反射损失为     

In_2O_3:Sn中间层改善B掺杂ZnO薄膜的性能及其应用研究

金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长的掺硼氧化锌(BZO)薄膜,具有天然的"类金字塔"绒面结构,作为硅基薄膜太阳电池的前电极具有良好的陷光效果.但直接获得的BZO薄膜表面形貌过于尖锐,影响后续硅基薄膜材料生长质量及太阳电池的光电转换效率.本文设计了以一层超薄In2O3:Sn(ITO)薄膜(～4 nm厚度)作为中间层的多层膜,并通过对顶层BZO薄膜的厚度调制,改善BZO薄膜的表面特性,薄膜结构为:glass/底层BZO/ITO/顶层BZO.合适厚度的顶层BZO薄膜有助于获得类似"菜花状"形貌特征,尖锐的表面趋于"柔和",而较厚的顶层BZO薄膜仍然保持"类金字塔状"结构."柔和"的BZO薄膜表面结构有助于提高后续生长薄膜电池的结晶质量.将获得的新型"三明治"结构多层膜应用于p-i-n型氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜太阳电池,相比传统的BZO薄膜,电池的量子效率QE在500—800 nm波长范围提高了～10%,并且电池的Jsc和Voc均有所提高.     

Subsolidus phase relation in the Bi_2O_3–Fe_2O_3–La_2O_3 system

Bismuth-containing semiconductor material is a hot topic in photocatalysts because of its effective absorption under the visible light.In this paper,we expect to explore a new bismuth-based photocatalyst by studying the subsolidus phase relations of the Bi2O3–Fe2O3–La2O3system.The X-ray diffraction data shows that in this ternary system the ternary compound does not exist,while seven binary compounds(including one solid solution series Bi1 xLaxO1.5with 0.167≤x≤0.339)are obtained and eight compatibility triangles are determined.     

用氧化铟透明导电膜制备防霜镜

<正> 一、引言目前,在光学仪器中已有不少防霜措施,其中以电加热法为好。已得到广泛应用的有电热丝加热法和铬等金属膜加热法。但是,这些方法的缺点是加热不均匀和影响视场等。透明导电膜加热法可以克服上述缺点,是一种较为理想的防霜措施。用得比较普遍的透明导电膜有二氧化锡膜和金膜。前者,通常是用化学高温淀积法涂敷的,即用四氯化锡的乙醇溶液喷涂或熏蒸至已预热到接近软化点的玻璃零件     

低压反应离子镀方法制备ITO透明导电膜

溅射镀膜方法是制备ITO透明导电膜最常用也是实验研究最多的方法。实验使用一种不同于溅射方法的另一种制备工艺—低压反应离子镀方法—制备ITO透明导电膜。实验对不同沉积速率和不同氧气流量对ITO透明导电膜的方块电阻以及光学透过率的影响进行了详细地分析,并综合比较得到了当沉积速率为0.5nm/s,氧气流量为24cm3/min时,在波长为550nm处,方块电阻为20Ω,λ=550nm透过率为90.8%的优质ITO透明导电膜。     

溅射而成的In_(2-x)Sn_xO_(3-y)高导电性透明薄膜

用直流二极管溅射淀积法获得TIn_(2-x)Sn_xO_(3-y)的高导电性透明膜。溅射气体用Ar,O_2,N_2,Xe和O_2-Ar混合气。利用In_2O_3/SnO_2不同比率的靶溅射,得到的最好结果是以纯Ar或纯Xe作溅射气体和用含9—13克分子百分比(m/o)SnO_2的靶。达到的最低膜电阻率为1.77×10~(-4)欧姆——厘米(ohm-cm),而一般膜的电阻率是3×10~(-4)ohm-cm左右。发现用溅射气体流量很低时(10~(-2)—10~(-1)乇升/秒)对生长缺氧的薄膜是必须的。不同密度(多孔性)的靶对还原的敏感性不同。因而,溅射条件决定于靶的密度。这种膜具有良好的附着性,耐清洗、加热、磨光和粘接,不易损坏。它们可以用标准的光刻技术在加热酸中腐蚀以刻出电极的几何形状。将膜暴露在500℃空气中以后,会使它在室温时的电阻增加三倍。溅射膜的面电阻为1.6ohm/平方。在500毫微米(nm)波长时,光透射率为73％,反射率为14％。加适当的抗反射层,做成具有超过97％光透射率、5—7ohm/平方的膜似乎是可行的。     

Er~(3 )∶Y_2O_3透明陶瓷制备及发光性质研究

以Y2O3为基质材料,掺杂不同含量的Er3 ,采用共沉淀法制备出性能良好的Er3 ∶Y2O3纳米粉,并将粉体在1700℃和真空度为1×10-3Pa下烧结8h得到Er3 ∶Y2O3透明陶瓷。用X射线衍射仪(D/MAX-RB)、透射电子显微镜(EM420)、自动记录分光光度计(DMR-22)、荧光分析仪(F-4500)和发射波长为980nm的半导体激光器分别对样品的结构、形貌和发光性能进行了研究。结果表明:Er3 完全固溶于Y2O3的立方晶格中,Er3 ∶Y2O3粉体大小均匀,近似球形,尺寸约40～60nm左右。Er3 ∶Y2O3透明陶瓷相对密度为99.8%,在长波长范围内其透光率超过60%,在波长为980nm的激光下有两个上转换发光带,其中绿色发光中心波长位于562nm,红色发光中心波长位于660nm,分别对应4S3/2/2H11/2→4I15/2和4F9/2→4I15/2的跃迁;随着铒浓度的提高颜色从绿色向红色转变,Er3 的掺杂浓度不宜超过2%,超过这个范围,对材料发光强度的增强作用反而很小。     

Na_2O-Al_2O_3-B_2O_3-P_2O_5玻璃中铝和硼配位的Raman光谱研究

利用Raman光谱技术研究了Na_2O-Al_2O_3-B_2O_3-P_2O_5玻璃中铝和硼的配位态.研究表明 当硼、铝共存于磷酸盐玻璃时,硼先于铝形成BO_4四面体.硼有3和4两种配位而铝有4和6两种配位.