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在超高真空系统中制备了Yb275C60薄膜.对样品进行了同步辐射光电子能谱研究.在费米能级以下约5 eV范围内的谱数据由Yb275C60价带(C60分子轨道LUMO,HOMO和HOMO 1导出的能带)和芯态(Yb 4f7/2,4f5/2)能级构成.用紫外能区不同能量的入射光子,用C 2p和Yb 4f光电离截面随光子能量的不同变化规律,通过定量拟合,得到了对谱线有贡献的上述各个组分的峰位、峰宽和强度.结果表明,光子能量高于约300 eV时,芯态4f的贡献使得实验结果远远偏离价带的本征态密度分布.因此,研究Yb275C60价态时,应使用能量低于300 eV的光子.对实验和拟合结果分析,发现了类似纯C60的光电离截面振荡现象.振荡幅度相对于纯C60较小,反映了化合物中C60分子的化学环境对光电离截面振荡现象起着不可忽略的作用.
关键词:
Yb275C60
同步辐射光电子能谱
光电离截面振荡 相似文献
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在超高真空系统中制备了C60的Yb填隙化合物薄膜.用x射线光电子能谱研究了Yb和C60结合过程中C1s,Yb4f和Yb4d的变化.利用Yb4f和C1s的谱峰强度确定出相纯样品的化学组分接近Yb2.75C60,这一结果与晶体x射线衍射结果一致.Yb4f和Yb4d的峰形与峰位表明化合物中Yb的价态为Yb2+.相纯样品(Yb2.75C60)的C1s峰位相对于纯C60向低结合能方向移动约0.5eV.C1s结合能减小说明有Yb6s电子转移到C60的最低未充填分子轨道能带上.结合能变化大小及峰宽的具体数值为进一步在薄膜样品上研究Yb2.75C60提供了表征样品的手段. 相似文献
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在超高真空系统中制备了C60的Yb填隙化合物薄膜.用x射线光电子能谱研究了Yb和C60结合过程中C 1s,Yb 4f和Yb 4d的变化.利用Yb 4f和C 1s的谱峰强度确定出相纯样品的化学组分接近Yb2.75C60,这一结果与晶体x射线衍射结果一致.Yb 4f和Yb 4d的峰形与峰位表明化合物中Yb的价态为Yb2+.相纯样品(Yb2.75C60)的C
关键词:
60的Yb填隙化合物薄膜')" href="#">C60的Yb填隙化合物薄膜
x射线光电子能谱
Yb价态 相似文献
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在190K,220K和300K3个不同温度下测量了K3C60单晶薄膜沿[111]方向发射的同步辐射角分辨光电子谱。样品温度为190K时,能够观察到导带有规律的色散,并且带结构与已报道的温度为150K时的结果基本一样。而在220K附近,导带的许多子峰消失,色散不再存在。这两个温度的实验结果与K3C60在200K存在取向相变相符合,并且可在反铁磁Ising模型基础上得到理解。这种模型的定量分析结果还首次对K3C60在200K的相变机理作出了解释,即相变是由低温下的一维无序取向结构转变为200K以上的双取向结构畴与无序分子(约占40%)的混合。室温光电子谱与低温下的结果显著不同,对应于C60分子取向在室温附近的动态无序。 相似文献
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简要地阐述了同步辐射的优越性,介绍了国家同步辐射实验室光电子能谱站与光束线的设备,综述了国内主要用主站工作人员在金属/半导体界面等方面所开展的工作和一些结果。 相似文献
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利用同步辐射光电子能谱研究了室温下p型InP(100)表面,由于K吸附诱发的催化氮化反应过程。对于N_2/K/InP(100)体系的P2p;In4d芯能级和价带谱的研究表明:碱金属吸附于InP(100)表面可以强烈地影响其在室温下的氮化反应,K的存在极大地提高了N_2在InP(100)表面的粘附系数。由我们的实验结果和碱金属吸附于GaAs(110),InP(110),GaP(110)表面的研究结果可知,碱金属吸附于Ⅲ-V族半导体表面后,可以极大地提高N_2在Ⅲ-V族半导体表面的粘附系数,从而促进Ⅲ-V族半
关键词: 相似文献
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S. L. Molodtsov A. Gutiérrez E. Navas M. Domke G. Kaindl M. Merkel N. Nücker J. Fink V. P. Antropov O. K. Andersen O. Jepsen 《Zeitschrift für Physik B Condensed Matter》1993,92(3):347-351
The electronic structure of K-doped C60 was investigated by photoemission (PE) and X-ray absorption near-edge structure (XANES) studies at the C-1s and K-2p thresholds. In addition, information on the local K-derived partial density of states in superconducting K3C60 was obtained by resonant PE at the K-2p
1/2 threshold. The experimental observations support a complete charge transfer from K to C60 and we clearly observe a finite density of states atE
F
. From resonant PE, occupied states with K-p, d character could be identified in the binding-energy region from 1.5 to 8 eV below, but not directly at the Fermi level. This partial-density-of-states structure agrees well with the results of our band-structure calculations based on the local-density approximation. 相似文献
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利用同步辐射光电子能谱研究了Fe/ZnO生长模式、界面化学反应和电子结构.结果表明,Fe在ZnO(0001)表面以类SK模式生长(单层加岛状生长).当沉积约2?的Fe后,生长模式开始从二维层状生长转变成混合模式生长.界面价带谱和Fe3p芯能级谱的分析表明,在低覆盖度下,约有一个原子层(约1.5?)的Fe被ZnO(0001)面的外层O原子氧化,随着沉积厚度的增加,金属态Fe的信号逐渐增强.当吸附了5.1?的Fe时,出现了较强的金属Fe的Fermi边,说明出现了Fe的金属态.此外,在Fe原子吸附过程中,样品功函数在Fe厚度为0.2?时达到最小值4.5eV,偶极层形成后逐渐稳定在4.9eV. 相似文献
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B. Sepiol C. Czihak A. Meyer G. Vogl J. Metge R. Rüffer 《Hyperfine Interactions》1998,113(1-4):449-454
Nuclear resonance scattering of synchrotron radiation has been used to determine the elementary diffusion jump in the ordered stoichiometric alloy FeAl. To that aim the intensity decay in forward direction is measured as a function of crystal orientation. A decision between various jump models confirms earlier results from classical quasielastic Mössbauer spectroscopy, but with considerably better angular resolution. 相似文献
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The evolution of interface formation between MgO and the atomically clean In0.53Ga0.47As is studied by synchrotron radiation based photoemission. The deposition of MgO in a step wise fashion on the decapped In0.53Ga0.47As surface at room temperature results in the growth of an ultrathin interfacial oxide layer. Subsequent thermal annealing at 400 °C led to the reduction of the As and In oxides and the appearance of a Ga oxide component. The deposition of metallic Mg resulted in the further removal of the interfacial oxide and the out diffusion of In into the overlayer indicating severe disruption of the interface. (© 2014 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim) 相似文献