γ,p碰撞生两个大PTγ的反应截面的QCD预言

我们在γ-p质心系里用微扰QCD方法计算了γ+p→2γ(大P_T)反应的双微分截面d2σ/dx_Tdx_L, 并分析了它的两种可能的背景(γ+p→γ+q(q)和γ+p→γ+q(q)). 文中指出, 利用该反应所具备的大p_T光生和直接光子对出射过程的双重特点, 可以把这两种背景大大压低. 计算结果表明, 用QCD预言的γ+p→2γ(大P_T)反应不但具有本底干净的显著特点, 而且在相当大的(x_T, x_L)范围内, 计算得到的反应截面可以在目前的实验精度下测量. 因而, 在实验上精确测定此过程, 对于检验QCD上有意义的.     

一种实验确定微电子器件灵敏体积的方法

介绍一种实验确定微电子器件单粒子翻转(SEU)灵敏体积(S_V)厚度d的方法.用从低到高不同能量的重离子辐照微电子器件, 测量其SEU截面随离子射程的变化曲线σ_seu(r), 用数学计算从σ_seu(r)和LET(r)函数提取d. 利用测得的d和σ_seu(LET), 经过模型计算可得到更精确的空间SEU率的预言值.     

铅(208)集体3－态电四极矩、电八极跃迁和跃迁密度的研究——生成坐标方法的应用

用生态坐标方法(GCM)^[1]a考虑集体3^－态与非集体粒子空穴对(ph)l⁺耦合模型计算了铅(208)3^－集体态的电四极知Q_[3－]、电八极约化跃迁几率B(E3)和跃迁密度ρ^tr_3－随核的径向距离r的变化曲线. 结果是:Q_[3－]=－0.098eb¹⁾,B(E3)=38w.u.²⁾. 计算中没有像通常那样假设一个有效核子电荷而是在GCM框架下考虑核心激发进行微观计算, 其结果与实验符合, 说明GCM能够对核元激发的耦合作微观研究.     

非阿贝尔手征陪集纯规范场的禁闭性质

本文利用格点规范理论的方法讨论手征对称性的非阿贝陪集纯规范场对体系禁闭性质的影响. 具体计算了陪集G/H=SU(2)_L×SU(2)_R/SU(2)模型的流-流传播子, 发现陪集空间纯规范场只提供一个线度律因子, 不影响物理系统的禁闭性质.     

MIT口袋模型中的π0→2γ衰变

本文用MIT口袋模型和波包方法计算了π⁰→2γ过程的宽度. 计算发现m_π→0是一个好的近似. MIT口袋模型给出, Γ(π⁰→2γ)∝m³_π/F²_π, 这种形式与Adler的结果相符合, 但数字结果显示, Γ(π⁰→2γ)的理论值是实验值的2.7倍, 这个差主要来自F_π的理论值与实验值的差. 而这个差很强地依赖于MIT口袋模型的方程和边界条件, 从而对MIT口袋模型构成了一个检验.     

Nd∶KY(WO4)2和Nd∶KG(WO4)2晶体吸收光谱性能分析

通过研究分析钨酸盐晶体Nd∶KY(WO₄)₂和Nd∶KG(WO₄)₂在室温下的吸收光谱，发现这2种晶体具有作为激光晶体的优良特性。根据Judd-Ofelt理论和测试所得的吸收光谱及数据，用VC++编程计算出晶体的谱线强度、振子强度、吸收截面等，拟合得Nd³⁺离子的3个晶场调节参数Ω_λ(λ=2，4，6)的值，并从理论上计算了自发跃迁几率、能级寿命、荧光分支比和积分发射截面。从计算得出的荧光分支比β可以看出，Nd∶KY(WO₄)₂(β_1060nm=0.4380)和Nd∶KG(WO₄)₂(β_1060nm=0.4618)晶体荧光分支比都较大，计算了该晶体的X=Ω₄/Ω₆，并将其X值与其他晶体的X值加以比较，Nd∶KY(WO₄)₂和Nd∶KG(WO₄)₂均易于实现1.06μm激光输出，适合作为LD泵浦的钨酸盐晶体激光器。     

Demonstration of GaN/InGaN Light Emitting Diodes on (100) β-Ga2O3 Substrates by Metalorganic Chemical Vapour Deposition

The growth and fabrication of GaN/InGaN multiple quantum well (MQW) light emitting diodes (LEDs) on (100) β-Ga₂O₃ single crystal substrates by metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) technique are reported. x-ray diffraction (XRD) θ-2θ scan spectroscopy is carried out on the GaN buffer layer grown on a (100) β-Ga₂O₃ substrate. The spectrum presents several sharppeaks corresponding to the (100) β-Ga₂O₃ and (004) GaN. High-quality (0002) GaN material is obtained. The emission characteristics of the GaN/InGaN MQW LED are measurement. The first green LED on β-Ga₂O₃ with vertical current injection is demonstrated.     

J/ψ辐射衰变过程中3－+胶子球的产生

本文导出了过程J/ψ→γ+G(3^－+), G(3^－+)→M₁M₂的多重角关联函数, 其中G是J^pc=3^－+的态, M₁和M₂是自旋为零的介子. 本文还讨论了3^－+胶子球态并计算了过程J/ψ→γ+G(3^－+)的螺旋性(helicity)振幅之比. 结果表明, 其中的一个比率与胶子球的质量无关, 其值很小.     

一个基于Hölder积分不等式的格点规范场论变分方法

用Hölder积分不等式使出现在格点模型配分函数中的高重群积分退耦, 并以不等式中的任意参数作为变分参数, 可以求出体系元格自由能的下限. 我们计算了Wilson作用量的四维Z₂ 、U(1)、 SU(2)纯规范格点模型的内能曲线. Z₂的一级相变点在β=0.4—0.45处是非常明显的. 但不能发现U(1), SU(2)、的高于一级的相变点.     

强子结构π云MIT-袋模型

我们构造了一手征对称的π去MIT-袋模型. 求出球对称的π场经典解, 重新计算了强子袋质量谱. 计算了Δ⁺⁺(1236)的衰变宽度和P₃₃πN相移δ₃₃, 与实验符合得很好.     

静压下Zn1-xCdxSe/ZnSe窄量子阱的激子和光跃迁

利用波恩公式近似建立了应变与介电常量的定量关系考虑应变对介电常量、有效质量、晶格常量(体积)等诸多物理量的影响,用变分法计算了静压下Zn_1-xCd_xSe/ZnSe窄量子阱中激子结合能和光跃迁能量随压力的变化理论计算结果与其他作者的实验和理论结果进行了比较和讨论.     

色散系统中束流投影发射度的增长

本文讨论了传输系统中由于轨道的动量色散而引起的束流投影发射度的增长. 导出了计算横向和纵向投影发射度增长率的公式. 假如(XOZ)为偏转平面. 则所导出的投影发射度的增长率为: 这里ε_x0和ε_z0分别是束流的横向和纵向初始发射度; 是动量散度; β_xf, α_xf, γ_xf是系统对x方向自由振荡的接收度参数; η和η′是色散函数及其导数.     

40Ca区域原子核的单粒子和单空穴谱

应用由单粒子格林函数导出的本征方程, 严格顾及G矩阵的偏离能壳性, 得到的³⁹Ca单空穴谱和⁴¹Ca单粒子谱与实验值符合颇好, 其中⁴¹Ca的单粒子谱较以往的RBHF结果有明显改进. 取含有能移的等效谐振子表象作为初始近似, 计算了单粒位阱u_αβ=M_αβ(ε_β)(M_αβ(ω)表示质量算符)的本征解, 亦得到颇好结果. 此外, 本文还考查了G矩阵中泡利算符的选取及谐振子能量零点的选取对能谱的影响. 比较Reid软心势与Paris势的计算结果表明Paris势是一个较好的核力势.     

激子模型理论中初激子数n0的统计性质及其对结果的影响

本文提出了初激子数n₀具有统计性质的假定, 由此得到任一可能的n₀的出现几率h(n₀)的表示式. 预平衡发射的实验结果应由各种可能的n₀的贡献权重求和得到, 从而在激子模型计算中统计地确定了n₀对结果的影响.     

脱耦合项对K=1/2转动带的转动惯量变化的影响

采用处理含有对力的推转壳模型(CSM)的粒子数守恒方法(PNC)研究了脱耦合项对正常形变奇A核¹⁷¹Yb的[521]1/2转动带的转动惯量随角频率变化的影响. 在计算中同时考虑了单极对力和Y₂₀四极对力, 实验结果在PNC方法计算中得到了较好的重现.     

两类复合模型中夸克和轻子的家族问题

为了解决夸克和轻子的家族问题, 本文提出两类SU(3)_sc×SU(N)复合模型(模型A和B). 基本组元preon是两种无质量自旋1/2的费米子. 应用费米原理于三个preon超色单态复合体系, 得到了符合模型要求(同一个来自SU(N)的相同表示并按水平规范群的相同表示变换)的各种SU_sc×SU(N)模型包含的夸克和轻子家族数. 其中, 模型A的SU(3)_sc×SU(6)和SU(3)_sc×SU(5)分别预言了三代和五代轻的夸克和轻子家族.     

可重整的SU(2)L×U(1)Y模型中的轴矢Ward恒等式和维数正规化

利用维数正规化方法, 通过到单圈的明显计算, 证明了包含重轻子的无Adler-Bell-Jackiw(ABJ)反常的SU(2)_L×U(1)_Y模型中的轴矢Ward恒等式的成立性是与γ₅的两个在n维中的定义无关的. 它的一个自然的推论是维数正规化方法适用于我们的有轴矢耦合费米子的模型. 当把AVV三角形嵌入到轴矢费米子顶角中时, 发现在n→4的物理极限下它并不会引起任何新的有限的反常, 从而至少到两圈的水平证明了Frampton有关存在新的与质量相关的反常的猜测在我们的非Abel情况下同样是不成立的.     

四重子系统核谱

本文用SU(6)对称理论讨论了四重子系统, 为分析实验普提供了一种方法. 利用_ΛΛ⁴H, _ΛΛ⁴He_{, Λ}⁴He和⁴H的基态是在SU(6)的同一个不可约表示中, 从_Λ⁴H, _Λ⁴He和⁴He的实验资料可以求出_ΛΛ⁴H和_ΛΛ⁴He的质量. 计算表明J^π=0⁺双Λ超核_ΛΛ⁴H和_ΛΛ⁴He不象有束缚态.     

40Ca无中微子双β衰变中的右手流

本文用双核子机制及核矩阵元的有效算符理论讨论了在轻子数不守恒的0νββ衰变中的右手流. 从⁴⁰Ca的0νββ衰变的实验寿命计算了右手流混合参量η, 及其和Majorana中微子质量m_ν之间的关系. 我们的计算给出: i)当|η|=0时, m_ν≤(18~23)eV;ii)当|η|≤(1.6~2)×10^－5.     

1.3μm场助TE光阴极In1-xGaxAsyP1-y/InP的能带计算及外延层的设计

本文首先简述了1.3μm场助TE光阴极InP(衬底)/In_1-xGa_xAs_yP_1-y(光吸收层)/InP(发射层)/Ag/CsO的工作原理,并对其能带结构进行了计算,得到了In_1-xGa_xAs_yP_1-y(光吸收层)/InP(发射层)的势垒高度、掺杂、InP发射层厚度、组份、渐变区宽度,偏压及耗尽层宽度间的定量关系。并由此出发,对光阴极各参数的设计进行了分析讨论。