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微波BJT超宽带低噪声放大器的设计 总被引:3,自引:0,他引:3
本文给出了一种频带覆盖达10-1600MHz的微波BJT超宽带低噪声放大器的设计方法,从微波BJT的噪声模型出发,通过拟合50Ω源阻抗下微波BJT的噪声系数NF50和S参数来提取其噪声参数,然后根据增益,噪声及驻波比要求优化设计放大器,使放大器在超宽带范围内获得平坦增益和低噪声,本文所给出的微波BJT惨数提取及放大器优化设计方法已由实验结果所验证。 相似文献
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超宽带低噪声放大器的计算机辅助设计 总被引:1,自引:0,他引:1
叙述了超宽带低噪声放大器的计算机辅助设计方法,提出了利用普通微带混合集成电路.工艺设计超宽带低噪声放大器的方法和关键技术,并且用带封装的BJT和FET实现了两个超宽带低噪声放大器。实验结果和设计结果吻合较好。一个利用2SC3358,放大器为三级,频带为30kHZ~1600MHZ,增益G=20±1dB,噪声系数NF≤3.5dB;另一个利用ATF10235(6),放大器为二级,频带为500kHZ~6000MHZ,增益G=20±2dB,噪声系数NF≤2dB。 相似文献
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针对单片雷达接收机中对低噪声放大器(LNA)的要求,采用CMOS0.18,um工艺设计了一个三级级联的镜像抑制低噪声放大器。通过在低噪声放大器中接入限波滤波器,实现对镜像信号的衰减,从而减小了后端混频器电路的设计难度。在ADS中对设计的放大器仿真,其结果为:最大供电电压为5V情况下,信号频段为3.0~3.2GHz,中频输出为225MHz,功率增益≥31dB,噪声系数(FN)≤O.5dB,1dB点的输入/输出功率分别为-19.5dBm和11.5dBm,对镜像信号的抑制度达22dB。 相似文献
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设计了一种适用于超宽带无线通信系统接收前端的全集成低噪声放大器.该放大器以经典窄带共源共栅低噪声放大器为基础,通过加入并联负反馈电阻以扩展带宽,采用噪声消除技术优化噪声系数.低噪声放大器基于SMIC 0.18-μmRF CMOS工艺进行设计与仿真,仿真结果表明,在3-5 GHz的频带范围内,S11小于-13 dB,S22小于-11.8 dB,S21大于17.3dB,S12小于-32 dB,增益平坦度小于0.7 dB,最大噪声系数为2.9 dB,输入三阶截断点为-12.9 dBm.采用1.8 V电源供电,电路总功耗约为20.5 mW. 相似文献
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文中给出了一个应用于超宽带射频接收机中的全集成低噪声放大器,该低噪声放大器采用了电阻并联负反馈与源极退化电感技术的结合,为全差分结构,在Jazz0.18μm RF CMOS工艺下实现,芯片面积为1.08mm2,射频端ESD抗击穿电压为1.4kV。测试结果表明,在1.8V电源电压下,该LNA的工作频带为3.1~4.7GHz,功耗为14.9mW,噪声系数(NF)为1.91~3.24dB,输入三阶交调量(IIP3)为-8dBm。 相似文献
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基于0.18 μm CMOS工艺,设计了一种应用于10 GHz以下无线通信频段的两级超宽带低噪声放大器(LNA)。第一级在互补共源级的基础上通过引入电阻反馈、电感峰化技术和伪电阻结构,在拓展带宽和提高增益的同时降低了噪声。第二级在共源放大的基础上通过电感峰化技术、增益辅助级和缓冲级的使用,提高了电路的增益并改善了输出宽带匹配特性。仿真结果表明,在0.5~9.2 GHz频率范围内,电路增益为14.2±0.2 dB,噪声系数(NF)小于3.97 dB,整体功耗为12.9 mW。 相似文献
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3.1~10.6GHz超宽带低噪声放大器的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
基于SIMC0.18μmRFCMOS工艺技术,设计了可用于3.1—10.6GHzMB—OFDM超宽带接收机射频前端的CMOS低噪声放大器(LNA)。该LNA采用三级结构:第一级是共栅放大器,主要用来进行输入端的匹配;第二级是共源共栅放大器,用来在低频段提供较高的增益;第三级依然为共源共栅结构,用来在高频段提供较高的增益,从而补偿整个频带的增益使得增益平坦度更好。仿真结果表明:在电源电压为1.8v的条件下,所设计的LNA在3.1~10.6GHz的频带范围内增益(521)为20dB左右,具有很好的增益平坦性f±0.4dB),回波损耗S11、S22均小于-10dB,噪声系数为4.5dB左右,IIP3为-5dBm,PIdB为0dBm。 相似文献
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CMOS低噪声、低漂移、低失调运放是为"心电图机专用集成电路"而设计的,要求具有高输入阻抗、高CMRR、低漂移、低失调、尤其是低的1/f噪声。CMOS器件与双极型器件和JFET器件相比,通常有较大的1/f噪声电压。由于采用特殊的设计技术,使我们研制的CMOS运放具有较低的1/f噪声,且功耗较低。经研制及投片,实例得0.05Hz~250Hz等效输入噪声电压峰峰值小于2.5μV,±2.5V到±10V电源电压下输入失调小于1mV,共模抑制比110dB以上,完全达到设计指标。该运放可广泛用于生物医学电子学及其他需要低噪声运放的场合,在±2.5V工作时亦可作为微功耗运放使用。 相似文献
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基于TSMC O.18μm RFCMOS工艺设计了一种无电感并联负反馈的超宽带低噪声放大器(LNA).在3~5 GHz工作频率范围内,电阻电流复用技术为整体电路提供自偏置,使其在足够的带宽范围内均可实现较高增益;同时噪声相消技术又可消除部分沟道热噪声,在很大程度上降低了放大器的噪声系数,由仿真结果可以看到:LNA在3~5 GHz内实现了良好输入输出匹配和较好的线性度,同时得到了较好的电压增益和噪声性能;并且其在整个频带范围内增益达到11~13.9 dB,噪声系数小于4.6 dB.整个设计最大的优点是没有用到片上电感,使得芯片面积大大缩小,这对商业应用具有极大的吸引力。 相似文献
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针对目前X波段低噪声放大器的电路拓扑结构不易选择,故提出了一种采用微带分支线匹配结构和三级级联方式的X波段低噪声放大器(LNA)。放大器选用NEC低噪声放大管NE3210S01,利用ADS(Advanced Design System)软件设计、仿真、优化,放大器实测结果表明:在9.2 GHz~9.6 GHz频带内,噪声系数小于1.7 dB,带内增益达到33.5 dB,带内增益平坦度ΔG≤±0.3 dB,输入、输出驻波比均小于1.5。该放大器已应用于X波段接收机,效果良好,其设计方法可供工程应用参考。 相似文献
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针对通信系统中信噪比的改善问题,分析了低噪声放大器的电路形式,确定了器件的选取方法,阐述了低噪声放大器的设计思路,介绍了使用ADS软件进行X波段低噪声放大器的设计。利用Fujits公司的FHX13X和Transcom公司的TC1201,两级级联,并对电路进行仿真和优化,判定放大器的稳定性。通过软件修正得到最终电路设计,经过最终数据分析,总结设计过程中的关键技术。 相似文献