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刘涌 《电子产品可靠性与环境试验》1999,(3)
下表列出了美国国家半导体公司的主要圆片制造工艺的早期失效率(PPM)和长期失效率(非特)。用来计算这些失效率的所有数据是从97年9月18日~98年9月18日实施的高温工作寿命试验中获得的,这些数据包括鉴定试验数据和长期审核数据。早期失效率是用60%置... 相似文献
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《电声技术》1993,(3)
1959年仙童半导体公司(FAIRCHILD SEMICONDUCTOR)的Robert Noyce与研究小组在加巴鲁欧图(PALOALTO CALIFORNIA)发明了“平面”处理方法(PLANAR PROCESS),制成了世界上第一片集成电路。同年,美国国家半导体公司(National Semiconductor Corporation)在美国康乃狄克州丹贝利(DANBURY CONNECTICUT)成立。美国国家半导体公司成立初期,以制造三极管为主,用以代替电子管,给第二代电脑使用。 1967年,施博特(CHARLES E.SPORCK)加入美国国家半导体公司成为首席行政总裁,他曾经是当时世界主要集成电路生产者——仙童半导体公司的常务经理。 相似文献
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对失效率λ(t)和瞬时失效率h(t)所具有的实际含义和表征内容进行了深入的探讨。同时详解了失效密度函数f(t)在可靠性工程计算中具有将随机失效数转变为连续变化量的作用。对这几个可靠性参量在工程应用和计算时的适用场合作了分析。通过简洁易懂的论述和实际的计算实例,重点说明了瞬时失效率的3个特点,希望在可靠性基础理论的学习中正确地理解失效率和瞬时失效率的意义。 相似文献
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《电子产品世界》2003,(12)
国半新近推出Solutions.National.com设计工具软件网站,用户可以免费利用设计软件挑选最合适的芯片产品以及搜寻所需的设计资料,以大幅缩短产品推向市场的时间。该公司的全套 WEBENCH 4.0 设计工具还添加了多个专为开发高电压电源供应器而设的开关稳压器设计方案。Solutions.National.com 是一个容易使用的互动式网上设计支持系统,网站储存了三十种彩色编码结构框图,适用于八类产品市场的各种不同的应用方案,其中包括汽车电子系统、宽带通信、显示器、工业用设备、医疗仪器、个人/消费电子产品、电源管理及无线通信系统。美国国家半导… 相似文献
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《电子技术》1993,(6)
美国国家半导体公司(NSC)主要设计、生产及销售高性能半导体器件,在混合模拟数字技术及通信技术方面居领先地位。SiRF及ABiC是该公司的商标,下面介绍该公司今年上半年度推出的最新器件。一、用于无线电通信的硅射频芯片美国国家半导体公司在今年二月宣布推出PLL-atinum~(TM)系列,锁相环(PLL)射频合成器。这是该公司为无线电收发器提供的一系列解决方案之一,PLLatinum硅放射频(SiRF~(TM))芯片属首批。 PLLatinum系列产品不但性能有所改良,价格也更为合理,而且耗电量减少了66%,包装面积亦缩小了51%。新产品的封装从16脚的JEDEC到20脚1.1mm 相似文献
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1.失效率定义 失效率是表征半导体器件可靠性的最重要指标之一。它以字母λ(t)表示,它表示半导体器件工作到时刻t的条件下,单位时间内的失效概率。失效率有三种表示单位:一是每小时10的负几次方,例如1×10~(-6)/小时,国内常以此单位表示;二是每小时的百分数(%/小时)或每千小时的百分数(%/千小时);三是Fit(菲特),1Fit=1×10~(-9)/小时,即10亿个元器件每小时内只允许1个半导体器件失效,国 相似文献
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《电声技术》1992,(4)
站在科技尖端不断精益求精美国国家半导体公司是世界半导体技术的翘楚,在开发、研制及销售先进的专利半导体产品上起指导作用。她的半导体业务主要分为两大类:通讯及运算(Communications& Computing Group)和标准产品类(Standard Products Group)。通讯及运算类又分为六个部分:创新产品部(INNOVATINEPRODUCTS DIVlSION);局域网络部(LOCAL REAL NETWORKS DIVISION);大容量存储业务部(MASS STORAGE BUSINESS UNIT);嵌入式控制部(EMBEDDEDCONTROL);办公室自动化部(OFFICE 相似文献
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扬声器可靠性指标目前尚无现行标准,全国电声学及视听设备标准化技术委员会已立项制订这项参数标准。该文提出扬声器失效率(λ)及其试验方案供大家参考,如有其他试验方案和试验方法,最好用实验数据并结合电视机及收录机用扬声器的特点加以验证,欢迎来稿共同讨论。 相似文献
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国家半导体有限公司,多年来一直紧随半导体制程技术领先地位,目前他们计划将制程技术推到0.25μm及以下。他们新任执行官Brian Halla表示:我们将先做到0.25μm,进而挑战0.18μm。国家半导体公司设计模拟电路的能力也很强,能以很短的周期设计、制造出高性能的集成芯片,现在已经具有0.35μm制程能力。 相似文献