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本发明提供一种可在包括红外谱段在内的宽光谱范围内进行高性能成像的MOS或CMOS传感器。由于这些宽光谱范围可能还包括可见光的一部分或者全部光谱,所以该传感器还具有日光成像和夜视的能力。该传感器由一个多元MOS或CMOS读出列阵和做在该读出列阵上面的连续多层光电二极管结构组成,其中的光电二极管结构是用来敏感红外辐射的。 相似文献
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固体单光子计数雪崩光电二极管可用于荧光衰变实验和其它用途。它们发展的下一步应该是低噪声的微型探测器列阵,然而,这种发展却受到了器件之间的串话的阻挠。爱尔兰国立大学的研究人员正在对这种探测器之间的串话进行建模并通过测试来验证他们的模型。 这种列阵的集成方式是产生问题的原因之一,因 相似文献
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焦平面列阵技术的不断发展以及高质量Ⅲ-V族材料的可获性,已使得采用InGaAs光伏探测器的高性能商用二维列阵的制备成为可能。这种先进的InGaAs焦平面列阵对于制造高灵敏度近红外摄像机是有帮助的。 相似文献
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美国专利US6462663 (2002年10月8日公布) 现有的用于安全或监视方面的传感器一般分为两类。一类是简单的被动式传感器,如被动式红外传感器,这类传感器可以探测目标的移动情况并产生相应的告警或警报信号。另一类是比较复杂的监视装置,如闭路电视摄像机,这类传感器是利用许多个探测器元件来 相似文献
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一、系统1.可用于多种应用的高级焦平面列阵(特邀论文)(L. P.Chen,美国雷锡恩红外经营公司)2.基于焦平面列阵技术的先进激光敏感接收器概念(特邀论文)(P.L.Hacobson等,美国洛斯阿拉莫 期国家实验室) 相似文献
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国际光学工程学会于１９９６年４月１０－１１日在美国佛罗里达州奥兰多市召开了“红外探测器和焦平面列阵”专题讨论会,会后出版了该专题的会议论文集,以下介绍论文集题录。 相似文献
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美国专利US7544532 (2009年6月9日授权)本发明提供采用改进型钝化层的InSb红外光电二极管及传感器列阵,同时还提供了其制作方法。该方法的具体步骤如下:在n型衬底中形成光电二极管探测器区之前,用分子束外延技术在n型InSb衬底上沉积一层AlInSb钝化层;直接通过该AlInSb钝化层注入一种合适的P~+掺杂剂,以形成光电二极管探测器区;有选择地去除AlInSb钝化层,使InSb衬底的第一区暴露出来,然后在InSb衬底第一区形成栅接点;在光电二极管 相似文献
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美国喷气推进实验室的研究人员目前正在研制一种采用背照式硅基光电探测器的曲面焦平面列阵。他们的基本思想是,通过制作一种与弯曲的焦面相一致的图像传感器来提高成像仪器的性能和简化获得给定性能所需的光学系统。 相似文献