多孔硅/八羟基喹啉铝复合体系的电致发光

采用阳极氧化法制备了多孔硅(PS)，通过真空沉积在纳米孔中组装了有机发光小分子八羟基喹啉铝(Alq3)，制作了有机／无机复合电致发光器件，并与单层的Alq3电致发光器件相比较，观察到复合体系的电致发光蓝移现象，这种蓝移现象与纳米孔对有机分子聚集程度的限制有关。     

8-羟基喹啉锂蓝色有机电致发光器件

合成了蓝色有机薄膜电致发光材料8-羟基喹啉锂(Liq),8-羟基喹啉锂薄膜的PL光谱峰位于475nm^2分析了8-羟基喹啉锂发射光谱蓝移的原因^2制备了两种结构的蓝色发光器件,其最高亮度分别为1200cd／m^2和2000cd／m^2,EL峰位于490nm^2用能级图比较和分析了两种器件的特性。     

8-羟基喹啉锂材料及器件特性的研究

阐述了蓝光材料Liq的合成及其提纯方法,并用Liq作为发光材料制备了蓝色有机发光器件,研究了CuPe对该器件特性的影响.结果表明,CuPe的加入降低了空穴载流子的注入势垒,有利于提高空穴注入能力,因而提高了器件的亮度和发光效率.在电压为16 V时,没有缓冲层的器件效率为0.363 cd/A,有缓冲层的器件效率为0.731 cd/A.     

八羟基喹啉金属配合物的发光特性的研究

合成了八羟基喹啉铝和八羟基喹啉锌．测量了粉末和薄膜的荧光光谱．并分析了从粉末到薄膜发射峰红移的原因。制备了单层和双层的器件，从载流子注入平衡的角度分析了器件的救率变化的原因。     

有机发光材料8-羟基喹啉钕的合成、表征和薄膜制备

介绍了制备高纯度有机发光材料8-羟基喹啉钕(Ndq3)和生长Ndq3薄膜的方法.通过X-射线衍射谱、红外吸收光谱、紫外吸收光谱以及荧光光谱测试分析,对Ndq3粉末和薄膜的结构和特性进行了表征.标定了Ndq3中喹啉环的存在;计算得出Ndq3的禁带宽度为2.8 eV;证实了Ndq3分子中的Nd-O键为共价键而非离子键;测得Ndq3的荧光发射光谱位于472 nm(蓝光区域);证明了光激发位于喹啉环上而不是金属Nd3+上.与Al和Zn的金属螯合物相比,Ndq3中的Nd3+成键共价键较强,极化力较弱.对不同衬底温度下生长的Ndq3薄膜做了XRD分析,发现Ndq3薄膜呈多晶态,且随温度升高,衍射单峰逐渐增强,显示Ndq3薄膜的结晶性能随衬底温度的升高变好,结晶晶粒尺度也随着衬底温度的升高逐渐变大,薄膜表面形貌更加均匀.     

激发态质子转移型有机分子7-羟基喹啉的光开关效应

本文研究了质子转移型有机分子７－羟基喹啉在皮秒激光脉冲作用下的光开关现象。实验结果表明７－羟基喹啉在３５５ｎｍ的皮秒光脉冲的作用下对４８８ｎｍ和６３２．８ｎｍ的光有明显的开关效应,而在５３２ｎｍ的皮秒光脉冲的作用下无此效应。产生开关效应的原因是由于７－羟基喹啉分子在激光态质子转移过程中生成的阳离子和阴离子具有较大的光学非线性。     

以Liq:rubrene为单发光层的白色OLED的制备与研究

以ITO玻璃基片为衬底,8-羟基喹啉锂(Liq)掺杂红荧烯 (Rubrene)作为单一发光层,制备结构为ITO/PTV:TPD/Liq:Rubrene/Alq3/Al的白色有机电致发光器件(OLED),其量度达到3 120 cd/m2.对4种不同掺杂浓度器件进行比较,分析了掺杂剂对器件发光亮度的影响,并对上述器件的发光和电学性能进行了研究和探讨.     

八羟基喹啉锌非晶薄膜器件的制备和开关特性

介绍了八羟基喹啉锌（Znq2）有机薄膜及器件的制备方法. X射线衍射谱指出，用真空蒸发方法制备的Znq2薄膜呈非晶态结构；通过对Znq2有机薄膜I-V曲线的分析，揭示了Znq2薄膜的开关特性. 基于分子在电场作用下的空间取向的变化，对这一现象提出了一种可能的理论解释.     

八羟基喹啉锌非晶薄膜器件的制备和开关特性

介绍了八羟基喹啉锌(Znq2)有机薄膜及器件的制备方法.X射线衍射谱指出,用真空蒸发方法制备的Znq2薄膜呈非晶态结构;通过对Znq2有机薄膜I-Ⅴ曲线的分析,揭示了Znq2薄膜的开关特性.基于分子在电场作用下的空间取向的变化,对这一现象提出了一种可能的理论解释.     

PVK∶Alq3掺杂体系电致发光器件性能的研究

采用一定比例的PVK和Alq3混合薄膜作为发光层．制备了Al／PVK：Alq3／ITO单层器件。利用PVK和Alq3混合薄膜的吸收光谱、激发光谱、光致发光谱、电致发光谱研究了薄膜的激发态过程，结果表明PVK和Alq3之间存在着能量传递，器件所表现的发光主要为Alq3的发光。同时利用电流电压关系、发光强度和电压的关系对器件的光电性能进行了研究，发现Al／PVK：Alq3／ITO单层器件有良好的发光性能。     

超瑞利散射法研究7—羟基喹啉的一阶超级化率

本文报道了利用超瑞利散射 (HRS)技术研究 7-羟基喹啉 (7HQ)的二阶非线性光学性质。采用波长为 10 6 4 nm、脉冲宽度为 35 ps的激光作激发光 ,观测其超散射光强与入射光强的关系 ,得到 7HQ的一阶超极化率为 3.2× 10 - 2 9esu。     

纳/微米ZnO同质结器件的制备及电子学特性研究

用低压化学气相沉积法制备了T形和V形纳/微米ZnO同质结,用扫描电子显微镜(SEM)和高倍光学成像显微镜观察了同质结的结构与生长形貌,分析了其结构及生长机理。利用ZnO同质结组装成了纳/微米ZnO同质结器件,分析研究了这些器件的I-V特性,并对I-V特性变化规律进行了分析讨论。     

8-羟基喹啉铝作为修饰层对C60有机场效应管性能影响的研究

采用真空蒸镀技术制备了以喹啉铝(tris(8-hydroxyquinoline) aluminum, Alq3)作为修饰层的C60有机场效应管器件,并研究了修饰层的厚度对于器件性能的影响。实验表明,随着Alq3修饰层厚度的增加,器件的性能参数得到改进。当Alq3修饰层厚度为10nm时,器件场效应的迁移率达到最大值,为1.2810-2cm2/Vs,阈值电压也下降到了10V。分析了缓冲层使器件性能提高的主要原因可能有两个：一个是可以阻止金属原子扩散进入C60有机层,另一个是使Al/C60界面间的沟道电阻降低。     

与硅平面工艺兼容的p~-/p~+型多孔硅的发光特性研究

ｐ－／ｐ＋型多孔硅电致发光器件对实现硅基光电子集成具有重要的意义，我们通过改变样品衬底的离子注入浓度和阳极氧化条件，在ｐ－／ｐ＋型单晶硅衬底上生长了不同的多孔硅样品后，在纯氧和稀氧氛围下对样品进行了８００℃高温退火处理．通过测量样品的光致发光谱，研究了样品衬底离子注入浓度，阳极氧化条件及后处理条件等对ｐ－／ｐ＋型多孔硅样品发光的影响，为研制与硅平面工艺兼容的多孔硅发光器件，提供了重要的参考设计参数和进一步改进工艺的依据     

多孔铝膜的偏振特性研究

用阳极氧化方法制备了多孔Al，并向其孔中镀入Cu，观察到了其表现出的偏振性质。实验结果表明，镀Cu多孔Al膜确实和线栅偏振器一样表现出偏振性质。未电镀的多孔Al，在650.0nm显示出较好的偏振特性；对于电镀的样品，在1500.0nm显示出较好的偏振特性。电镀后的多孔Al膜的透射率相对降低，但偏振度明显提高。     

n-ZnO/p-Si异质结J-V特性的实验研究

本文首次报道n-ZnO/p-Si异质结J－V特性实验测量的初步结果－经退火处理的异质结反向饱和电流密度比未经退火的减少一个数量级,表明退火改善ZnO／Si晶格界面结构,提高了n-ZnO/p-Si异质结性能。     

双发光层白色FOLED的制备及其性能研究

采用以含ITO导电层的柔性透明PET基片作为衬底,荧光材料TBPe、Rubrene分别掺杂在主体材料CBP和Balq中作为蓝色发光层和橙红色发光层,制备了双发光层白色柔性有机电致发光器件(FOLED)。通过适当调节发光层的掺杂比例和厚度,得到了发光性能理想的白光器件。测量表明,制备的器件色稳定性很好,色度随外加驱动电压在很大范围内变化很小,且其色坐标均非常接近于白色等能点。当电流密度为50mA/cm2时,器件最高外量子效率达到0.9%。通过抗弯折性能的测试证明,可以基本实现柔性显示的目的。     

异质结InP/InGaAs探测器欧姆接触温度特性研究

为了研究异质结InP/InGaAs探测器帽层的欧姆接触特性,采用Au/p-InP传输线模型(TLM),对比不同退火温度下的接触特性,在480℃、30 s的退火条件下实现室温比接触电阻为3.84×10~(-4)Ω·cm~2,同时,对欧姆接触的温度特性进行了研究,发现随着温度降低比接触电阻增加,在240~353 K温度范围内界面电流传输主要为热电子-场发射机制(TFE);240 K以下,接触呈现肖特基特性.利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)分别对界面处的扩散程度和化学反应进行了分析,发现经过480℃、30 s退火后样品界面处存在剧烈的互扩散,反应产物Au_(10)In_3有利于改善Au/p-InP的接触性能.     

n+多晶硅/n+ SiC异质结欧姆接触

采用器件仿真软件ISE TCAD模拟了n 多晶硅/n SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术.模拟结果表明n 多晶硅/n SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触,具有工艺简单、性能优良的优点.     

双注入结型场效应管的电流-电压特性

对新型半导体器件——双注入结型场效应管的电流－电压特性进行了详细分析，并得出解析表达式，为该器件的设计和应用提供了理论依据。