980 nm 垂直腔面发射激光器低欧姆接触电阻制备

研究了980 nm的垂直腔面发射激光器(VCSEL)欧姆接触技术.降低VCSEL的欧姆接触电阻,可有效地提高VCSEL的输出功率和延长其可靠性.P面采用高掺杂的P-GaAs/Ti/Pt/Au系统,N面采用N-GaAs/Ge/Au/Ni/Au系统,通过优化合金温度,得到了最佳优化合金温度为440 ℃,最低欧姆接触电阻值为0.04 Ω,同时对比了440 ℃和450 ℃器件的输出功率和转换效率之间的对比关系.测试结果表明,440 ℃器件的欧姆接触电阻0.04 Ω,峰值波长980.1 nm,光谱的半高宽0.8 nm,平行发散角θ_‖ 15.2°,垂直发散角θ_⊥ 13.5°,输出功率1.4 W,转换效率最大值为14.4%,而450℃的器件欧姆接触电阻为0.049 Ω,输出功率为1.3 W,转换效率为12.8%.通过优化合金温度能有效地降低980 nm的VCSEL欧姆接触电阻.     

三维光滑接触界面上的分配参数滑移面算法

针对三维滑移界面上的分配参数滑移算法,提出一种三维滑移面光滑目的 ,仅根据单元面顶点的坐标和法向等局部信息,构造出曲面片边界G¹连续(切平面连续),曲面片内C¹连续的三维光滑曲面,此目的 为实际的滑移面提供一个准确的几何表达.在此光滑曲面上构建了具有C¹连续的法向压力场和质量面密度场.然后在光滑滑移界面上通过Newton-Raphson迭代计算接触点,依据分配参数滑移算法施加接触约束和接触计算.数值算例显示光滑的接触滑移面可以减少滑移节点的振动,提高计算的收敛性.     

考虑全动态电子判据的等离子体原子结构的精确计算

将自由电子连续谱界限国由准动态的原子边界处的势能V（R0）修改为原子中束缚电子能带最先出现交叠时能带的下限εic，这时的连续谱界限εic是在原子结构中通过解两类边界条件获得并参与迭代计算，因而εic是完全随结构的自洽迭代而动态变化的。将连续谱界限由V（R0）修改为εic，使得原子在密度升高的过程中，随着外壳层能级的逐渐交叠，准自由电子的离化将变得更加容易和平缓，从而使电子离化度和物质电子压强等参量的计算更加准确和光滑。     

基于高级统计能量分析的周期加筋板振动特性研究

统计能量分析(statistical energy analysis, SEA)是复杂耦合系统中、高频动力学特性计算的有力工具. 本文以波传播理论和SEA的基本原理为基础, 研究周期加筋板中弯曲波传播特性. 分析了周期结构的频率带隙特性和加强筋对板上弯曲波的滤波特性对SEA计算结果的影响规律, 发现经典SEA由于忽视了加筋板中物理上不相邻子系统间存在的能量隧穿效应, 而导致响应预测结果产生最高近 40 dB的误差. 为了解决这一问题, 本文应用高级统计能量分析(advanced statistical energy analysis, ASEA)方法, 考虑能量在不相邻子系统间的传递、转移和转化的物理过程, 从而大幅提高子系统响应的预测精度, 将误差在大部分频段降低至小于5 dB. 设计了模拟简支边界条件的加筋板振动测试实验装置, 实验测试结果与有限元结果符合较好, 对理论模型进行了验证.     

以LCD为目标的自动定焦判据选择

在光学综合自动测量中 ,使用液晶显示屏作为分划板可以大大简化结构 ,提高效率 ,真正地实现自动测量。由于液晶显示具有对比度低、噪声大等特点 ,所以根据液晶的这些特点以及图像处理和CCD信号接收的特点选择两种适用的判据进行了分析和试验比较 ,并给出了结果。结果表明 ,这两种判别函数都适用于以液晶显示屏为目标和用图像处理方法进行光学参数测量的系统 ,其中锐度判别函数更优于信息熵判别函数 ,前者具有更好的抗干扰性和稳定性 ,而且其判定结果更接近目视清晰度判别     

双层加筋板低频声的隔离与有源控制

为探讨加筋对双层结构低频隔声及有源控制的影响,分析了筋条数目及布放位置对双层加筋结构低频隔声性能、有源控制策略选取及有源隔声性能的影响。首先利用模态叠加与声-振耦合理论对双层加筋结构建模,然后采用数值算例对上述问题展开探讨。研究发现,筋条数目增多或筋条靠近基板的中间位置布放,将有利于双层加筋结构低频隔声性能的提高。对于有源控制措施,声控制策略与力控制策略相比,前者的控制效率较高且降噪效果较好。由于筋复杂的耦合影响,添加多条筋或筋条靠基板中间布置时有源控制效果减弱,需施加多个点源才能获得较好的降噪效果。     

欧姆接触中接触电阻率的计算

从欧姆接触电阻率的定义出发,先从理论上介绍了热离子发射、热离子场发射和场发射三种不同情况下欧姆接触电阻率的计算公式,然后详细地从实验上综合各种测试方法,并讨论了其利弊．     

尘埃等离子体鞘层的玻姆判据

采用流体方程和自洽电荷变化模型研究了尘埃等离子体鞘层的玻姆判据. 讨论了离子临界马赫数和尘埃粒子临界马赫数随尘埃密度变化的关系, 以及尘埃表面势随尘埃密度变化的趋势. 由于鞘边尘埃粒子的存在, 离子必需以大于声速的速度进入鞘层; 随尘埃密度的持续增加, 离子的临界马赫数增加到一个最大值后开始逐渐减小. 数值计算得到的结果满足Sagdeev势的定性分析. 关键词： 等离子体 鞘层 玻姆判据     

弱相互作用费米气体的不稳定性判据

根据由赝势法得到的弱相互作用费米气体的自由能，利用热力学方法研究了无外场时弱相互作用费米气体的稳定性.结果表明，无外场情况下理想费米气体与存在弱排斥相互作用的费米气体是稳定的；而具有弱吸引相互作用的费米气体在一定条件下可出现不稳定性.给出了不稳定性的粒子数密度判据和温度判据，就不同逸度情况下临界粒子数密度的具体表达结果以及温度、粒子质量和吸引相互作用对临界粒子数密度的影响进行了讨论. 关键词： 费米气体 相互作用 不稳定性判据     

金属蒸气激光G判据的进一步验证

将先前提出的放电激励金属蒸气自终止类型激光器高效运转的补充判据(G判据)从应用于中性原子激光介质推广至一价离子激光介质,取得了圆满的成功.对已知的17条一价金属离子自终止激光谱线进行鉴别,其中16条均符合G判据,1条不符合G判据的特例也给出了合理解释.进而对业已提出的212条可能的一价金属离子自终止激光谱线进行筛选,认为其中仅有69条符合G判据值得深入探索 关键词： 金属蒸气激光 G判据     

Thermodynamic criterion for searching high mobility two-dimensional electron gas at KTaO_3 interface

Two-dimensional electron gases(2 DEGs) formed at the interface between two oxide insulators present a promising platform for the exploration of emergent phenomena.While most of the previous works focused on SrTiO_(3-)based 2 DEGs,here we took the amorphous-ABO_3/KTaO_3 system as the research object to study the relationship between the interface conductivity and the redox property of B-site metal in the amorphous film.The criterion of oxide-oxide interface redox reactions for the B-site metals,Zr,Al,Ti,Ta,and Nb in conductive interfaces was revealed:the formation heat of metal oxide,ⅢH_f~o,is lower than-350 kJ/(mol O) and the work function of the metal Φ is in the range of 3.75 eVΦ 4.4 eV.Furthermore,we found that the smaller absolute value of ⅢH_f~o and the larger value of Φ of the B-site metal would result in higher mobility of the two-dimensional electron gas that formed at the corresponding amorphous-ABO_3/KTaO_3 interface.This finding paves the way for the design of high-mobility all-oxide electronic devices.     

Reverse blocking enhancement of drain field plate in Schottky-drain AlGaN/GaN high-electron mobility transistors

In this paper, we present the combination of drain field plate(FP) and Schottky drain to improve the reverse blocking capability, and investigate the reverse blocking enhancement of drain FP in Schottky-drain AlGaN/GaN high-electron mobility transistors(HEMTs). Drain FP and gate FP were employed in a two-dimensional simulation to improve the reverse blocking voltage(VRB) and the forward blocking voltage(VFB). The drain-FP length, the gate-FP length and the passivation layer thickness were optimized. VRBand VFBwere improved from-67 V and 134 V to-653 V and 868 V respectively after optimization. Simulation results suggest that the combination of drain FP and Schottky drain can enhance the reverse blocking capability significantly.     

自由面被烧蚀磁驱动飞片的数值模拟

为了理解磁驱动飞片自由面烧蚀的机理、自由面被烧蚀后飞片的物质状态、自由面被烧蚀后激光速度干涉仪(VISAR)测量的机理等,采用磁驱动数值模拟程序MDSC2对聚龙一号装置上PTS-151发次磁驱动飞片实验中370 m厚飞片进行了模拟和分析。数值模拟表明,334 ns之前飞片自由面部分保持固体状态,334 ns之后飞片自由面部分已经熔化,到340 ns后整个飞片都被熔化。飞片自由面烧蚀的主要机制是电流焦耳加热,热扩散和压缩做功的贡献很小。数值模拟的固体密度反射面速度历史和VISAR测量的速度历史一致。飞片自由面熔化后,VISAR测量的速度是距离自由面最近的固体密度反射面的速度。     

无限大板上矩形面导纳的测量

研究在实验条件下测量均布速度激励下无限大板面导纳的方法.实验中利用有限板模拟无限大板,用具有矩形接触面积的刚性棱形锥产生均匀速度的激励,并建立消除附加质量影响的测量方法。实验结果与理论预测值一致,证明了实验模型与方法的可行。     

球粉板表面缺陷在线检测

为快速准确检测球粉板表面缺陷,对球粉板表面光学特性不一致性和缺陷类型的多样性等关键问题进行了分析,以利于有效地解决关键问题;论文提出采用基于模板图片创建矫正模板来解决被测板材表面光学特性变动的均化问题、自适应萃取二值化阈值解决二值化阈值整定问题,以提高软件的执行鲁棒性;通过自定义算法实现了细线型缺陷修补,有效地提高了划痕类缺陷检测的精度和可靠性;提出了筛查模型实现了符合缺陷检测精度要求的噪点筛除;通过大量现场实验验证了本系统能够正确高效实现球粉板表面缺陷检测定位标识和面积测量功能,以及达到了目标检测精度;本系统能很好地胜任球粉板在线表面缺陷检测;实验证明检测系统非常高效精准,极大地提高了生产线自动化能力。     

Influence of a drain field plate on the forward blocking characteristics of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor

In this paper,the influence of a drain field plate(FP)on the forward blocking characteristics of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor(HEMT)is investigated.The HEMT with only a gate FP is optimized,and breakdown voltage VBRis saturated at 1085 V for gate–drain spacing LGD≥8μm.On the basis of the HEMT with a gate FP,a drain FP is added with LGD=10μm.For the length of the drain FP LDF≤2μm,VBRis almost kept at 1085 V,showing no degradation.When LDFexceeds 2μm,VBRdecreases obviously as LDFincreases.Moreover,the larger the LDF,the larger the decrease of VBR.It is concluded that the distance between the gate edge and the drain FP edge should be larger than a certain value to prevent the drain FP from affecting the forward blocking voltage and the value should be equal to the LGDat which VBR begins to saturate in the first structure.The electric field and potential distribution are simulated and analyzed to account for the decrease of VBR.     

波带板法检测非球面技术

总结了在波带板干涉技术检测非球面方面最近的发展和应用，比较了不同方法的优缺点。叙述了用一块改进型波带板检测非球面的原理和方法。还分析了波带板的安装与测量精度的关系。针对干涉条纹在周边弯曲的现象，对波带板的设计进行了改进。最后给出了实验结果。     

Electron mobility limited by surface and interface roughness scattering in AlxGa1-xN/GaN quantum wells

The electron mobility limited by the interface and surface roughness scatterings of the two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN quantum wells is studied. The newly proposed surface roughness scattering in the AlGaN/GaN quantum wells becomes effective when an electric field exists in the AlxGa1-xN barrier. For the AlGaN/GaN potential well, the ground subband energy is governed by the spontaneous and the piezoelectric polarization fields which are determined by the barrier and the well thicknesses. The thickness fluctuation of the AlGaN barrier and the GaN well due to the roughnesses cause the local fluctuation of the ground subband energy, which will reduce the 2DEG mobility.