ZnSe：A1深能级的研究

为研究ＺｎＳｅ中的本征缺陷和Ａ１在ＺｎＳｅ中的深能级行为，首先测量了Ｚｎｓｅ单晶体中的深能级，发现只存在Ｅｅ－０．３３ｅＶ一个电子陷阱．然后，通过热扩散的方法，在３００℃～７００℃温度范围内把Ａ１掺杂到ＺｎＳｅ单晶体中，结果发现存在Ｅｅ－０．３３ｅＶ和Ｅｅ－０．７０ｅＶ两个电子陷阱．本文从缺陷化学角度对ＺｎＳｅ中的本征缺陷和Ｅｅ－０．７０ｅＶ深能级的结构及起源进行了讨论．     

掺铁InP肖特基势垒增强InGaAs MSM光电探测器

采用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ方法及常规器件工艺制成了ＩｎＰ：Ｆｅ肖特基势垒增强ＩｎＧａＡｓＭＳＭ光电探测器。用自建测试系统对其直流和瞬态特性进行了测试，测试结果表明，器件的击穿电压大于１０Ｖ，２Ｖ偏压下暗电流为１７０ｎＡ，对应的暗电流密度约为３ｍＡ／ｃｍ２；瞬态响应中上升时间ｔｒ为２１ｐｓ，半高宽ＦＷＨＭ为７５ｐｓ。     

低压－金属有机物汽相外延生长的Ga＿（1－x）In＿xAs／InP激光器中深能级的研究

应用深能级瞬态谱（ＤＬＴｓ）技术详细研究低压－金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长的Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ／Ｉｎｐ量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的ＤＬＴＳ表明，在宽接触激光器的ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层里观察到Ｈ１（Ｅ＿ｖ＋０．０９ｅＶ）和Ｅ１（Ｅ＿ｃ－０．３５ｅＶ）陷阱，它们可能分别与样品生长过程中扩散到ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层的Ｚｎ和材料本身的原生缺陷有关。而条形激光器的ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层的Ｈ２（Ｅ＿ｖ＋０．１１ｅＶ）和Ｅ２（Ｅ＿ｖ－０．４２ｅＶ）陷阱则可能是Ｈ１和Ｅ１与质子轰击引起的损伤相互作用的产物。     

低压-金属有机物汽相外延生长的Ga1-xInxAs/InP激光器中深能级的研究

应用深能级瞬态谱（ＤＬＴｓ）技术详细研究低压－金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长的Ｇａ_０．４７Ｉｎ_０．５３Ａｓ／Ｉｎｐ量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的ＤＬＴＳ表明，在宽接触激光器的ｉ－Ｇａ_０．４７Ｉｎ_０．５３Ａｓ有源层里观察到Ｈ１（Ｅ_ｖ＋０．０９ｅＶ）和Ｅ１（Ｅ_ｃ－０．３５ｅＶ)陷阱，它们可能分别与样品生长过程中扩散到ｉ－Ｇａ_{０．４ 关键词：}     

23Al的β+延发质子测量

利用ＴＯＦ－ Ｅ和０°注入探测器的方法,鉴别并测量了２３Ａｌβ＋延发质子衰变能谱,通过精密脉冲发生器和计数器测得２３Ａｌ的半衰期 Ｔ１／２＝（４７６±４５）ｍｓ．实验中重现了能量为０．２１６,０．２７８,０．４３８,０．４７９ＭｅＶ的低能衰变质子．另外,还观察到了一个新的β＋延发衰变能级 Ｅｘ＝ ８．９１６ＭｅＶ,并给出了它们的相对强度．     

海洛因的傅里叶红外吸收谱

给出海洛因和鸦片的傅里叶红外吸收实测谱。根据吸收峰的位置，计算出海洛因的基本声子能量：ＥＬＯ＝０．０４８６ｅＶ，ＥＴＯ１＝０．０５５５ｅＶ，ＥＴＯ２＝０．０６１６ｅＶ，ＥＬＡ＝０．０２５７ｅＶ，ＥＴＡ１＝０．００９７ｅＶ，ＥＴＡ２＝０．０１３４ｅＶ。这些声子按照不同的组合方式，形成海洛因的全部傅里叶红外吸收峰。     

铂Hugoniot曲线的Ab initio计算

对于一个原子平均体积为Ｖ,温度为Ｔ的热力学系统,体系的Ｈｅｌｍｂｏｌｔｚ自由能可以写为Ｆ（Ｖ,Ｔ）＝Ｅｃ（Ｖ）＋Ｆｉｏｎ（Ｖ,Ｔ）＋Ｆｅｌ（Ｖ,Ｔ）＋Ｆｍａｎ（Ｖ,Ｔ）其中Ｅｃ为０－Ｋ冷能。对于其中的电子热激发贡献Ｆｅｌ,目前流行的有三种计算方案,即：Ｍｏｒｕｚｚｉ的Ｄｅｂｙｅ－Ｇｒｕｅｎｅｉｓｅｎ方案、Ｍｏｒｉａｒｔｙ的ＭＧＰＴ方案和Ｗａｓｓｅｒｍａｎ的ＣＥＬＬ模型方案。Ｄｅｂｙｅ－Ｇｒｕｅｎｅ     

少子陷阱特性和铍硅共注半绝缘GaAs空穴陷阱

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术测量了高温退火的Ｂｅ和Ｓｉ共注入的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ（无掺杂）。在多子脉冲作用下的Ａｌ／Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣＳＩＧａＡｓ肖特基势垒中，观测到Ｅ₀₁（０．２９８），Ｅ₀₂（０．３４１），Ｅ₀₃（０．５５５）和Ｅ₀₄（０．８２１）等四个电子陷阱以及两个主要的少子（空穴）陷阱Ｈ＇₀₃（０．５４）和Ｈ″₀₃（０．５７）。两少子陷阱的ＤＬＴＳ信号具有若干特点，比如它们的ＤＬＴＳ·峰难于通过增宽脉冲达到最大高度；以及峰的高度强烈地依赖于温度等。这些现象可以用少子陷阱的少子俘获和热发射理论进行合理地解释。鉴于用ＤＬＴＳ技术测量这种陷阱的困难，我们用恒温电容瞬态技术测定它们的空穴表观激活能分别为０．５４和０．５７ｅＶ。它们是新观测到的和Ｂｅ－Ｓｉ共注ＳＩＧａＡｓ有关缺陷。 关键词：     

浅杂质注入LEC半绝缘GaAs γ射线辐照缺陷

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和恒温电容瞬态等技术研究了浅杂质注入ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ的γ射线辐照缺陷。在Ｂｅ－Ｓｉ共注的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐照引入一电子陷阶Ｅ₂，并且大大增强了原有的Ｅ₀₁（０．２９８）和Ｅ₀₂（０．３４１）等缺陷，同时明显地瓦解了原有的少子陷阱Ｈ₀₃。在单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐阳引进了Ｅ＇₀₁（０．２１６），Ｅ＇₀₂（０．３４１），Ｅ＇₂，Ｅ＇₄和Ｅ＇₅（０．６０８）等缺陷。其中Ｅ₀₁和Ｅ＇₀₁是新发现的和γ辐照有关的ＧａＡｓ缺陷。和低阻衬底同质外延ＧａＡｓ相比，Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较低的γ射线辐照缺陷引入率，与此相反，单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较高的γ射线辐照缺陷的引入率。 关键词：     

Effects of Change in the Average Permittivity on the Volume Hologram

ＥｆｆｅｃｔｓｏｆＣｈａｎｇｅｉｎｔｈｅＡｖｅｒａｇｅＰｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙｏｎＴｈｅＶｏｌｕｍｅＨｏｌｏｇｒａｍ￥ＣＨＥＮＸｉｙｕａｎ（ＰｈｙｓｉｃｓＳｅｃｔｉｏｎ，Ｓｅｃｔｉｏｎ，ＦｕｓｈｕｎＰｅｔｒｏｌｅｕｍＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，Ｆｕｓｈｕｎ１...