金属材料的腐蚀与防护

本文论述了金属材料腐蚀的形态和基本原理，提出几种常见的防护措施。     

线缆金属材料在土壤中腐蚀行为研究

采用自然埋藏的研究方法对线缆金属材料铅、铝、涂漆钢带、涂塑钢丝在我国各种酸、中、碱性土壤中埋藏8年及40年的腐蚀试验结果进行分析，总结了金属材料腐蚀的规律及土壤和土壤微生物对金属作用影响因素。     

线缆金属材料在土壤中腐蚀行为研究

采用自然埋藏的研究方法对线缆金属材料铅、铝、涂漆钢带、涂塑钢丝在我国各种酸、中、碱性土壤中埋藏8年及40年的腐蚀试验结果进行分析,总结了金属材料腐蚀的规律及土壤和土壤微生物对金属作用影响因素。     

美,日等国大气暴露试验现状及发展动向

1 引言 在93年3月,由中国电子总公司军工预研局和电子部第五研究所的高级工程师及工程师等五人组成的电子产品“三防”技术考察团赴美国、日本对有关电子产品可靠性科研与试验和环境试验与适应性研究等单位部门进行了实地考察,其中参观了几个世界著名的大气暴露试验场,美国南佛罗里达试验服务中心在迈阿密和亚利桑纳菲尼克斯、美国柯尔海滩以及日本兆子等。笔者通过本次考察,结合有关最新资料,介绍目前国内外大气暴露试验与大气腐蚀研究的现状尤其是最新进展情况。     

电子材料的腐蚀

计算机及其周边元器件中所使用的各种电子材料在大气环境下，因潮湿及其它条件下发生大气腐蚀，从而使电子科技材料腐蚀、电子系统发生故障、如短路、电接触不良等。文中就因污染空气、塑料材料分解气体等导致的电子材料大气腐蚀现象作论述。     

加速环境应力试验在COG-LCD中的应用

液晶显示器件(LCD)的应用范围不断扩大,尤其是在高档电子、通信领域的应用已成为流行的趋势。基于缩小器件体积及降低器件成本的需要,COG(CHIP ON GLASS)、COF(CHIP ON FILM)模块工艺应运而生。通过对COG-LCD进行未封硅胶时的高温、高湿加速环境应力试验,以及对试验后失效样品的分析,找出造成部分产品使用过程可靠性下降的根本原因,并通过工艺改进提高产品的可靠性。     

金属材料激光冲击强化试验研究

对铝合金2024T62进行激光冲击处理，激光参数：脉冲宽度（FWHM）30ns，单脉冲能量16．5～27．5J，功率密度1．1～1．6GW／cm2。试验结果：激光冲击区的表面硬度提高42％，激光冲击区表层的晶粒得到细化，并且大幅度提高了铝合金的疲劳寿命，在95％置信度下，激光冲击试件的中值疲劳寿命是未冲击试件的5．4～14．5倍。     

硅各向异性腐蚀速率图的模拟

利用数学软件 MATLAB,对三维中的向量进行插值计算。根据硅各向异性腐蚀特点 ,构造出了一个完整的硅各向异性腐蚀速率图。模拟结果与已有的实验数据进行了比较 ,说明这种方法可以用来模拟硅各向异性腐蚀速率     

混合流动气体腐蚀试验探讨

气体腐蚀防护对电子产品的电性能及可靠性具有至关重要的影响。混合流动气体腐蚀试验,是一种评估电子产品材料和元器件的抗腐蚀能力的有效手段。该文基于Yamasaki制造的GH-180型气体腐蚀试验设备,探讨了一些种类的气体腐蚀的作用机理和影响试验结果的一些因素,重点分析了试验过程的关键要点,以保证试验的连续性、准确性和安全性。     

几种常见介质对NdFeB磁体的腐蚀研究

采用失重法,分别在空气、自来水、氯化钠溶液、硫酸溶液及氢氧化钠溶液等几种常见介质中,对NdFeB磁体不同温度下的腐蚀情况进行了研究。结果表明:在同种介质中,NdFeB磁体的腐蚀速率随温度的升高而加快;pH值较小时,腐蚀严重;而当溶液的pH值增加时,样品的腐蚀速率减缓;当pH>10时,样品的质量基本不减少;pH>12,θ>25℃时,样品表面会形成碱式化合物,总质量增加,样品几乎不再受到腐蚀。     

Ar离子激光增强硅各向异性腐蚀速率的研究

研究了Ａｒ离子激光器与硅各向异性腐蚀技术相结合制造硅杯的方法。结果表明，激光照射能增强浸于ＫＯＨ溶液中硅的化学腐蚀速率，在入射光强为４．６Ｗ，ＫＯＨ溶液浓度为０．２２ｍｏｌ，温度为９０℃的条件下，得到＜１００＞硅的腐蚀速率为２１μｍ／ｍｉｎ，是无激光照射时硅各向异性腐蚀速率的多倍。进而讨论了硅在ＫＯＨ溶液中腐蚀速率对激光光强的依赖关系以及实验温度对腐蚀速率的影响问题。     

电子材料的腐蚀

计算机及其周边元件中所使用的各种电子，在大气环境下，因潮湿及其它条件下发生大气腐蚀，从而致使电子材料腐蚀，电子系统发生故障，如短路、电接不良等本文就因污染空气、塑料材料分解气体等导致的电子材料大气腐蚀现象作论述。     

强磁场增强反应离子腐蚀实验研究

介绍强磁场增强反应离子腐蚀实验的研究结果，其中包括不同材料的腐蚀速度与磁场的关系以及负载效应等。     

不同金属材料的实验区别研究

金属与人类社会的发展有着密切的联系，在当今工业、农业、国防、科技及人类生活中有着广泛的用途。区别金属材料的方法多种多样，过程比较复杂。本课题在传统实验的基础上，设计出几种区分不同金属材料的实验方案，通过实验操作、数据采集、曲线拟合的方法，以达到区别质量体积相同的不同金属材料的目的。通过本课题的研究，我们可以总结出简单实用的区别不同金属材料的方法，为金属材料的应用奠定良好的基础。     

土壤中阴离子对铅,铝腐蚀的加速试验研究

通过室内加速试验，研究土壤中Ｃ１＾－、ＣＯ４＾２－、ＣＯ３＾２－及ＮＯ３＾－对电缆铅、铝扩套的腐蚀性影响，探讨土壤腐蚀规律。     

测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法

介绍了一种测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法.硅各向异性腐蚀速率三维分布可由一系列晶面上的二维腐蚀速率分布表示.利用深反应离子刻蚀技术(DRIE)在{0mn}硅片上制作出侧壁垂直于硅片表面的矩形槽,测量槽宽度在腐蚀前后的变化,就可测定各{0mn}面上的二维腐蚀速率分布.将二维腐蚀速率分布组合在一起就得到了三维腐蚀速率分布.由于DRIE制作的垂直侧壁深度大,可耐受较长时间的各向异性腐蚀,所以只需使用一般的显微镜就能得到准确的结果.实验得到了40%KOH和25%TMAH中{n10}和{n11}晶面的腐蚀速率分布数据     

砷化镓晶体在氯化硫溶液中腐蚀速率的研究

本文研究了不同条件下S2Cl2对GaAs晶体的腐蚀行为，特别是溶液浓度、温度以及摇动程度等几个重要因素对腐蚀作用的影响．在此基础上提出了S2Cl2处理的较佳条件：对于S2Cl2钝化，应选择低浓度的钝化液（＜20％）在较低的室温下进行，而S2Cl2作为GaAs外延预处理手段则选用较高浓度的溶液在较短时间内完成可以得到较好的效果；对于以上两种情形，溶液温度一般控制在20℃以下．     

电子产品的腐蚀与防蚀技术

综术字电子产品在使用环境中由各因素导致的腐蚀事例,环境腐蚀因素的检测方法、腐蚀环境的评级,防蚀对策以及模拟环境中腐蚀性气体试验方法的ＩＥＣ、ＪＩＳ标准方法。     

电子产品的腐蚀与防蚀技术

综述了电子产品在使用环境中各因素所导致的腐蚀事例、检测方法、腐蚀环境的评级、防蚀对策以及模拟环境中腐蚀性气体试验方法的ＩＳＯ、ＩＥＣ、ＪＩＳ标准方法。