TFEL器件亮度波形的快速过程

研究了TFEL亮度波形的上升与衰减过程,发现除一般的直接碰撞激发外,在发光中心的离导带较近的能级跃迁的发光中还存在另一种非常快的发光过程.通过分析ZnS:Er³⁺、Tin³⁺、Ce³⁺+Nd³⁺等不同样品,我们认为这种快过程属于导带中的慢电子与离化了的发光中心的复合.     

场致发光ZnS:Mn,Cu,Cl薄膜对直角脉冲激发的响应

用Cu和Mn激活的ZnS,对于直流电场激发是重要的场致发光磷光体。这样磷光体的发射光谱是由于Mn激活所产生,峰值大约在5850A。Mn发光中心的激发,一般认为是没有中心的离化。在激发过程中,Cu激活剂所起的作用还不完全了解。 Thornton最先报道了ZnS:Mn,Cu,Cl蒸发薄膜的场致发光。有些人研究了这     

场致发光ZnS:Er~(3 )薄膜的激发机理

在掺杂稀土离子的ZnS薄膜中,其发光中心为电场所激发的机理,过去认为可能有以下两种:(1)经由热电子直接碰撞激发;(2)基质晶格的碰撞离化产生了电子空穴对,继而发生从电子空穴对到发光中心的能量谐振迁移。 最近,Krupka证实了在ZnS:Tb~(3 )薄膜中的场致发光是由热电子直接碰撞而发生的。他观测了作为加在ZnS:Tb~(3 ),Ta_2O_5多层结构上的外加电压函数的荧光强度比     

可变色的ZnSe:Er3+ MIS发光二极管

本文首次利用高场和低场激发下的有效发光中心,设计和制备了随外加电压极性改变而变色的ZoSe:Er3+ MIS发光二极管。这种发光二极管在正向电压激发下得到蓝色发光,而在反向电压激发下得到绿色发光。     

场致发光材料晶粒大小对效率的影响

根据场致发光“碰撞离化机构”,考虑到自由电子的复合几率和其能量的关系,来研究场致发光材料的效率。测量了效率随电压的变化规律,结果是:随着品粒线度的减小,效率随电压变化的极大值增加,同时效率随加在品粒两端电压变化的极大值移向低电压,并对得到的实验结果提出定性的说明。     

磷化镓场致发光二极管

本文叙述了具有S形I-U特性的绿色和红色发光光源,它是一种外延p—n—p—n结构的GaP场致发光二极管。 论述了这类管子的电学场致发光特性和参数,表明磷化镓场致发光二极管的特性和由其他材料制成的发光二极管的特性相似。     

正向电压激发下ZnSe:Er3+MIS二极管的高场电致发光

本文研究了在室温下经Er离子注入ZnSe晶体的电致发光.报导了三价稀土离子在ZnSe MIS结二极管中的发光.阐明了Er3+离子是在高电场下通过过热电子直接碰撞激发的,根据分立中心是高场激发的有效发光中心,可望在这类器件中有较高的效率.     

从1975年国际发光会议看发光学及其技术动向

1975年国际发光会议是从9月1日到9月5日在日本东京召开的。这里分六方面,介绍一下与应用有关的内容。 一、关于与发光二极管、半导体激光器的发光效率、寿命有关的深中心、位错的问题。深能级是用热激发电流和光电容的方法     

发光二极管特性及其改进办法

用半导体P—n结把电流转换成光的器件总称为发光二极管。因此它包括通常的自然光发光二极管,激光二极管以及具有电、光开关性能(P—n—P—n结构)的二极管等。发光二极管材料主要有GaAs,GaP,Ga(As,P),(Ga,Al)As等。其中有的已有商品。除此之外,正在研究(Ga,In)P,GaN,SiC等其他材料。本文介绍了用典型的发光材料制成的一般发光二极管。做为发光二极管的特性,首要的问题是发光效率,对可见发光二极     

猝灭剂对场致发光亮度的影响

在任何一种场致发光粉中尽管人们没有专门掺入猝灭剂,但在其中往往不仅有发光中心,而且也有无辐射复合中心,或者猝灭中心。猝灭中心的数量及其类型决定着辐射复合的量子效率P, 即辐射复合的数量对复合总数之比,并且显然影响着场致发光的亮度。为了简便起见,我们假设在发光粉中只存在一种猝灭中心。 往场致发光粉中附加一些诸如Co,Ni,Fe等典型猝灭剂时,从某一浓度起发光亮度就急剧下降。这些元素的猝灭作用是由二个原因决定的。第一,如果假设在场致发光激发时产生晶格离化[1,2],随后空穴在某种复合中心之间按其浓度Ni和由价带产生的空穴的俘获系数αi分布,那么猝灭中心数量的增加使发光中心上的空穴数减少,因而降低发光亮度。当激发区总的电离数Q0对于猝灭剂浓度不变时这是对的。第二,当正弦激发时在离化结束和复合开始的间隔t内,空穴通过价带在复合中心间重新分布,这一点对猝灭中心有利,因为它的能级E距     

薄膜场致发光显示的研究进展

描述了薄膜场致发光显示的电学和光学性质,介绍了夹层结构,它等效齐纳二极管组成的线路。分析了影响亮度和效率的因素,主要是发光中心浓度,电子的能量和发光体的结晶状态,为了提高电子能量,提出了分层优化方案,它具有明显的优越性;为改善发光层的结晶状态,提出了厚膜扬致发光。对场致发光的机理进行了讨论,描述了多色和全色ＴＦＥＬ器件的材料和结构的研究进展。     

用Al蒸汽扩散法制备ZnTe MIS场致发光二极管

在没有表面腐蚀的Zn气氛下,以碘作为输运气体,将Al蒸汽扩散到ZnTe内,得到了高电阻率(300°K时为10~(11)～10~(12)Ωcm)层。用这种方法制备了雪崩MIS场致发光二极管。二极管的光谱,在300°K时是黄色,在77°K时是绿色或黄绿色。黄色的外部量子效率为0.1～0.2％,绿色为10％,黄绿色为20％。黄色和绿色场致发光的出现是由于双倍离化的Zn空位和一个未知的施主组成的受主-施主对,因此黄绿色是掺Al ZnTe的特征。     

在(Zn,Cd,Hg)S:Cu,In磷光体上加正弦电压的影响

1、引言:许多人都研究过交流和直流迭加的场致发光。有人报道可以增加250倍,而在这种条件下直流本身的场致发光约等于初始的交流场致发光。他们采用的发光盒含少量介质。他的结论是:交—直流场致发光的主要过程为俘获电子和直流离化发光中心的复合。当     

无机材料中复合发光研究的进展

早期观察到的发光现象既有分立中心的发光,也有离化了的自由载流子参与的复合发光.在发现掺杂的重要性后,绝缘体及半导体内分立中心的发光研究得到了很大的发展。结合灯粉及电子束管的需要,应用了晶体场理论和分子轨道理论,发展了能量输运理论、电声子耦合理论及荧光谱线窄化技术[1]等.相形之下,复合发光的研究就较少,以从禁带至导带跃迁中能量最低的激子而言,起初只是研究它的吸收,从七十年代才开始研究它的发光.但是,复合发光和分立中心的发光相比,既不受杂质浓度及杂质激发态寿命的限制,又有较宽的能量状态,变化范围也较大[2].近年来,它…     

场致发光器件工作电路的改进

过去用半导体开关元件控制场致发光的方法如图1所示。图中显示器是场致发光器件,用从发生器来的交流电压激发。发生器的一头和显示器直接相联,另一头则通过一个串联电路(用直流电源供电)与显示器相联。串联电路中有一个开关晶体管,两个半导体开关元件的阳极一阴极     

《国外信息显示》一九七三年分类目录

一无机发光材料的一般问题: 发射光谱 余辉测量 光和颜色的测量 国外无机晶体发光研究概况 发光材料的能带结构 体效应场致发光 一种联合的发光中心 等电子陷阱二场致发光显示器件和材料: CdS:Cu粉末磷光体直流场致发光(DCEL)性质的研究 利用场致发光屏作发光天棚的可能性 粉末场致发光屏亮度的测量 粉末材料EL效率的测量 n一班族化合物粉末的直流场致发光 ZnS薄膜场致发光 粉末场致发光应用现状 薄膜PC一EL夹层型象加强器 碱卤晶体的场致发光简讯:一种硫化镐场致发光器件 ZnS:TbF3薄膜的直流场致发光 Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件…     

发蓝绿光的低阻硫化锌注入式发光二极管

室温下在低阻单晶ZnS作的金属一半导体二极管上发现有足够强而又很稳定的蓝、绿色场致发光,它是加正向偏压U≥2伏时记录下来的,又由金属接触向ZnS注入空穴所决定。在直流电流10~(-5)～10~(-1)安下用Au作注入接触时,其发光的外量子效率为10~(-4)光量子/电子。     

SrS∶HoF_3薄膜的电致发光机制

研究了ＳｒＳ∶ＨｏＦ３薄膜的光谱特性,分析了光谱与驱动电压的关系,认为ＳｒＳ∶ＨｏＦ３薄膜电致发光不是以直接碰撞激发机制为主;方波脉冲激发下没有看到下降沿发光的现象,可能不存在发光中心离化的过程．比较ＳｒＳ∶ＨｏＦ３薄膜的电致发光与光致发光光谱,认为过热电子碰撞激发基质晶格,基质激发后将能量传递到发光中心是主要的激发过程     

ZnS:Mn薄膜电致发光锰中心直接碰撞激发的证明

为了阐明在ZnS:Mn薄膜电致发光中锰发光中心的激发机制,测量了光致发光和电致发光的时间—分辨光谱。在光致发光中,ZnS基质和锰中心的发光都观察到了,锰中心的发光可以看到时间延迟,它说明能量由ZnS基质传递到锰中心。与此相反,在电致发光中,难于观察到ZnS基质的发光,而在激发以后立即观察到锰中心的发光。这些实验结果有力地表明在电致发光中,锰中心的激发机制是由于在ZnS基质中的高场加速的过热电子的直接碰撞激发所致。效率的测量电证实了这些结果。     

二价铕激活的ZnS磷光体的发光

本文详细描述了ZnS:Eu2+磷光体的合成及光致发光性能。首次报导了这种发光材料的特殊长余辉特性。作者测量了热释发光光谱、不同温度下的发射特性的变化及荧光的激发、发射衰减时间,提出两类缔合Eu中心的模型。用不同的缔合Eu中心较好地解释了它的光谱特性及长余辉现象,认为光谱的两个发射带来自不同的缔合Eu中心,即550nm发射带对与ZnS导带电子陷阱相缔合的Eu中心有关,650nm带来自与电子陷阱和空穴陷阱缔合的Eu中心。发射的余辉主要与导带中某种电源电子陷阱存在有关。此外,本文还对与应用有关的阴极射线发光性能进行了报导。