重氮萘醌系正性抗蚀剂“增感”的进展

近年来有关重氮萘醌系正性抗蚀剂提高感度的研究文献综述均对应用较为成功的多酚化合物作了较为详细的介绍.     

成膜树脂对重氮萘醌体系正性光致抗蚀材料性能的影响

多数的重氮萘醌体系正性光致抗蚀材料(以下简称抗蚀材料)都是用线性酚醛树脂作为成膜组分,用重氮萘醌的酯化产物作为感光性组分的光分解型感光材料.这种材料以其高反差的成像性能广泛地应用于电子、印刷及精密加工等各个领域中.常用的光致抗蚀剂及平版印刷的PS版材大多用的是这种材料.也像其他的各种银盐体系或非银盐体系的感光材料一样,抗蚀材料的各种成像性能或物理性能之间同样存在着相互影响、相互制约的关系.     

含重氮萘醌化合物翻转成像体系的研究概述

本文对含重氮萘醌化合物的翻转成像体系作了详细的总结.所述翻转成像体系主要分为三类,其一主要是通过脱羧反应、酯化反应、酰胺化反应等化学反应生成碱难溶性化合物,使原本通过曝光、显影可获得的阳图图像翻转成负像;其二是以重氮萘醌化合物为产酸剂,通过酸的催化作用使交联剂与成膜树脂发生交联反应,或发生脱保护基的反应,实现翻转成像;还有一类是利用近紫外光和高能射线相结合实现翻转成像.第一类和第三类翻转成像体系在抗蚀剂方面可能有较大的应用价值,而第二类翻转成像体系可能在印刷版材方面有一定的应用前景.     

没食子酸丙酯改性的酚醛-邻重氮萘醌类感光性树脂的研究

酚醛-邻重氮萘醌类感光性树脂有较高的分辨力和优良的成膜性能,因此,在电子工业、印刷技术以及其它需进行微细加工的领域中得到了广泛的应用。但是,这类树脂的感光灵敏度不高,光照部份和未光照部份在显影液中的溶解度差别不大,即反差很小,因而给微细加工带来了很大的困难。     

纳米压印抗蚀剂研究进展

纳米压印是最有希望的下一代纳米成像技术之一.基于其机械压印原理,纳米压印技术可以实现的图形分辨率超越了在别的传统技术中由光衍射或粒子束散射造成的局限.本文介绍纳米压印技术的基本原理,回顾了近期纳米压印抗蚀剂的研究进展.对影响抗蚀剂性能的主要因素进行讨论,包括玻璃化转化温度/热稳定性、粘度/平均分子量、抗蚀性能等.分别介绍了热压印和紫外压印的常见抗蚀剂材料,这些抗蚀剂的主要部分包括聚甲基丙烯酸甲酯(PM-MA)、有机硅改性的聚(甲基)丙烯酸酯、聚酰胺酯、聚二甲基硅烷、聚乙烯基醚化合物、环氧树脂等,并给出这些抗蚀剂体系的优、缺点.本文还介绍了纳米压印抗蚀剂面临的主要问题,对纳米压印技术的优势和问题作了小结.     

高分辨率Ⅰ-line正性光刻胶的制备及应用性能研究

利用两种不同重均分子量的改性酚醛树脂(PF)与一种三个酯化度的四羟基二苯甲酮-重氮萘醌磺酸酯光敏剂(PAC)按比例配制,加入适量助剂优化感光性能,制备出一种应用于电子触屏加工领域的Ⅰ-line正性光刻胶,其具有刻蚀精度高、工艺性能优良、单位成本较低等优势特点.     

化学增幅抗蚀剂用光产酸源

对化学增幅抗蚀剂体系的组成及化学增幅作用做了阐述。介绍了化学增幅作用中的关键组分——光产酸源和酸增殖剂的发展概况，并对重氮盐、锘盐、有机多卤化物、磺酸酯类化合物等产酸源的产酸机理、适用光源分别进行了阐述。从目前国际发展的趋势来看，硫锘盐和磺酸酯类的光产酸源占据主要地位，有机多卤化物中的三嗪化合物还有少量应用。频哪醇单磺酸酯类化合物作为酸增殖剂使用较为普遍。     

2,3,4-三羟基二苯甲酮与2,1-重氮萘醌-5-磺酰氯酯化反应条件和酯化产物溶解度关系研究

对不同条件下合成的三羟基二苯甲酮酯化215感光剂进行高效液相色谱分析, 确定了产物中各酯化产物的保留时间及其在产物中所占的积分峰面积比. 通过分析, 确认二酯化产物三乙胺盐是影响感光剂溶解度的主要原因. 得到合成感光剂的最优条件: 丙酮和水作溶剂的体积比为85∶15, 三乙胺作催化剂.     

甲酚醛树脂—HMMM负性水型化学增幅抗蚀剂的研究

本文利用二苯碘 盐为光敏产酸物,吩噻嗪为敏化剂,配制了一种甲酚醛树脂——六甲氧基甲基三聚氰胺(HMMM)负性水型紫外化学增抗蚀剂,并研究了光敏产酸物和增感剂对体系光敏性的影响及体系中存在的拉平效应,通过优化后的光刻工艺条件得到了分辨率为1.24μm的光刻图形。     

含碘鎓盐光产酸剂和增感染料的化学增幅型i-线正性光致抗蚀剂

4,4’-二甲苯基三氟甲磺酸碘鎓盐可以被染料增感,在365 nm光照时分解产酸.尽管产生的酸与染料的胺基发生作用,依然能在后烘过程中催化缩醛聚合物酸敏基团的分解,但需要稍高的后烘温度和稍长的后烘时间.基于此,本文将酚醛树脂、缩醛聚合物、碘鎓盐产酸剂和染料组成了一种新型的化学增幅型i-线正性光致抗蚀剂材料,在曝光量为10...     

高玻璃化温度化学增幅光致抗蚀剂的制备

本文合成了一种具有高玻璃化温度的苯乙烯和N-(4-羟基苯基)马来酰亚胺的共聚体,并将其应用于紫外负性水型化学增幅抗蚀剂中,并初步确定了该光致抗蚀剂的光刻工艺操作条件,得到了分辨率为1.39µm的光刻图形。     

I-Line光刻胶材料的研究进展

酚醛树脂-重氮萘醌正型光刻胶由于其优异的光刻性能,在g-line(436 nm)、i-line(365 nm)光刻中被广泛使用.g-line光刻胶胶、i-line光刻胶,两者虽然都是用线型酚醛树脂做成膜树脂,重氮萘醌型酯化物作感光剂,但当曝光波长从g-line发展到i-line时,为适应对应的曝光波长以及对高分辨率的追求,酚醛树脂及感光剂的微观结构均有变化.在i-line光刻胶中,酚醛树脂的邻-邻'相连程度高,感光剂酯化度高,重氮萘醌基团间的间距远.溶解促进剂是i-line光刻胶的一个重要组分,本文对其也进行了介绍.     

钠硼解石在水中的溶解及相转化研究

The dissolution of ulexite in water has been studied. The results showed that there exists congruent dissolution, incongruent dissolution phase transformation and crystallization during dissolution of ulexite in termperature range of 10℃ to 240℃.     

ArF激光光致抗蚀剂的研究进展

本文对近10年来有关ArF激光(193nm)光致抗蚀剂的研究开发情况进行了调研,对193nm光致抗蚀剂组成物的各个组分进行了归纳综述.从本文可以看出,利用193nm成像技术可以刻画线幅很细(<0.13μm)的图像,能适应信息技术的发展对于光致抗蚀剂高分辨率的要求.但若想将193nm成像技术在实践中推广应用,还有诸多问题需待研究解决.     

光敏聚酰亚胺抗蚀剂的研究

光敏聚酰亚胺是近20年来随着微电子工业的发展而迅速崛起的一类新型高分子材料,它广泛应用于微电子领域,在航空航天等尖端工业中也有着重要用途.预亚胺化可溶性负性光敏聚酰亚胺光致抗蚀剂在简化光刻工艺,增强耐热性,提高图形留膜率等方面具有诱人的前景[1～2].     

氯碳酸镁盐的溶解、转化机制及动力学研究

采用ＮＨ４ＨＣＯ３溶液逐滴加入浓的ＭｇＣｌ２水溶液中，经回流沸腾制得氯碳酸镁盐的晶体２ＭｇＣＯ３．Ｍｇ（ＯＨ）２．ＭｇＣｌ２．６Ｈ２Ｏ。     

金在酸性硫脲溶液中的阳极溶解过程

采用循环伏安法、旋转金盘电极和库仑电解等方法研究了金在酸性硫脲(TU)溶液中的阳极溶解过程。提出了金的阳极溶解机构。认为表面的Au(TU)_(ads)~ 的“化学溶解”步骤是过程的控制步骤。由此解释了旋转金盘电极的极化曲线出现电流峰以及金的溶解速度出现极大的原因。     

苯并三唑和六亚甲基四胺的缓蚀作用研究

在含氯化钠和盐酸的流动介质中研究铁的腐蚀行为以及苯并三唑和六亚甲基四胺对阳、阴极过程的影响。这两种含氮有机物均对铁上的析氢反应产生强烈的阻化作用,归因于阻塞效应和静电效应。发现有机物浓度的对数与缓蚀效率的对数成线性关性,它们的吸附遵循修正的Freundlich等温线。     

一种自交联聚合物的合成及其在水显影化学增幅型负性抗蚀剂中的应用

本文引入单体MAGME合成了具有自交联作用的MAGME、苯乙烯和N(4 羟基苯基)马来酰亚胺的共聚物,并以该聚合物为基体树脂,研制了一种新型的水显影化学增幅型负性抗蚀剂,并初步研究了其光刻工艺条件.