多工位PTCR耐工频电流测试仪的研制

为满足PTCR生产中耐工频电流冲击特性测试的要求。研制了多工位PTCR耐工频电流冲击特性测试仪．在测试过程中各测试工位先通先断,保证各个工位通断电时间满足测试要求。从而保证了PTCR耐工频电流冲击性能的准确性、高效性,当PTCR样品击穿时相应测试电路具有过电流保护电路功能,自动切断回路,实现了一个保护电路对多个工位的过流保护的功能,提高了仪器本身的可靠性。     

PTCR综合时间测试仪的研制

动作时间tA和恢复时间tR是正温度系数热敏电阻器(PTCR)最重要的两个时间参数。笔者在文中分析了原有动作时间测试仪和恢复时间测试仪的原理及其可改进之处,在此基础上研制出了新的综合时间测试仪。后者消除了原有仪器的许多不足之处,最大限度统一了两种测量的操作流程,在可靠性、成本和测量精度等方面都较原有仪器有明显的进步。     

PTCR阻温特性曲线实验室用测试系统

介绍了一种利用计算机进行PTCR阻温特性的自动数据采集及参数处理的系统,叙述了该仪器的结构及原理,详细介绍了仪器的硬件和软件。本系统能够方便地应用于实验室的样品测量。     

PTCR过流保护器的电流冲击失效特性

研究了ＰＴＣＲ过流保护器在电流作用下的失效模式、失效规律和失效机理，指出ＰＴＣＲ过流保护器的主要失效模式为热冲击作用下的热碎裂，元件的冲击特性与常温电阻值、样品尺寸以及电流冲击次数有很大关系。通过运行和推理，推荐最佳的ＴＣ＝９０℃，Ｒ２５＝１８Ω±２０％，芯片尺寸为６．８ｍｍ×１．６ｍｍ，烧成条件为１３２０～１３４０℃，保温１～２ｈ。对产品设计和元件的筛选有指导意义。     

单片机控制的PTCR热敏电阻器阻-温特性测试系统

介绍一种用ＭＣＳ－５１单片机控制的ＰＴＣＲ热敏电阻器阻－温特性测试系统，其中分压取样电阻器采用模拟开关进行切换。测试系统由样品室、模拟开关、Ｒ－Ｖ变换器、信号放大器、Ａ／Ｄ转换器、Ｄ／Ａ转换器、记录仪、单片机和打印机等部分组成，样品室内设有加热电炉和热电偶等部件。     

一种基于PCI总线的多路数据采集系统

结合对ＰＣＩ总线接口控制芯片Ｓ５９３３的开发，详细介绍了基于ＰＣＩ总线的一个多路数据采集系统，包括硬件时序和软件驱动程序的开发。最后给出一个用ＭａｔＬａｂ分析的实验结果，证明该系统性能良好。目前该系统已投入使用，工作稳定可靠。     

基于PCI总线的通用多DSP目标系统

基于PCI总线的通用多DSP(数字信号处理器)目标系统，采用4片级联的定点DSP(ADSP2181)对两路采集数据进行处理，处理结果可串行送出或通过DSP的IDMA接口送到主机。FPGA完成PCI9054与DSP之间的时序配合、完成A／D转换器的起停控制逻辑、采集数据与DSP之间的传输控制。系统应用软件支持DSP程序下载，动态波形显示和数据归档等操作。     

掺杂Ag元素对溶胶–凝胶一步法制备BaTiO3基PTCR陶瓷性能的影响

为改善PTCR陶瓷材料的电学性能,采用AgNO3作为Ag掺杂原料,用溶胶–凝胶一步法合成了含Ag元素的BaTiO3基PTCR陶瓷,着重讨论了银含量对半导体陶瓷电学性能的影响规律.结果表明,适量的Ag掺杂对材料的室温电阻率(β)影响不大,并且还可以有效提高PTCR陶瓷的温度系数(αR)和耐电压(Vb).本实验中掺杂0.05%Ag(摩尔分数)时,获得的PTCR陶瓷性能较好:ρ≈28Ω@cm,α25＞16%℃-1,Vb＞180 V@mm-1.     

热应力对化学镀镍电极PTCR元件耐电流冲击的影响

化学镀镍电极是ＰＴＣＲ元件一种良好的欧姆电极,但其对ＰＴＣＲ元件耐工频电流冲击性能有一定的影响。实验结果表明,这和电极与瓷体之间的热应力大小及类型有关,当应力表现为张应力时,在工频电流冲击下元件发生碎裂;压应力时发生层裂。通过调节镀层中磷含量和化学镀液的ｐＨ值可以制得耐工频电流冲击性能良好的ＰＴＣＲ元件。     

掺杂Ag元素对溶胶–凝胶一步法制备BaTiO_3基PTCR陶瓷性能的影响

为改善PTCR陶瓷材料的电学性能,采用AgNO3作为Ag掺杂原料,用溶胶–凝胶一步法合成了含Ag元素的BaTiO3基PTCR陶瓷,着重讨论了银含量对半导体陶瓷电学性能的影响规律。结果表明,适量的Ag掺杂对材料的室温电阻率(r)影响不大,并且还可以有效提高PTCR陶瓷的温度系数(aR)和耐电压(Vb)。本实验中掺杂0.05%Ag(摩尔分数)时,获得的PTCR陶瓷性能较好:r≈28 W·cm,a25>16%℃1,Vb>180 V·mm1。     

辐射交联对高分子聚合物PTCR热敏电阻器电性能的影响

辐射交联对用于过流保护的高分子聚合物ＰＴＣＲ热敏电阻器之电性能有较大的影响。实验证明：辐照强度有一个最佳范围,正确选择辐照强度可提高高分子聚合物ＰＴＣＲ热敏电阻器的升阻比,改善动作特性及耐压、耐电流等电性能。     

辐射交联对高分子聚合物PTCR热敏电阻器电性能的影响

辐射交联对用于过流保护的高分子聚合物PTCR热敏电阻器之电性能有较大的影响.实验证明:辐照强度有一个最佳范围,正确选择辐照强度可提高高分子聚合物PTCR热敏电阻器的升阻比,改善动作特性及耐压、耐电流等电性能.     

陶瓷与有机PTC 热敏电阻交流特性研究

简述了陶瓷和有机PTC热敏电阻的特性，推导了两种PTC热敏电阻的常温模型并最终统一到一个常温模型，并就两种PTC热敏电阻的交流特性结合实验测量数据进行了分析。     

钛酸钡基热敏电阻器低温调阻法

通过陶瓷与酸的相互作用，使钛酸钡基ＰＴＣＲ陶瓷材料烧成样品的阻值上升。酸处理工艺条件对阻值上升幅度有一定影响。酸处理后的样品的综合电性能的变化，确定了用酸处理升高阻值的可行性。运用复阻抗分析法对样品阻值上升前后晶粒、晶界电阻的变化进行了研究。分析了酸处理过程中阻值变化的规律。运用叠加势垒模型分析了酸处理使阻值升高的机理。     

Si_3N_4在BaTiO_3基低阻高性能PTCR陶瓷材料中的作用

要同时保证 PTCR材料和元件具有低室温电阻率和较高的 PTC特性 ,有较大难度。研究了添加 Si3N4作为烧结助剂 ,对 PTCR材料的显微结构和电学性能的影响。同添加 Si O2 作为烧结助剂相比 ,添加 1.0 %的 Si3N4的 PTCR材料更易同时满足低阻高性能要求。     

PTC陶瓷生产中影响稳定及重复性的因素

评论了组成、烧结等因素对ＰＴＣ陶瓷生产中稳定及重复性的影响。归纳了一些获得稳定及高电阻温度系数α材料的原则。通过生产实例说明应用这些原则可获得高α的ＰＴＣ材料（Ｔｃ≈２３０℃）。     

通讯设备用低阻高耐压过流保护器材料研究

过流保护器要求芯片尺寸为φ5mm×2.2mm,电阻值为15?,耐电压AC330V。采用液相施主掺杂和添加钙等方法优化配方制成PTCR材料。经复阻抗谱、SEM及XRD等测试分析表明,材料的微观结构得到了明显改善,PTC性能得以提高。当x(Mn(NO3)2)为0.47%时,材料的居里点为70℃、室温电阻率为14?·cm、温度系数为11.5%℃–1、耐压强度大于165V/mm。     

高功率微波常用测量器件标定方法研究

首先分析了检波器现有标定方法存在的问题,并且进行了实验研究。研究结果表明信号源输出功率未实时监测和检波器驻波比引起的反射是检波器灵敏度存在差异的主要原因。在此基础上提出了改进后的检波器标定方法,并且实验验证了改进后标定方法的正确性。分别采用Agilent 信号源和Agilent 矢量网络分析仪研究了HPM 常用测量器件窄脉冲和连续波下的衰减量差异。研究结果表明:测量器件衰减环节窄脉冲下衰减量可采用矢网连续波测试结果,二者最大差别约0.3 dB。     

红外焦平面阵列性能参数测试系统

基于虚拟仪器技术开发了红外焦平面阵列( IRFPA)性能参数测试系统。该系统可采 集IRFPA动态数据,得到IRFPA在不同情况下的各像元响应情况,从而测试计算出IRFPA主要性能参数,进行器件的评估;对采集数据的统计分析,能准确判断盲元位置和数量,定量地测量非均匀性,以测试分析结果为依据进行红外成像图像的补偿和校准,得到了清晰的成像效果。     

强激光驱动器能源系统瞬态特征实时测控系统研究

随着惯性约束核聚变研究的发展．强激光驱动器能源系统的研究备受关注。为了向激光驱动能源系统传输效率的研究提供可靠的实验数据．研究了强激光驱动器能源系统中氙灯瞬态放电特征数据进行实时检测的方法和测控系统结构。采用量化传输模式进行特征量的检测与传输，既实现了高压隔离，又避免了在远距离传输过程中受到干扰，确保测量精度。配合系统的模块化设计，采用多线程工作模式，对计算机系统的控制功能进行工作线程划分，提高了系统的实时性和协调性。实验表明，系统有效地实现了弱电系统对强电系统的远程控制．测量精度满足测量要求，已成功应用于能源系统的实验研究。