X射线荧光分析中用于校正元素间吸收-增强效应的一个新经验校正方程

本文提出了一个新经验校正方程,用以校正X射线荧光分析中的吸收-增强效应.它以影响系数和基体元素浓度间的相互关系的两次曲线拟合为基础.在该校正方程中,吸收效应和增强效应均考虑为相同的表达形式.影响系数用多变量最小二乘法计算,分析元素的浓度用迭代程序求得.该方法以Fe-Ni、Fe-Cr、Fe-Ni-Cr、PbO-ZrO₂-TiO₂-La₂O₃等四种体系的试样与目前常用的几种经验校正方程,如Lachance-Traill方程、Claisse-Quintin方程、Rasberry-Heinrich方程等作了比较,表明在相当宽的浓度范围内,用本文提出的新校正方程所获得的准确度最好.     

ICP-OES法测定镉的铁光谱干扰系数数学模型的建立及应用

ICP-OES用于元素分析具有测定速度快、多元素同时测定等特点,应用越来越广泛。由于其发射光谱的原理,很多元素的测定都存在光谱干扰的问题,大部分情况下可以通过选择波长来避免或减小基体中相关元素的光谱干扰。波长214.439nm和226.502nm可用于ICP-OES法测定Cd元素,其中Cd214.439nm受到Fe214.445nm的光谱干扰,Cd226.502nm受到Fe226.459nm和Fe226.505nm的光谱干扰。为了研究铁基体对Cd元素测定干扰的影响按排列组合的方式配制不同浓度的镉(0.001～0.1mg·L~(-1))和铁(1～1000mg·L~(-1))混合标液,以Cd214.439nm测定表观结果除以配制浓度作为干扰系数ξ。根据迭代算法Levenberg-Marquardt优化算法选择Power2D模型拟合干扰系数ξ和Cd的浓度x(mg·L~(-1))和Fe的浓度y(mg·L~(-1))之间的关系,建立非线性曲面拟合方程ξ=z0+B×power(x,C)+D×power(y,E)+F×power(x,C)×power(y,E),同时绘制三维拟合曲面图,结果表明不同浓度的Fe对不同浓度Cd的测定光谱干扰系数是有差别的。将拟合结果用于水系沉积物成分分析标准物质GBW07305a(GSD-5a)中Cd的测定,通过拟合方程计算干扰系数ξ并对测定结果进行校正,校正后结果在标准物质证书标准值1.37±0.10mg·kg~(-1)范围内,说明拟合结果对实际样品的Cd测定校正是可靠有效的。     

废弃线路板化学分析采样、制样及检测方法

介绍废弃线路板中有回收价值元素和有害物质分析的采样、制样及检测技术。样品经过分类采样、剪切破碎和高温灰化制样,采用样品全分析或副批混合样分析。通过提高称样量、多次测定求平均值的办法,火试金富集-重量法测定贵金属金、银。湿法王水溶解样品,碘量法测定主体元素铜。电感耦合等离子体发射光谱(ICP-AES)法测定其它杂质元素,被测元素质量浓度在0~10μg/mL范围内与光谱强度呈良好线性关系,相关系数均大于0.9998。测定结果的相对标准偏差小于10%(n=5),加标回收率为97.0%~102.5%。该方法简单、快速,有效地解决了线路板样品不均匀而难采样,以及硬度、韧性强制样难,金属易包裹难分解的技术瓶颈,测定结果准确,具有代表性。该方法适用于废弃线路板化学成分分析,其它废弃电子产品检测可参考此方法。     

X荧光“NRLXRF”程序在薄膜分析中的应用

本法用X荧光“NRLXRF”程序,仅需一个固体薄膜标准或滤纸片薄样混合标准就可测定原子比从0.x—8范围的Nb-Ge超导薄膜试样,其准确度能达到经验系数法的水平。用纯元素块状标样测定了Nb Ge薄膜及高温合金Ae-Cr-Si和Ti-Cr Si薄膜试样,也得到了满意的结果。方法均已投入了实际试样的配合分析。     

高纯氧化镨中非稀土元素的原子发射光谱测定

本文以NaCl为载体,In为内标直流电弧激发直接光谱法测定高纯氧化镨中Sn、B、Cr、Sb、Bi、Mn、Co和Pb等,比较了在不同气氛中载体对上述杂质元素测定的影响。各元素的最低测定浓度为5×10~(-5)％～5×10~(-4)％。     

X射线荧光光谱法测定磁泡薄膜中Y、Bi、Ca、Fe、Ge、Si

近年来用X射线荧光光谱测定薄样的方法及技术有了迅速发展,其中对于薄膜组份和厚度的非破坏测定,从Bergel等人用人工制备的点滴滤纸片薄样作标准以来,该方法又有新的进展,本文在此基础上完成了对膜厚小于3μm的Gd-Ga石榴石磁泡薄膜中Y、Bi、Ca、Fe、Ge、Si原子比和含量的非破坏测定。 1.原理及公式:薄样中元素的X射线荧光强度表示如下:     

直接进样石墨炉原子吸收光谱法测定残渣燃料油中钠、钒含量

建立了直接进样石墨炉原子吸收光谱法测定残渣燃料油中微量钠、钒元素含量的快速检测方法。通过选择谱线和背景校正模式,优化了石墨炉条件;根据待测样品和元素特点优化了升温程序,待测样品无需前处理,直接通过石墨舟进样检测。残渣燃料油中钠、钒元素的检出限分别为0.108 ng和0.876ng;3个浓度水平下,钠元素平均回收率在89%~94%之间,钒元素平均回收率在89%~91%。采用本方法对实际残渣燃料油样品进行测定,钠、钒元素的测定结果与使用IP 501方法测定的结果基本一致。     

多功能X射线谱分析程序PAXMF简介

本程序根据AXIL程序的拟合函数用多次迭代的最小二乘法拟合、分解复杂X射线谱,除能计算各元素的特征峰面积和标准差外,还能计算相对灵敏度因子;直接给出待测试样中各元素的含量;给出待测试样的实际检测限;扣除空白试样中各杂质元素的贡献;批量处理能谱100个。该程序用FORTRAN-Ⅳ语言编写,在PDP11/23小型计算机上使用,适用于PIXE、EDXRF分析。     

X射线荧光光谱法测定Zn镀层质量厚度及计算谱线选择问题研究

用X射线荧光光谱法测定了Fe基上Zn镀层的质量厚度；研究了厚度不同时选用不同谱线计算对测定结果的影响，发现在镀层质量厚度较小时（约〈14mg／cm^2）测量Zn元素的Kα线，质量厚度较大时选择Zn的Kα和Fe的Kα线共同计算，用纯元素和相似标样校正测定结果之间的偏差最小；用纯元素作校正标样测定了3个标准样品的Zn镀层质量厚度，计算结果与标准值符舍得较好。     

化学蒸气发生-多通道原子荧光光谱法同时测定化探样品中的砷、锑、铋、汞

采用氢化物发生-四通道原子荧光光谱仪同时测定化探样品中砷、锑、铋和汞的含量。试样溶于盐酸-硝酸-水(3+1+4)的混合酸中,分取适量试液在盐酸(1+4)溶液和含硫脲10g·L-1的介质中预还原30min。用纯氩气作载气和屏蔽气,流量依次为300,900mL·min-1。仪器采用间歇流动进样方式,硼氢化钾溶液的质量浓度为15g·L-1。上述4种元素的质量浓度在一定范围内呈线性,检出限(3S/N)为0.031μg·L-1(砷)、0.028μg·L-1(锑)、0.024μg·L-1(铋)和0.004 8μg·L-1(汞)。应用此方法分析了化探样品,并用标准加入法对上述4种元素进行回收试验,测得回收率在95.4%~101%之间。     

TiS_2原子薄膜厚度对其热电性质影响的理论研究

本文采用玻尓兹曼输运方程与密度泛函计算相结合的方法,理论研究了薄膜厚度对二维TiS2原子薄膜热电性能的影响。随着厚度的减小,薄膜的能带变平,电子有效质量增大而群速度减小,这造成了塞贝克系数的增大和电导率的减小。而且,薄膜的功率因子及最优载流子浓度也随厚度的减小而减小。我们讨论了薄膜功率因子减小的物理机制,并与其他二维体系的实验结果进行了比较分析。     

三维编织C/SiC纤维复合块材的XPS研究

用常规XPS、小面积XPS和成象XPS研究了三维编织的C/SiC纤维复合材料.结果表明,在燃气中灼烧后材料表面生成的暗红色反应是由于层中的SiC已氧化成氧化硅,同时反应层中还引入了杂质Fe、Na、Ca和Al;在反应层下Si以元素Si、SiC和氧化硅多种形式存在.块材横截面的多点小面积XPS分析结果表明,元素硅的相对浓度随深度增加而减少, SiC的相对浓度则随深度增加而增加.块材横截面的成象XPS分析清楚地显示了SiC 在纤维束边界间呈大致均匀的分布,在块材两边元素Si的浓度明显偏高.根据XPS象的线性扫描结果估计了纤维束、束间SiC层和块材边缘元素Si富集层的厚度.     

TiS2原子薄膜厚度对其热电性质影响的理论研究

本文采用玻尓兹曼输运方程与密度泛函计算相结合的方法,理论研究了薄膜厚度对二维TiS₂原子薄膜热电性能的影响。随着厚度的减小,薄膜的能带变平,电子有效质量增大而群速度减小,这造成了塞贝克系数的增大和电导率的减小。而且,薄膜的功率因子及最优载流子浓度也随厚度的减小而减小。我们讨论了薄膜功率因子减小的物理机制,并与其他二维体系的实验结果进行了比较分析。     

用迭代法计算难溶电解质的溶解度

借鉴数学中求方程根的二分迭代法精确计算难溶电解质在水解、酸化、络合后的溶解度,在估计出[H+]的大致范围后,再选定迭代精度。当正电荷总浓度与负电荷总浓度之相对偏差小于迭代精度时,即可认为正电荷总浓度与负电荷总浓度相等,计算结束,得到结果。本方法能计算出传统方法无法计算的化合物的溶解度、pH及水解产物的浓度。     

纤维素纳米晶体薄膜的制备与表征

讨论了两种新型纤维素纳米晶体(Cellulose nanocrystal,CNC)薄膜的制备方法:浸没法和旋涂法,并利用红外反射吸收光谱(Infrared reflection absorption spectroscopy,IRRAS)和原子力显微镜(Atomic force microscopy,AFM)对其进行表征。AFM高度图显示两种工艺制备的CNC薄膜均由棒状的CNC纳米颗粒交错叠加而成。实验结果显示,旋涂法制备的薄膜更加光滑,粗糙度RMS约为2.7 nm。由于带电颗粒间斥力的存在,浸没法制备的CNC膜厚度最大约为15 nm,而旋涂法可以得到更厚的CNC薄膜,其厚度可达50 nm以上。研究CNC悬浮液浓度与旋涂法CNC膜厚之间的关系后发现,可以通过改变CNC溶液的浓度对薄膜厚度进行控制。IRRAS结果也证实随着CNC悬浮液浓度的增加,旋涂薄膜的厚度随之增加。     

纯相Li_2MnO_3薄膜的制备及作为锂离子电池正极材料的电化学行为

采用固相烧结法制备了纯相Li2MnO3正极材料及靶材,采用脉冲激光沉积(PLD)法在氧气气氛、不同温度下沉积了Li2MnO3薄膜.通过X射线衍射(XRD)和拉曼(Raman)光谱表征了薄膜的晶体结构,采用扫描电镜(SEM)观察薄膜形貌及厚度,利用电化学手段测试了Li2MnO3薄膜作为锂离子电池正极材料性能.结果表明,PLD方法制备的纯相Li2MnO3薄膜随着沉积温度升高薄膜结晶性变好.25℃沉积的薄膜难以可逆充放电,400℃沉积的薄膜具有较高的电化学活性和循环稳定性.相对于粉末材料,400与600℃制备的Li2MnO3薄膜电极平均放电电位随着循环次数的衰减速率明显低于相应的粉体材料.     

KCl-LiCl-H2O体系热力学性质的研究

用K-ISE、Li-ISE和Cl-ISE测定了25 ℃时体系中KCl、LiCl的平均活度系数, 溶液的离子强度从0.1～4.0 mol·kg~(-1), 组成范围从纯的KCl到纯的LiCl。将Pitzer方程应用于测定结果, 用多元线性回归方法求出了Pitzer参数。     

X射线荧光光谱法测定奶粉中的营养元素

采用粉末压片制样,波长色散X射线荧光光谱法测定奶粉中的氮、钠、镁、磷、氯、钾、钙。从仪器的X射线光管铍窗厚度、电流强度、测量时间和样品制样压力等方面优化了N元素的测定参数。选择不同种类的奶粉,由标准方法定值,采用标样建立校准曲线,理论α影响系数法校正基体效应。研究发现,铍窗厚度是制约N元素测定的主要因素,而电流强度的影响较小;手工研磨可较好地实现样品的均质处理;X射线辐照可以引起奶粉褐变,形成类似美拉德反应的外观和气味,并严重破坏内部蛋白质,P,Cl,K,Ca等元素测量结果均发生有规律的变化。该方法对N元素的检出限和相对标准偏差(RSD,n=9)分别为900 mg/kg和2.9%,其它元素的检出限和RSD分别小于10 mg/kg和3.0%,测定结果与标准方法一致。     

泛函数法研究柱状反胶束双电层

利用泛函数分析理论中的迭代方法, 建立并在泛电位下求解了柱状反胶束水池内关于双电层电位的Poisson-Boltzmann (PB)方程, 推导出了该方程的第一、二次迭代解及电荷密度表达式, 并将其与Debye-Hückel(DH)的低电位线性近似方法得到的结果进行了比较.     

柔性不锈钢基底上一维TiO_2纳米线薄膜的制备及表征

采用直流磁控溅射的方法在柔性不锈钢基底(50μm)上沉积纯钛薄膜,后在NaOH碱溶液中经水热法制备了非钛基大长径比的一维TiO2纳米线薄膜,并通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)以及光电化学的方法对不锈钢基一维TiO2纳米线薄膜进行了表征.结果表明,纯钛薄膜的致密度、结晶性能以及与基底的结合强度均随衬底温度的升高而加强;在10mol·L-1NaOH浓度下,生长一维TiO2纳米线结构的适宜温度为130-150℃;TiO2纳米线长度达到几个微米,直径在10-30nm之间,并且相互交叉生长,构成一个三维网络结构.此外,在Na2SO4溶液中对TiO2纳米线薄膜进行了线性扫描和瞬态光电流测试,结果表明,一维TiO2纳米线薄膜电极较TiO2纳米颗粒电极表现出更优异的光电化学性能.这种磁控溅射与水热反应相结合的方法,为非钛异质基底上制备一维TiO2纳米线薄膜提供了新的思路.