均匀线性介质中电容器漏电阻与电容的关系

利用漏电电阻、电容的场量表达式,推导出充以均匀线性介质电电容器的漏电电阻与电容之间的关系为ＲＣ＝ε／σ,当已知漏电电阻（或电容）时,利用该关系可以方便地求出电容（或漏电电阻）。     

均匀线性介质中电容器漏电电阻与电容的关系

利用漏电电阻、电容的场量表达式 ,推导出充以均匀线性介质电容器的漏电电阻与电容之间的关系为 RC=ε/σ.当已知漏电电阻 (或电容 )时 ,利用该关系可以方便地求出电容 (或漏电电阻 )     

共焦椭圆柱等值坐标电容器的电容

利用共焦椭圆柱坐标给出共焦椭圆柱电容器电容的一般表示,求解椭圆柱形电容器和双曲柱形电容器的电容,丰富了此类电容器电容值计算的结果.     

方柱形电容器电容的计算

文献[1]用简易方法计算了球形和圆柱形电容器的电容.本文再用此方法来计算方柱形电容器的电容,供教学参考.     

非平行板电容器电容的边缘效应研究

本文利用保角变换将非平行板电容器变换为平行板电容器;再利用施瓦兹-克利斯多菲变换计算考虑边缘效应时电容器的电容.讨论了平板倾斜角和边缘效应对平板电容器电容的影响.     

非平行板电容器电容的又一算法

应用平行板电容器电容的概念和并联电容器电容公式,给出了非平行板电容器的电容及电场分布.     

电容器及其电容

本文通过导体电荷与电势的线性关系，说明电磁学教材中关于电容器及其电容定义的含义．     

球冠形电容器和柱冠形电容器电容的 简易求法

从平行板电容器的电容表达式出发, 给出球冠形电容器和柱冠形电容器电容的一种简易求法     

矩形柱电容器电容的简单计算方法

用简单方法计算矩形柱电容器的电容 ,并指出文献 [1 ]中的“电容特性普遍公式”实质上就是无限多个平行板电容器电容的串联公式 .     

定量探究平行板电容器的电容

平行板电容器的电容是高中物理电学部分的重要演示实验.教材中的探究方案只能定性研究,且理解难度大,实验效果不明显.为解决以上问题设计了简单稳定且能定量探究平行板电容器电容决定因素的实验装置.实验装置采用单面覆铜板作为电容器极板,利用A4纸或塑料文件夹做电介质,通过实验探究得出平行板电容器电容与极板正对面积成正比,与极板间...     

超导量子器件片上皮法电容的制备及测量

片上集成电容是超导量子芯片上的核心器件，其数值一般在百飞法(fF)至皮法(pF)范围.采用常规微纳加工技术在蓝宝石基片上制备了铌-氧化硅-铝(Nb/SiO₂/Al)平行板电容.利用刻蚀工艺制备了平行板电容器的下极板Nb,利用剥离工艺制备平行板电容器的上极板Al和介电层SiO₂.室温下利用锁相放大原理和桥式电路原理测定电容大小，两种方法测定电容值基本一致，表明锁相放大原理测试pF级电容的可靠性.利用该电容与铝基约瑟夫森结组成谐振器，制备了中心频率位于4.35 GHz的约瑟夫森参量放大器.在稀释制冷机中10 mK温度下测定直流偏置谐振器的磁通-频率相位图，拟合数据获得的电容值与室温测定电容值接近，表明在mK、GHz条件下工作的片上集成电容可在室温、kHz条件下测定其数值大小.     

基于DISLab电容充电法速度的测量

将物体通过一小段距离的时间,转换成用此过程对电容两端的充电电压来描述,而电容的充电电压可用DISLab电压传感器采集,再经反相推导,把电压量转换成时间量.根据v=s/t,即可测量物体的速度.实验表明,这种电容充电法测得的速度与传统光电门法所测的速度相一致.     

聚苯胺在电化学电容器中的应用

采用化学氧化聚和法制备了聚苯胺电极材料,所制备的聚苯胺具有高于420F/g的法拉第赝电容和良好的电化学特性.分别采用聚苯胺作为正极材料,高比容量活性碳作为负极,38%硫酸作为电解液制备了复合型电化学电容器.复合型电容器工作电压达到1.4V,最大电容器比容量达到57F/g,最大比能量达到15.5Wh/kg.电容器200mA/cm2放电条件下真实功率达到2.8W/g,峰值比功率达到20.4W/g.循环工作寿命超过1000次.     

Frequency Dispersion of the Impedance of Capacitor Structures with Asymmetrically Connected Electrodes

Technical Physics - A method to estimate the frequency dispersion of the impedance of capacitance structures with asymmetric opposite connection of electrodes is considered. The proposed equations...     

PIN光电探测器的建模与仿真分析

为了优化PIN光电探测器响应特性,首先依据载流子速率方程,并考虑芯片寄生参量和封装寄生参量,建立光电探测器的等效电路模型。然后仿真分析了反偏电压、I区宽度、光敏面、芯片寄生电阻和电容、封装寄生电阻、电容和电感对光电探测器脉冲响应特性和频率响应特性的影响。结果表明:通过增大反偏电压,减小光敏面和寄生参量(芯片寄生电容和电阻,封装寄生电容和电阻),选取合适的I区宽度,利用引线电感的谐振效应现象,可以抑制脉冲响应波形畸变,提高频率响应带宽。     

GaN发光二极管的负电容现象

采用串联等效电路分析了较大正向电压下半导体二极管的交流电学特性．由此可以同时测量结电容和串联电阻,并能判断二极管是否有界面层。首次发现了在较低的测试频率和较大的正向电压下,GaN二极管的结电容具有负值,并且测试频率越低,正向偏压越大,负电容现象越显著。这种负电容效应可能与大正向电压下强注入造成的电子-空穴复合发光有关。     

电容器边缘效应对介电常数测量的影响及修正

通过场的图形描绘法和实际测量,考虑平行板电容器边缘效应对电容测量值的影响并进行修正,从而获得对用交流电桥法测量纺织品等介质的介电常数的测量结果的修正。     

测量强流电子加速器输出电压的电容分压器

研制了一种结构简单、拆装方便的自积分电容分压器,用于测量强流电子加速器二极管输出电压。介绍了电容分压器的结构,计算了其电容量,并通过仿真的方法分析了前端电阻及其杂散参数对测量波形的影响,结果表明:当前端电阻杂散电容较大时,测量波形出现过冲现象;而前端电阻对地电容较大时,会影响测量波形的前沿。将电容分压器用于测量强流电子加速器二极管输出电压,并运用水电阻分压器对其进行了标定,所测得波形与电阻分压器基本一致,分压比为563 007,可以用于测量半高宽为100 ns的高压脉冲。     

传输线的电容和电阻特性及其应用

讨论了横向电磁传输线的另一个重要特性——电容和电阻特性,即单位长度的电容与电阻之积等于电容率与电阻率之积．并对一些典型的传输线进行了应用．     

镓铝砷LED中的深能级及其对光电特性的影响

众所周知,杂质缺陷对半导体器件性能有很大的影响,所以引起人们极大的兴趣。所谓深能级,一般是指不易离化、电离能超过几个kT的能级。象半导体中Cu,Fe,Co,Ni过渡金属,氧,空位及其络合物都能形成电离能较大的深能级。