低能离子——电子发光

美国通用电话电气公司实验室报导了一种激发无机磷光体的新方法:用低动能离子(<40ev)和低动能电子(<20ev)激发磷光体。用磷光体的特征光输出探查激发机理。他们定了一条经验公式,说明光输出与离子电流、电子电流之间的关系。用它来确定光输出随电子、离子的动能及离化电位而变化的情况。激发机理如下:第一步是用离子束形成空穴,虽然这些空穴在晶格中是活动的,但还有一些空穴被俘获。第二步是电子和这些俘获的空穴相互作用而产生磷光体的激发态。能量传递到激发中心而使磷光体     

以ZnO为电子传输层PPV的发光

以Ⅱ-Ⅵ族无机半导体ZnO为电子传输层,PPV为空穴传输层和发光层,得到的电致发光器件比单层PPV器件的发光亮度和效率都高.器件结构为ITO/PPV/ZnO/Al的电致发光光谱同单层PPV器件的光谱基本相同,但是启亮电压明显比单层器件低,最大亮度大约比单层器件高6倍左右,同时工作电流也比单层器件小.通过PPV层自吸收现象可判断出发光区域在PPV/ZnO界面处.电流-电压曲线表明,这种器件具有空间电荷限制电流特性,即J∝Vn,这里n大约为2,这器件的电流主要受到空穴的限制.     

GaN:Zn发光的显微观察

利用扫描电子显微镜(SEM)观察了气相外延GaN:Zn晶片的表面形貌、Zn浓度分布和阴极射线发光微区光谱及其MIS结构的电致发光微区光谱。研究表明,Zn杂质掺入GaN可以形成四种能量位置的发光中心;它们的形成与Zn浓度和晶体的微区结构有关;二者的不均匀决定了发光的不均匀性。     

固态阴极射线发光亮度的提高

为提高固态阴极射线发光亮度,以碰撞激发为核心,采取了两个方面的措施：第一是增大初电子的密度及过热电子的能量;第二是采用固态阴极射线发光和有机电致发光的混合或级联激发.固态阴极射线发光中的初电子来源包括从电极隧穿的电子和从界面态及材料陷阱中获释的电子.这些电子在电场的作用下在固体薄膜中加速获得能量,成为过热电子.它们碰撞激发有机材料发光后,本身并没有湮灭,而和传导电子及倍增电子一道与注入的空穴复合,产生发光.     

ZnO:Tb纳米晶的协同发光现象

用光致发光的方法研究了掺铽的ZnO纳米晶这种新型掺杂纳米晶体系,观察到了其中的协同发光现象,指出ZnO纳米基质与掺入其中的铽中心之间存在有效的能量传递.该能量传递对稀土铽离子的特征发光起决定性的作用. 关键词： 光致发光 掺杂 纳米晶     

阴极射线发光的电流密度饱和

我们研究了一些阴极射线发光磷光体的电流密度饱和效应。在密封式的7时管中,用单线扫描方式激发单色荧光屏。电子束的扫描(在y方向上)是用重复频率为30周的标准电视频率15.75千周来实现的。用有效狭缝宽度为7μm的移点分析器来测量横越扫描线(在x方向上)的亮度分布。对每根扫描线来说(y方向)几乎在整个高度h上,亮度都是常数。在总阴极电流数值大约为0.1到0.3微安范围内的一些值,测量了x方向的发光率。必须进行二个方向( x和一x)的测量,然后取平均值作为结果。     

高效饱和红光聚电解质的发光及电子注入特性研究

以新型的环境友好的水/醇溶性胺基化或者季铵盐化的芴和含硫窄带隙共聚物4,7-二噻吩-2-基-2,1,3-苯并噻二唑的共轭聚电解质为发光层，以高功函数金为电极，制备了一系列高效饱和红色单层发光二极管. 对PFN-DBT10，在38.7mA/cm²下外量子效率达到0.42%，色坐标位于(0.67，0.33). 这类聚电解质解决了发光器件层间的互溶问题，以它和高功函数金组成双层复合阴极，制成了高效三基色双层发光二极管. 通过单层和双层器件结构系统地研究了这类新型聚电解质的发光特性和电子注入特性，器件效率的提高与这类聚电解质和高功函数金电极界面相互作用有关.     

低能Co离子注入单晶ZnO的光致发光特性

采用离子注入法研究了Co离子注入ZnO晶体的光致发光效应。 对离子注入后的样品在Ar气保护下进行退火处理, 退火温度为700 ℃, 退火时间为10 min, 在其光致发光谱中观察到了406和370 nm的紫光发射峰。 对比了Co, Cu离子分别注入的ZnO晶体的光致发光谱, 观测到二者的光致发光谱类似。 同时, 研究了Co离子注入剂量对样品发光性质的影响, 结果表明随注入剂量的增加绿色发光中心逐渐向低能边偏移, 分析认为绿色发光中心的偏移与离子注入后ZnO晶体的禁带宽度发生改变相关。 In this paper, ion implantation techniques were used to study the photoluminescence(PL) of the Co implanted crystal ZnO. After Co ion implanted, the samples were annealed at 700 ℃ for 10 min in Ar gas flow. It was observed violet emission peak of 406 and 370 nm in the PL spectrum. The PL spectra of the ZnO crystal samples which were implanted by Co ions and Cu ions, respectively, have been compared and observed that the PL spectrum of the Co implanted ZnO is similar to that of the Cu implanted ZnO. We studied the influence of implantation dose on the PL of the Co implanted ZnO and found that the green luminescence centre shifted with increasing of implantation dose. It is concluded that the shift of the green luminescence centre is related to the change of ZnO band gap which was caused by ion implantation.     

利用亮度波形证明固态阴极射线发光

制备了3种结构的器件：A: ITO/SiO₂/Alq₃/Al, B: ITO/Alq₃/SiO₂/Al,C: ITO/SiO₂/Alq₃/SiO₂/Al。对于器件A和B,在正向偏压(ITO接正极)下才能观察到发光;而对于器件C,在正向和反向偏压下都可以观察到发光。随着电压升高,器件B和C产生的蓝色发光相对绿光逐渐增强。这主要是由于SiO₂中的加速电子碰撞激发Alq₃发光层产生热电子,并与空穴形成电子空穴对,复合产生蓝光;而对于器件A,在反向偏压下被热电子碰撞激发出的空穴与正向偏压下从Al电极进入的电子复合形成激子,产生绿色发光。这些结构的器件发光不但可来源于电子与积累的空穴复合,而且也来自固态阴极射线发光。     

低能电子非弹性散射阻止本领

电子在固体中的弹性散射用Mot截面描述,提出一个简化的壳层电子激发计算方法将文献[5]中对电子非弹性散射的模拟拓展到重元素,用MonteCarlo方法模拟低能电子在Al、Cu、Au中的散射过程,计算的背散射系数、薄膜透射系数与实验一致.由此,计算得低能电子非弹性散射阻止本领并与Love、Rao-SahibWittry以及Joy的修正Bethe阻止本领作比较分析.     

射频低压等离子体电子能量分布函数的探针诊断

本文对于无内电极放电的射频低压等离子体,采用探针电流调制法,设计并建立了三探针诊断电子能量分布函数的测量系统,测量了压力在10^-3—10^-1Torr下氮气等离子体的电子能量分布函数。从理论和实验上研究了探针鞘层上射频干扰电压对测量电子能量分布函数的影响,给出了确定射频干扰值以及对射频干扰的影响进行修正的方法,并采用该方法对实验数据进行了修正,得到了正确的电子能量分布函数。根据所得到的电子能量分布函数计算的电子平均能量,与由探针伏安特性计算得到的电子平均能量相差不超过5％,该结果间接证明了本文实验测量系统的可靠性以及对射频干扰影响进行修正的正确性。     

LOW ENERGY TRIPLE DIFFERENTIAL CROSS SECTIONS FOR ELECTRON IMPACT IONIZATION OF HYDROGEN

ＬＯＷＥＮＥＲＧＹＴＲＩＰＬＥＤＩＦＦＥＲＥＮＴＩＡＬＣＲＯＳＳＳＥＣＴＩＯＮＳＦＯＲＥＬＥＣＴＲＯＮＩＭＰＡＣＴＩＯＮＩＺＡＴＩＯＮＯＦＨＹＤＲＯＧＥＮＣｈｅｎＺｈａｎｇｊｉｎａ，ｂＸｕＫｅｚｕｎｂＸｕＦｕｘｉｎａａＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙ...     

Monte Carlo方法模拟低能电子在Al中的散射

基于文献[1]的工作,电子在固体中的弹性散射用Mott微分截面计算;非弹性散射分为单电子激发和等离子激发并由Streitwolf、Gryzinski及Quinn的截面描述.模拟了低能电子在Al块样及薄膜中的散射过程,对不同能量低能电子作用下Al的背散射系统、能谱又透射系数作了计算,结果与实验符合较好.也对背散射电子、低能损背散射电子表面分布作了计算,结果表明低能损背散射电子具有较好的空间分辨率.     

低能电子与类锂碳离子碰撞的共振激发

 考虑了内壳层电子激发的组态相互作用后,采用R矩阵方法计算了电子碰撞类锂碳离子的共振激发碰撞强度。对于1s²2s²s-1s²2p²p跃迁,结果介于密耦方法和Coulomb-Born交换近似结果之间,而且除了紧靠近激发阈值的 能量区域外与实验结果符合。     

用低能电子衍射谱计算过渡金属吸附CO的表面结构

本文用低能电子衍射谱研究了CO分子吸附在过渡金属上的表面结构。     

低能电子离化He原子的三重微分截面

在ＢＢＫ理论的基础上，考虑末态波函数中的动量相关效应对三重微分截面（ＴＤＣＳ）的影响，计算了共面双对称几何条件下电子离化Ｈｅ原子的三重微分截面．所得结果与其它理论计算进行比较发现：本文结果与最新绝对测量的实验数据在误差范围内完全符合． 关键词：     

Monte Carlo方法计算低能电子作用下固体背散射电子发射及空间分布

应用Monte Carlo方法,对能量E₀≤5keV低能电子作用下固体Al、Cu、Ag、Au的背散射电子发射及表面空间分布作了计算.模型应用Mott散射截面及修正的Bethe方程分别描述低能电子在固体中的弹性和非弹性散射.计算了背散射电子能量分布、表面空间分布、深度分布和角分布规律及特征,还计算分析了背散射电子角分布与深度分布、表面空间分布及能量分布之间的关系,系统地描述了背散射电子的发射及分布规律.     

中低能区α粒子与Li原子碰撞中电子俘获总截面的计算

采用Ｌｉ原子价电子的有效势模型和两态轨道展开方法主要计算了中低能区（３０ｋｅＶ￣２００ｋｅＶ）α粒子与Ｌｉ原子碰撞过程中价电子俘获的部分截面，提出了利用部分截面计算总截面的近似公式。计算结果表明，中低能区价电子的俘获截面对总截面有很大的贡献，理论结果与实验很好的符合。     

π介子和核子在低能的散射

本文讨论了经过減除的π-核子散射色散关系和通常拉格朗日描述及其重整化处理间的关系。指出一次減除可以解释为作用常数的重整化。我们用经过減除的色散关系处理了π-核子S波散射。计算结果指出,π介子和核子间的相互作用应该是赝矢型而不是赝标型的。     

电子相互作用和孤子元激发(Ⅱ)——电子关联对孤子激发能的影响

电子相互作用对孤子的激发能是增加还是减小，各种理论相互矛盾．分析了产生矛盾的原因，提出了计算孤子激发能的新方法，结果表明：电子相互作用使荷电孤子对的激发能增加，其增加的幅度小于电子-空穴对激发能的增加幅度 关键词：