高重复率 高平均功率窄线宽KrF准分子激光系统的研究

本文报道—台自制的光学投影亚微米量级微细加工用的KrF准分子激光振荡-放大系统,并对其设计和运转性能加以讨论.该系统在200Hz重复率运转时其谱线漂移小于5×10~(-4)nm,谱线宽度为2.3×10~(-8)nm,平均功率达24.4W.     

溶胶CdS毫微晶的双光子吸收及其量子尺寸效应

本文利用单光束透过率法研究了溶胶CdS毫微晶的双光子吸收。对于毫微晶尺寸为5.5～11.0nm的样品,测得其在波长510.6nm时的双光子吸收系数为1.31～5.24/GW,并由此得到相应的x~(3)为2.8×10~(-12)～1.1×10~(-11)esu。文中还从理论上分析了CdS溶胶的双光子吸收与毫微晶尺寸的关系,理论计算与实验结果基本符合。     

633nm氦氖激光的纵向塞曼拍频曲线及稳频的原理和实验

本文给出了纵向塞曼激光拍频函数的解析表示式,并把它作为鉴频曲线进行633nm氦氖激光的频率稳定.当激光稳定在拍频曲线极小值,频率稳定性达1～2×10~(-10),频率再现性可达2×10~(-9).这种稳定激光器可在精密测量和光谱学实验中作为次级频率或波长标准使用.     

高光洁度玻璃基片的表面散射和体散射测量

 提出了一种利用总积分散射（TIS）测量K9玻璃基片表面散射和体散射的实验方法。首先采用磁控溅射技术在基片表面沉积厚度为几十nm的金属Ag薄膜,然后将基片的表面和体区分开考虑,通过TIS测得了基片上下表面的均方根粗糙度, 进而求得基片的总散射和表面散射,最后计算得到了体散射。分别利用TIS和原子力显微镜（AFM）测量了3个样品上表面所镀Ag膜的均方根粗糙度,两种方法所得的均方根粗糙度的数值相差不明显,差值分别为0.08,0.11和0.09 nm, 表明TIS和AFM的测量结果相一致。利用该方法测得3块K9玻璃基片的总散射分别为6.06×10^-4,5.84×10^-4和6.48×10^-4,表面散射介于1.25×10^-4~1.56×10^-4之间,由此计算得到的体散射分别为3.10×10^-4,3.30×10^-4和3.61×10^-4。     

一个利用量子化学方法计算Si—H伸缩振动频率的半经验公式

本文将前人对硅烷类分子中Si—H红外吸收光谱实验结果和我们对其键长、键级的量子化学计算结果进行综合分析,得到了一个计算Si—H伸缩振动频率的半经验公式:v~2=1.635×10~7·P·R~(-3/2)+7.458×10~(-2)。用该公式对七种硅烷类分子的计算得到了满意的结果,平均偏差不超过0.4%。     

4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析

 在研究反偏压4H-SiC肖特基二极管作为g射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型,模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度。模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于Au/SiC肖特基二极管,有源区掺杂数密度为2.2×10¹⁵ cm^-3时,0 V偏压下探测器的灵敏度为13.9×10^-9 C/Gy,100 V偏压下为24.5×10^-9 C/Gy。计算结果与实验数据符合得较好。     

Raman紫外双共振研究C_2H_2分子的碰撞转动弛豫

本文利用受激Raman抽运,选择性地制备了C_2H_2分子电子基态的红外非激活振动能级的单一转动态(X~1∑~+,v″=1,J″=9,11,13),并从紫外激光诱导的A~1Au(v′=1)←X~1∑~+(v″=1)荧光谱,直接测定上述三个转动态的C_2H_2—C_2H_2碰撞的消激活速率常数,它们分别为(7.96±1.04)×10~(-10),(8.79±0.97)×10~(-10),(8.76±0.88)×10~(-10)cm~3~(-1),以及由这些初始转动态向其它不同转动态(v′=1,J′=1,3,5,7,9,11,13,15)多量子跃迁转移的激活速率常数。     

Yb:YAG的晶体生长和光谱参数计算

用提拉法生长了质量优良的大尺寸Yb :YAG晶体 ,在室温下测量了它的 2 0 0～ 30 0 0nm的吸收光谱。在 2 0 0～ 390nm范围内 ,晶体的吸收来自基质YAG ;在 390～ 30 0 0nm范围内 ,仅有Yb3 + 的特征吸收。Judd Ofelt理论计算的结果表明 ,(2 4at% )Yb :YAG的电偶极子的吸收、发射振子强度分别为 3 5 8× 10 -6,4 77× 10 -6,吸收、发射跃迁几率分别为每秒 879,1171。磁偶极子的吸收、发射振子强度分别为 3 32×10 -7,4 4 3× 10 -7,吸收、发射跃迁几率分别为每秒 82 ,10 9;2 F5/ 2 能级寿命为 781μs。     

H2O分子泛频振动谱的半导体激光检测

本文使用0.82μmAlGaAs激光二极管(LD)观测H_2O分子(0,0,0)—(2,1,1)泛频振动吸收谱,获得822.6～823.2 nm波长范围内H_2O分子26条泛频吸收谱线.其中,检测谱线的最小吸收系数α_(min)～3×10~(-6)cm(-1),对α～1×10~(-4)cm~(-1)谱线所获得的信噪比(SNR)约60.本文还观测了气体压强对泛频谱线形、线宽的影响,测量了泛频谱线的压强增宽系数β_p～0.128MHz/Pa.     

分子泛频谱稳频半导体激光器研制成功

北京大学无线电系,激光光谱科研组和中国计量科学研究院长度处,长度基准实验室合作,使用温度控制和电流扫描相结合的方法和差分放大检测技术,在822.6～823.2nm波长范围内,观察到了H_2O分子(0,0,0～2,1,1)跃迁的26条泛频谱线,吸收线的宽度约为1GHz。利用一次谐波和三次谐波稳频技术,成功地将半导体激光的频率稳定在H_2O分子的一条较强的泛频谱线上(822.824nm)。整个装置可以连续稳定工作近20hr。用鉴频曲线的方法测得用Allan方差表示的频率稳定度如下, 对一次谐波稳频:1.5×10~(-10)(1s)和4.O×10~(-11)(10s)     

聚合物薄膜电光效应研究

介绍聚合物DR/PMMA薄膜材料做成光学法布里-珀罗腔结构,通过观察透射率随外加电场变化,以确定其非线性光学特性参量,在室温和575.0nm时的三阶极化率x~⑶(-ω;ω,0,0)=(5.3-i6.0)×10~((-11)_(θs.u))和二次电光系数R=-(8.5-i9.7)×10~(-19)m~2/V~2.     

Cs2分子的光解光谱

利用He-Cd激光器的441.6 nm线光解Cs2分子, 使Cs(n2L)(nL=7P, 6D)态得到布居, 在Cs密度1到9×1015 cm-3范围内测量原子荧光对分子荧光强度比, 得到碰撞转移率系数对解离率之比分别为2.9×10-17和7.4×10-18 cm3. 测定Cs nLJ对nLJ'荧光分支比, 得到72P, 62D态精细结构解离率之比分别为0.53和0.43. 从远翼激发得到的精细结构转移截面与从其他激发过程得到的截面结果相符, 给出了碰撞转移到6D态外(即Cs(6D)+Cs(6S)→Cs(6D)以外的态)的截面为1.9×10-14 cm2.     

脉冲超导磁体用Cu-CuNi-NbTi三组元多芯超导复合线的研制

从稳定性和交流损耗的观点阐述了脉冲磁体所用多芯超导复合线之主要参数(芯线直径d、复合线直径D和拧扭距l_p)的设计方法.设计并研制了两种cu-CuNi-NbTi三组元多芯复合线,其母材横向平均有效电阻率和NbTi芯径分别约为2×10~(-6)Q.cm,10 μm和2×10~(-7)Q.cm,6μm.讨论了复合线冶金工艺,特别是挤压温度对拉制NbTi细芯的影响.报道了复合线短样超导临界电流密度及其小型磁体的励磁性能.     

黑白显像管用的无镉荧光粉

据《中心专利文摘》1976年1月27日号报导,“大日本涂料”公司用无镉荧光粉制成与用含镉荧光粉屏亮度相同的黑白电视荧光屏。这种屏含有(1)用Au和Al激活的ZnS(每克ZnS含有5×10~(-4)～10~(-2)克Au,2.5×10~(-4)～10~(-3)克铝)发光颜色是黄绿至绿;     

烷氧基取代聚对苯乙炔三阶非线性光学性能

通过双醚化反应、氯甲基化反应以及在强碱性条件下进行的脱氯化氢反应制备聚（2-甲氧基-5-丁氧基）对苯乙炔（PMOBOPV）、聚（2-甲氧基-5-己氧基）对苯乙炔（PMOHOPV）、聚（2,5-二丁氧基）对苯乙炔（PDBOPV）和聚（2,5-二己氧基）对苯乙炔（PDHOPV）等四种可溶性聚对苯乙炔（PPV）衍生物,通过紫外-可见吸收光谱对产物分子结构进行表征.结果显示,PMOBOPV、PMOHOPV、PDBOPV和PDHOPV的共轭π电子发生π → π* 跃迁的吸收峰分别位于491 nm、495nm、504nm和510nm处,相应的光学禁带宽度分别为2.23eV、2.18eV、2.12eV和2.07eV.利用简并四波混频技术测量PPV衍生物的三阶非线性光学性能,探讨了分子结构对PPV衍生物三阶非线性极化率（χ(3)）的影响.研究发现,激发波长为532 nm时,PMOBOPV、PMOHOPV、PDBOPV和PDHOPV的共振χ(3)值分别为3.45×10－10、5.13×10－10、7.15×10－10和9.61×10－10 esu;激发波长为1064 nm时,它们的非共振χ(3)值分别为1.09×10－11、1.42×10－11、1.62×10－11和2.14×10－11 esu.     

钠共振线的自增宽和3~2P_(3/2,1/2)能级间的碰撞转移率

利用光吸收技术测量钠蒸汽密度。在3×101~(11)到1.2×10~(12)cm~(-3)的密度范围内,将激光调谐到钠D_2线紫(红)端约70GHz,记录激光频率的Rayleigh散射,直接(D_2线)荧光和敏化(D_1线)荧光的强度。获得D_2线共振自增宽率系数k_(br,2)=5.44×10~(-7)cm~3/S±15%。给出了不同密度下Na(3P_(3/2))+Na(3S)Na(3P_(1/2))+Na(3S)的碰撞转移率。得到了在T≈184℃时碰撞转移截面σ_(21)=1.99nm±29%。并与其他的实验结果和理论作了比较。     

低接触电阻率Ni/Ag/Ti/Au反射镜电极的研究

研究了Ag的厚度、退火时间、沉积温度对于Ni/Ag/Ti/Au电极的反射率及与p-GaN欧姆接触性能的影响. 利用分光光度计测量反射率, 采用圆形传输线模型计算比接触电阻率. 结果表明: 随着Ag厚度的增加, Ni/Ag/Ti/Au电极的反射率逐渐增大; 在氧气氛围中, 随着退火时间从1 min增至10 min, 300 ℃退火时, 比接触电阻率持续下降, 而对于400-600 ℃退火, 比接触电阻率先减小后增大; 在300和400 ℃氧气中进行1-10 min 的退火后, Ni/Ag/Ti/Au的反射率变化较小, 退火温度高于400 ℃时, 随着退火时间的增加, 反射率急剧下降; 在400 ℃氧气中3 min退火后, 比接触电阻率可以达到3.6×10^-3 Ω·cm². 此外, 适当提高沉积温度可以增加Ni/Ag/Ti/Au的反射率并降低比接触电阻率, 沉积温度为120 ℃条件下的Ni/Ag/Ti/Au电极在450 nm处反射率达到90.1%, 比接触电阻率为6.4×10^-3 Ω·cm². 综合考虑电学和光学性能, 在沉积温度为120 ℃下蒸镀Ni/Ag/Ti/Au (1/200/100/100 nm)并在400 ℃氧气中进行3 min退火可以得到较优化的电极. 利用此电极制作的垂直结构发光二极管在350 mA电流下的工作电压为2.95 V, 输出光功率为387.1 mW, 电光转换效率达到37.5%.     

流动注射氢化物石墨炉原子吸收法测定环境与生物试样中的痕量汞

本文采用金涂层石墨管、氢化物石墨炉进样系统及流动注射氢化物发生器,直接测定了部分环境和生物试样中的痕量汞,方法简便快速,重现性好,准确度高,具有高的实用价值。特征质量:5.8×10~(-11)g;检出限:2×10~(-11)g;分析速度:50样/小时。     

PHOTO ACOUSTIC MEASUREMENTS OF WATER VAPOR ABSORPTION COEFFICIENT IN UV SPECTRAL REGION

Data on the absorption coefficient of H₂O in binary mixture with N₂ in UV region of spectra are presented. With the use of the high sensitivity photoacoustic spectrometer, the following values of the absorption coefficient were found: 2.3×10^-9cm^-1·Pa^-1(λ=255 nm), 0.9×10^-9 cm^-1·Pa^-1(λ=271 nm), and 1.6×10^-9cm^-1 ·Pa^-1(λ=289 nm).     

用于计算全息的激光扫描系统

本文报导了用激光扫描系统直接绘制计算全息滤波器的研制情况及初步实验结果。该系统采用Burckhardt编码方式能直接绘制出约为10×10mm~2的计算全息图,每一采样孔为10×20μ~2,全息图的空间带宽积可达1024×512,每一采样元有7bit灰阶,总信息容量为6×10~7,绘制时间为17分钟.