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半导体数码管(或称LED数码管)的基本单元是删结,目前较多采用磷砷化镓做成的PN结,当外加正向电压时,就能发出清晰的光线.发光二极管的工作电压为1.5—3V。工作电流为几毫安到十几毫安,寿命很长.单个PN结可以封装成发光二极管,多个PN结可以按分段式封装成半导体数码管,其管脚排列如图1所示. 相似文献
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PN结正向伏安特性曲线随温度的变化 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了在不同温度下,PN结正向伏安特性曲线的自动测量方法。讨论了PN结伏安特性与温度的关系.由于正向结电压小于内建电势差,温度升高或正向结电压增加,正向结电流将增大,温度升高反向结电流也相应增加.当温度趋向OK时。正向结电压趋向内建电势差。 相似文献
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半导体PN结具有的单向导电性,是制造半导体器件的基础,使电子信息技术得以高速发展.我们用数学思想方法分析和解释半导体PN结中电流的运动规律,探讨了一个新的分析方法和教学思路. 相似文献
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介绍了验证PN结伏安关系特性实验的实验原理,并利用绘图软件Origin7.5对实验数据进行处理.结果表明,PN结的扩散电流和两端的正向电压之间满足指数关系.通过与理论公式的比较,准确地测出了玻尔兹曼常数. 相似文献
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浅谈伏安法测二极管的特性 总被引:1,自引:1,他引:0
高等学校试用的《普通物理实验》一书中,关于伏安法测二极管的特性实验(以下简称伏安特性实验),是通过测出二极管反向饱和电流I_e、正向各种偏压U_D及其对应的电流I_D,算出二极管温度等效电压的倒数(q/kT),再与室温时的理论值比较,让学生了解二极管的正向伏安特性。该实验和一些较能精确测定半导体PN结电流-电压关系的方法相比,不仅具有方法简单,直观性强,数据易处理等优点,而且使学生能够运用普物实验手段,认识半导体二极管这一重要特性,它是大学低年级可以开设的基础实验之一,但是如按课本上的要求测量,误差很大(只有理论值的一半左右),达不到比较满意的效果,本文通过分析误差产生的主要根源,谈谈原实验方案的弊端及改进意见。 相似文献
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介绍了PN结物理特性综合实验原理,利用绘图软件Matlab对实验数据进行曲线拟合,得到了PN结伏安特性函数表达式和PN结正向压降与温度间关系的拟合曲线,计算了常温下玻尔兹曼常数和PN结温度传感器灵敏度及T=0 K时的半导体近似禁带宽度。 相似文献
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对半导体pn结接触电势的一个讨论 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论了半导体pn结内建电场和接触电势的形成与可测性,回答了在半导体物理学pn结内容教学中学生经常会提出的一个似是而非的问题.从热力学第一定律、金属-半导体接触等不同角度详细解释了热平衡(零偏下)时pn结不可能对外输出电压和电流的原因. 相似文献
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半导体PN结具有电容的性质.在正向直流偏压下,理论计算表明,PN结扩散电容的对数与正向偏压成正比.实验发现,当正向偏压小于30mV时,这种线性关系是成立的;当正向偏压大于30mV时,会偏离这种线性关系.由于PN结还具有电阻特性,对交流信号的相位有影响.随着正向偏压增大,交流信号的相位变化出现一极值.如果将PN结等效为一个电容和一个电阻并联,就可以定性解释这种变化关系. 相似文献
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为了研究掺杂结构为p+-p-n-n+的半导体断路开关的ns脉冲截断机理,根据流体力学方程和全电流方程推导出半导体断路开关内部载流子运动满足的电流-电压关系表达式,提出了一种外电路方程和载流子流体力学方程联立求解的1维耦合数值模型。采用该模型对半导体断路开关的ns脉冲截断过程进行了数值模拟,模拟结果表明:在截断过程中,n-n+结处的载流子数密度首先开始明显降低,并出现高电场,随后p+-p结处也出现类似现象,随着载流子的抽取,高电场区域向p-n结处快速移动,最终在p-n结处完成截断,而基区载流子数密度在截断前后无明显变化。 相似文献
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众所熟知的一些结型发光器件是PN,MIS及MS结等,这些器件的发光光谱都是由半导体材料性质决定的,所以一种器件一般说只能发出一种颜色的光谱。对于直接跃迁型Ⅲ—Ⅴ族发光材料,例如GaAs0.6P0.4的PN结发光二极管,发光光谱取决于禁带宽度,所以只能发出红光;而直接带的Ⅱ-Ⅵ族材料,例如ZnSe:Mn肖特基二极管在反向偏压下的发光则利用杂质中心Mn的发光,只能得到黄色。目前人们已成功地制得了红色GaAsP,GaP、GaAlA以及黄色和绿色的GaP发光二极管。但这类器件的光谱并不随外加电压改变。 相似文献