内腔激光磁共振吸收及饱和特性

从气体激光运转特性出发,我们得到了内腔激光磁共振吸收及其无多普勒展宽饱和吸收的一阶微商信号的数学表达式.并以NO作为吸收分子研究了激光磁共振信号强度与样品气压和激光光强的关系,同时对内腔激光磁共振中无多普勒饱和吸收特性进行了详细的讨论.     

CF X2Π（υ＝1）远红外及NO X2Π（υ＝1←0）中红外激光磁共振光谱的标识

根据塞曼效应理论和激光磁共振 (LMR)光谱原理 ,本文建立了一套用于标识激光磁共振光谱的模型方法 ,并成功地对CFX2 Π(υ =1)远红外及NOX2 Π(υ =1← 0 )中红外激光磁共振光谱进行了标识。为新自由基分子的激光磁共振光谱提供了快速而准确的标识方法     

CF X^2П（ν=1）远红外及NO X^2П（ν←0）中红外激光磁共振光谱的标识

根据塞曼效应理论和浙江磁共振（LMR）光谱原理,本文建立一了套用于标识激光磁共振光谱的模型方法,并成功地对CF X^2П（ν=1）远红外及NO X^2П（ν←0）中红外激光磁共振光谱进行了标识。为新自由基分子的激光磁共振光谱提供了快速而准确的方法。     

激光磁共振用于对NO_2分子的定量测量

本文叙述了采用CO激光磁共振方法对NO_2分子作定量测量,给出了激光磁共振信号幅度的数学表达式以及信号与分子浓度、激光功率等实验参数之间的依赖关系,实验结果与理论分析一致。     

气相光声激光磁共振

提出了气相光声激光磁共振的新方法,并作了理论解释.分别在光强调制和激光腔频调制下,首次测到了NO₂的光声激光磁共振谱.其灵敏度很高,在低浓度和高气压下优点尤为明显.     

NO,NO2超精细LMR谱的观测

采用内腔CO激光磁共振光谱方法和微机数据采样系统,观测到了NO,NO₂分子的超精细激光磁共振(LMR)谱,简述了测量原理,给出了实验结果。     

远红外激光磁共振

远红外激光磁共振(LMR)是在顺磁共振(EPR)基础上发展起来的.引起顺磁共振原因是,由于原子在磁场中能级发生分裂,当磁场强度合适时,不同磁量子数Mj之间的跃迁能量与微波光子能量相当时,发生微波的吸收.远红外激光磁共振与顺磁共振都是将样品放在腔中来提高灵敏度,在磁场坐标上出现锐的吸收峰.远红外激光磁共振与顺磁共振不同之处是用远红外激光代替微波,由于其光子能量增加了两个数量级,吸收发生在分子转动态之间的跃迁或原子精细结构之间的跃迁.通过调节磁场,使在一定磁场数值上能级的分裂正好与红外光子能量匹配,从而发生吸收.因此,远红…     

激光磁共振方法测量CO激光器的频率稳定度

对于频率不能连续调谐的CO激光器,采用一种新的激光频率稳定度的测量方法是以分子的激光磁共振谱线为基准,通过测量分子的激光磁共振谱线线宽及其变化,然后用阿仑方差进行数据处理,即得出了一系列时畴下的CO激光频率稳定度,并用计算机对取样时间从0.1秒-1000秒的频率稳定度进行幂函数拟合,获得了频畴的CO激光频率稳定度的表达式。     

激光磁共振方法测量C0激光器的频率稳定度

对于频率不能连续调谐的CO激光器,采用一种新的激光频率稳定度的测量方法是以分子的激光磁共振谱线为基准,通过测量分子的激光磁共振谱线线宽及其变化,然后用阿仑方差进行数据处理,即得出了一系列时畴下的CO激光频率稳定度,并用计算机对取样时间从0.1秒-1000秒的频率稳定度进行幂函数拟合,获得了频畴的CO激光频率稳定度的表达式。     

ON THE CHARACTERISTICS OF THE ZEEMAN EFFECT AND RELATED TRANSITIONS OF THE FUNDAMENTAL BAND OF NO(X2

根据塞曼效应理论和激光磁共振光谱技术(LMR)的基本原理，讨论了双原子分子     

NO2ν2振动带的CO2激光磁共振垂直谱的观测

采用高灵敏度、高分辨率激光磁共振光谱(LMR)方法,使用CO₂激光器测量了分子NO₂v₂振动带的垂直谱(△M_J=±1).观测到了前人没有测过的新谱,在22支激光谱线下新获得100支塞曼(Zeeman)跃迁谱线。     

光谱的精密仿真技术及NO的高分辨LMR谱的仿真研究

LMR(Laser Magnetic Resonance)光谱技术采用磁场扫描及磁场调制获得顺磁分子吸收谱线,其谱线具有Voigt线型及各不相同的磁场线宽.本文考虑线型理论模型和实验条件,提出了一种实现LMR谱精密仿真的方法,并设计了相应仿真计算程序.对¹⁵N¹⁶O的X²Π_3/2v=1←0,Q₂(2.5)在激光频率为1842.8160cm^-1处的塞曼跃迁谱进行了仿真,得到了理想的仿真效果.该方法可作为复杂光谱分析标识的有效辅助工具.     

NO(X2∏1/2,3/2)v=1←0塞曼跃迁谱及其特性研究

根据塞曼效应理论和激光磁共振光谱技术(LMR)的基本原理,讨论了双原子分子²∏态的塞曼效应特性并导出了解释分子塞曼跃迁的简明代数拟合方程,用这些方程对¹⁴N¹⁶O(X²∏_1/2.3/2)及¹⁵N¹⁶O(X²∏_3/2)(v=1←0)的LMR谱线进行数据拟合,得到塞曼跃迁上、下子能级的g_J因子值和二级塞曼效应因子k₂.将按Hund耦合情形(a)及过渡情形(ab)的理论和拟合方程计算出的磁场位置分别与实验结果相比较,结果表明对NO分子而言,过渡情形(ab)能较真实反映它的耦合情况,且在较高强度磁场下,必须计及二级塞曼修正验证了采用上述代数拟合方程实现新分子LMR谱线标识和指认的可靠性,并提供了系统的处理方法.