采样率对宽带LFM信号数字脉压的影响

宽带LFM(线性调频)信号数字脉压中,当采样率不能取得足够高时,在不同的采样率下脉压输出结果将发生变化。此时,采样起点和多普勒频率的变化也将影响脉压结果,并且两者对脉压结果的影响有一定的等效关系。通过较全面的仿真,为宽带LFM信号数字脉压的工程应用中合理选择采样率提供了参考。     

LFM信号误差对SAR成像的影响分析

该文讨论了线性调频信号频率线性度的定义,分析了线性调频信号数字产生过程中,频率线性度、相位误差、幅频特性不平坦产生的原因以及对SAR成像的影响。给出了计算机仿真结果。     

非线性增益随机变化对暗孤子分布放大传输系统的影响

利用守恒量扰动法，研究了暗孤子分布放大传输系统中非线性增益随机变化对暗孤子脉冲到达检测窗口时间抖动，传输系统误码率的影响。结果表明：非线性增益随机变化对暗孤子速度产生了影响，与放大器噪声联合作用增大了暗孤子脉冲到达时间的抖动，恶化了系统的误码率，限制了系统的传输距离，削弱了非线性增益对暗孤子到达时间的抖动抑制作用。     

栅条宽度对GaAsMESFET增益的影响

GaAsFFT 的特性分析中通常忽略了器件中信号沿栅宽方向传播所产生的影响。但是,当单个栅条的宽度很大时,这种传播的影响会使得器件的小信号增益出现不能接受的下降。用分布元件 FET 模型的计算预言:对于典型的 X 波段功率器件,当栅条宽度从150μm 增加到300μm 时,增益大约退化3dB。令人惊奇的是这一模型还预言一直到约为30GHz 的范围内,增益的退化实际上与频率无关。在本文中将要描述这一模型以及一些样品的计算结果。对于一直到约为30GHz 的频率范围内感兴趣的大多数栅宽可以采用一个增益退化因子的简单表达式。一旦知道了器件几何参数,有源层电阻率和栅金属层的电阻率,就可以迅速地用这一表达式计算任一 GaAsFET 器件结构的增益退化与栅宽之间的关系。通过在不同一 GaAs 片子上制作具有不同栅条宽度的 FET 检验了理论的预言。测量了这些器件在8～12GHz 下的小信号增益,发现随着栅条宽度的增加,增益下降的情况与计算结果相符甚好。     

亮度增益对夜视仪视距的影响

亮度增益对夜视仪的视距有很重要的影响.夜视仪最重要也是最基本的作用就是改善微光条件下人眼的观察性能,产生足够亮度的光学图像供人眼观察.以前的视距公式没有考虑到亮度增益对视距的影响.从照度与人眼阈值分辨角的关系的角度出发,将亮度增益加入到了视距公式中,并根据修正出的公式从理论上分析了亮度增益对视距的影响.     

辐照对SiGe HBT增益的影响

比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益β的变化.在Vbe≤0.5V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的放大倍数辐照损伤因子d(β)为负;在Vbe≥0.5V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiGe HBT有更好的抗辐照性能.针对测得的一些电子陷阱对辐照致性能变化的影响进行了讨论.     

辐照对SiGe HBT增益的影响

比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益β的变化.在Vbe≤0.5V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的放大倍数辐照损伤因子d(β)为负;在Vbe≥0.5V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiGe HBT有更好的抗辐照性能.针对测得的一些电子陷阱对辐照致性能变化的影响进行了讨论.     

增益介质长度变化对DBR型短腔光纤激光器性能的影响

考察了高掺铒光纤作为增益介质的DBR型光纤激光器各项性能随光纤长度变化的情况。实验考察掺杂光纤的长度范围为 96.5 -9.5cm ,在可接受的性能指标下 ,得到长度仅为 15cm的光纤激光器。实验结果表明随着光纤长度的缩短 ,激光器的波长稳定性和 3dB、2 5dB带宽仍然保持优异 ,而输出功率的稳定性是最先恶化的指标 ,最大输出功率和斜率效率并不是随掺杂光纤的长度线性变化 ,而是有较长的一段平稳期。本文对制作短腔掺铒光纤激光器有一定的参考价值     

硅橡胶对像增强器亮度增益的影响

分析了一代像增强器中亮度增益下降的若干可能原因，通过解剖分析，找出了一批像增强器因密封材料——硅橡胶缺陷造成像管报废的实质内容，这一工作为像增强器生产厂家及其用户对像管性能的改善提供了有益的参考     

磁场误差对自由电子激光器增益的影响

用随机数构造了摇摆器磁场的误差分布．基于CAEPFEL的理论设计，研究了磁场误差对自由电子激光器增益的影响．     

多普勒频移对LFM脉冲压缩的影响及补偿研究

根据线性调频信号及其匹配滤波器的时域频域特性,分析了多普勒频移对LFM脉冲压缩的影响,以及工程上常用的补偿方法。利用Matlab平台做了相应的仿真,最后得出结论。     

TSA增益的影响因素

文中设计了3个相同介质的超宽带渐变线天线(A、B和C),并在9 GHz～18 GHz范围内,比较了它们的增益.结果表明,渐变线天线的表面上渐变槽线以及辐射口径上场相位分布的均匀性对增益的影响很大.渐变槽线的长度D及开口宽度H分别增大到5.2倍和2.5倍,天线的增益在频段内增大了至少3.92 dB,因此渐变槽线开口方式对增益有重要影响.同时,天线辐射口径上的相位分布均匀,对于提高天线增益也是至关重要的.     

输入信号功率对EDFA增益斜率的影响

研究输入信号功率对掺铒光纤放大器(EDFA)增益斜率的影响,可为EDFA的优化设计提供理论参考.采用了实验分析和数值模拟两种方法,在EDF长度为14 m,输入波长为1530～1562 nm,泵浦光功率为400mW时,对输入信号功率为-5～5 dBm的EDFA增益斜率进行了对比,发现随着输入信号功率的增大,增益斜率也逐渐...     

金属磁性对超高频RFID标签增益的影响

金属介质尤其是磁性金属对UHF射频信号存在干扰,严重影响了超高频射频识别(UHF RFID)技术的有效应用。该文采用电磁仿真软件Ansoft Maxwell分析不同金属内电磁损耗的差异,并运用Ansoft HFSS软件研究了超高频RFID标签天线在磁性金属与非磁性金属表面工作的特性。结果显示磁性材料金属内电磁损耗远大于非磁性金属,表现为对电磁波的吸收作用。金属磁性对标签天线辐射方向性影响不明显,但对天线增益抑制作用较为严重,并随着磁导率损耗正切tanμ从0增大到0.5,磁性金属表面天线的增益从2.41 dB衰减到1.72 dB。基于理论分析及仿真分析结果,该文提出一种将陶瓷基板与添加环形微带线相结合的天线结构设计方法增大辐射阻抗,提高天线增益,从而减小金属磁性对天线工作性能的影响。     

自由电子激光器中电子相互作用对增益的影响

求出了螺旋磁场泵自由电子激光器中含电子相互作用的增益表达式,并进行了讨论。     

自由电子激光器中电子相互作用对增益的影响

求出了螺旋磁场泵自由电子激光器中含电子相互作用的增益表达式,并进行了讨论。     

低旁办Ka波的天线—天线罩的研究

本文讨论了一个实验性的Ka波的(37GHz)透镜天线,它在最小实用锥角之外具有—40分贝或更低的旁办电平。将结果与最佳台劳方向图(以同样的口径,在满足上述旁办要求的情况下,视轴方向性最大)作了比较。测量了厚的均匀球形天线罩对旁办的影响,并与普通的反射面天线作了比较。     

数字宽带LFM信号的数据率对脉冲压缩性能的影响

用数字方式合成超宽带LFM信号时,由于工作时钟和数据率的限制,信号的相位存在不连续性。本文从数据率对宽带数字LFM信号脉压波形的影响的分析和仿真入手,提出了对于大时带积（D〉4000）LFM信号,只要相位更新数据率等于或大于信号带宽,低频率更新数据率对其脉压性能不会造成严重影响,得出用低频率更新数据率器件同样可以产生脉压性能良好、信号带宽4倍或8倍于其频率更新数据率的超宽带LFM信号的结论,从而为用较低频率更新数据率的DDS器件产生带宽接近其相位更新数据率的宽带LFM信号提供了理论依据。     

电子束的发散性对自由电子激光器增益的影响

分析了入射电子束的发散性对自由电子激光器增益的影响。在获得激光增益的条件下,讨论了入射电子束的最大许可发散角与其它物理参数之间的关系。     

光纤放大器的增益色散对孤子传输的影响

本文用微扰法近似求解了含增益色散效应的ＮＬＳ方程，由此解讨论了光纤放大器的增益色散对孤子的幅值和形状的影响。