半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响

对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响。实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极电流、电流增益和MOS场效应晶体管的阈值电压漂移值都随着辐照温度的不同而存在较大的差异。总剂量为100 krad,辐照温度分别为25,70,100 ℃时,NPN三极管的电流增益倍数分别衰减了71,89和113,而NMOS晶体管的阈值电压V_T分别减少了3.53,2.8,2.82 V。     

互补金属氧化物半导体器件空间低剂量率辐射效应预估模型研究

给出了一种新的预估互补金属氧化物半导体器件(CMOS器件)空间低剂量率辐射效应模型,相对线性响应预估模型,该模型在预估CMOS器件低剂量率辐射效应方面更接近实际试验结果,且不同剂量率辐射试验结果证实了所建模型的正确性.最后利用新建模型对处于空间低剂量率环境下CMOS器件的敏感参数进行了预估.     

辐射双色光的新型半导体器件

辐射双色光的新型半导体器件美国卡罗来纳大学研制成功一种新型半导体激光器。该器件采用新颖的波长调谐方法，光只沿一个共轴辐射，辐射波长由外加电压来控制。输出功率在三端器件中由外加电流来控制，在二端器件中由外加光泵来控制。这种器件称为偏置诱导色可调辐射器（...     

半导体器件单粒子效应的加速器模拟实验

着重描述了应用加速器开展半导体器件的单粒子效应实验研究的方法。采用金箔散射法可以降低加速器束流几个量级,从而满足半导体器件单粒子效应实验的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的质子注量均匀性测量方法解决了质子注量的准确测量问题。实验测得静态随机存取存储器的质子单粒子翻转截面为10-7 cm2·bit-11量级,单粒子翻转重离子LET阈值为4～8MeV·cm2/mg,重离子单粒子翻转饱和截面为10-7 cm2·bit-1量级。     

半导体器件单粒子效应的加速器模拟实验

 着重描述了应用加速器开展半导体器件的单粒子效应实验研究的方法。采用金箔散射法可以降低加速器束流几个量级，从而满足半导体器件单粒子效应实验的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的质子注量均匀性测量方法解决了质子注量的准确测量问题。实验测得静态随机存取存储器的质子单粒子翻转截面为10^-7 cm²·bit^-11量级，单粒子翻转重离子LET阈值为4～8MeV·cm²/mg，重离子单粒子翻转饱和截面为10^-7 cm²·bit^-1量级。     

超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应

对0.18 μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)及静态随机存储器(SRAM)开展了不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究. 结果表明: 在相同累积剂量, SRAM的低剂量率辐照损伤要略大于高剂量率辐照的损伤, 并且低剂量率辐照损伤要远大于高剂量率辐照加与低剂量率辐照时间相同的室温退火后的损伤. 虽然NMOSFET 低剂量率辐照损伤略小于高剂量率辐照损伤, 但室温退火后, 高剂量率辐照损伤同样要远小于低剂量率辐照损伤. 研究结果表明0.18 μm CMOS工艺器件的辐射损伤不是时间相关效应. 利用数值模拟的方法提出了解释CMOS器件剂量率效应的理论模型.     

空间辐射效应

本文简要介绍近地空间辐射环境及其对飞行器材料、电子器件的影响．还扼要介绍了空间辐照效应的研究动态.This paper briefly dicusses the radiation environment in near-earth space and it s influences on material, and electronic devices using in space airship, also, the research developments in space radiation effects are introduced.     

空间辐射效应

本文简要介绍近地空间辐射环境及其对飞行器材料、电子器件的影响，还扼要介绍了空间辐照效应的研究动态。     

半导体器件HPM损伤脉宽效应机理分析

 HPM能量在半导体器件损伤缺陷区的热量沉积以及向周围材料的热量扩散,是造成半导体器件损伤脉宽效应的机理;分别得到了全脉宽段、长脉宽段和短脉宽段的损伤经验公式,该损伤经验公式能较好地对实验和理论模拟效应数据进行拟合。     

半导体器件HPM损伤脉宽效应机理分析

HPM能量在半导体器件损伤缺陷区的热量沉积以及向周围材料的热量扩散,是造成半导体器件损伤脉宽效应的机理;分别得到了全脉宽段、长脉宽段和短脉宽段的损伤经验公式,该损伤经验公式能较好地对实验和理论模拟效应数据进行拟合。     

重离子在半导体器件中引起的单粒子效应

重离子引起的单粒子效应是威胁航天器安全的重要因素之一 ,利用加速器进行地面模拟是研究单粒子效应的重要手段 .概述了单粒子效应研究的历史和现状,讨论了单粒子效应研究的基本方法 ,最后简要介绍了在兰州重离子加速器上已开展的单粒子效应研究工作. Single event effects (SEE ′s) have been observed in semiconductor device in space since 1975. It has been verified from many spaceflight tests that single event effect induced by cosmic ray is one of the important sources of anomalies and malfunctions of spacecraft. Initially, a brief outline of space radiation environment is given. The history and recent trends were described, and basic methods and necessary facilities for SEE testing were also discussed. Finally, the research ...     

半导体器件

一、引言所有半导体器件就其用途来说有两类．一类是用于研究某些基本的物理参量．例如金属－绝缘体－半导体二极管,其主要用途是研究半导体表面的性质和钝化技术的性质及效果．又如热电子晶体管可用于研究热电子寿命和载流子通过薄膜时的输运性质．另一类则是应用于实际的电子线路．在生产实践和科学实验中这一类是主要的、大量的．我们可以把半导体器件按其作用性质归为如下四大类．１．双极型器件这一类器件的主要特点是有?...     

核医学中的辐射效应

本章论述与核医学有关的辐射的生物学效应。对于核医学医生来说,了解这些效应是重要的。因为他们要替病人作出权衡,病人在接受给定程序治疗时要经受范围甚宽的一些可能的生物学效应,其中不少效应还知之甚少。来自放射性物质的辐射的生物学效应,.....     

金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应

研究了金属-氧化物-半导体(MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应.采用加固的CC4007进 行辐照实验,在不同温度、不同偏压,以及不同退火条件下对MOS器件的辐照效应进行了比 较,发现温度对辐照效应的影响主要是决定界面态建立的快慢.高温下辐照的器件,界面态 建立的时间缩短.根据实验结果对器件阈值电压漂移的机理进行了探讨. 关键词： 金属-氧化物-半导体场效应 辐射效应 阈值电压漂移     

辐射的生物学效应及应用

广义上讲,辐射是一种由辐射源发出,以电磁波或粒子的形式向外传送能量的方式。按生物学效应的不同,可将辐射分为电离辐射和非电离辐射两大类：量子能量达到12eV以上时,辐射会导致生物组织电离,从而使生物体受到较为严重的损伤,这类辐射叫做电离辐射：量子能量不足12eV,不能使生物组织发生电离的辐射则叫做非电离辐射。     

聚氯乙烯辐射效应的NMR研究

用¹H 和¹³C NMR谱,FT-IR光谱等方法研究了聚氯乙烯(PVC)在限量空气氛室温下经⁶⁰Coγ 射线辐照后的辐照效应．结果表明PVC 大分子链的脱HCl 方式,受辐射剂量的影响．当辐射剂量达到2.8×10⁵Gy 时,PVC 以大分子链内脱HCl为主,产生部分－CH＝CH－结构,使得－CHCl的运动受阻,表现为T_２减小．不同溶剂对聚合物质子自旋-自旋弛豫时间（T_２）的影响,反映出溶剂效应和聚合物链在溶剂中的“伸展”状态．而水质子峰随着辐照剂量的增大而逐渐向低场位移,则是由于HCl与溶剂中的H₂O在微酸性溶液中发生了快速的质子交换之故．     

粲夸克辐射的死区效应

基于轻夸克辐射能量谱, 考虑夸克质量对部分子辐射能量损失的影响, 利用死区因子把轻部分子辐射能量损失谱推广到重部分子辐射能量损失的情形. 研究结果表明, 利用与夸克质量相关的死区因子推广轻夸克辐射能量损失谱得到的重夸克辐射能量损失谱, 与直接利用微扰QCD计算所得到的Djordjevic-Gyulassy(D-G)谱的结果一致, 且极大简化了重夸克辐射能量损失的计算.     

辐射测量中的成像效应

明确了辐射的非成像测量和成像测量之间的差异并给出数学表述, 才能够把已经成熟的非成像辐射测量方法推广至成像测量. 本文从辐射测量的基本公式以及成像下目标微元与传感阵列像素的对应关系出发, 分别建立了关于辐射的非成像和成像测量式.根据成像面的存在不会改变辐射传输的事实, 比较非成像测量式和成像测量式后, 可得到成像效应的数学表述. 把成像效应与针孔和透镜两种成像技术结合后的分析指出: 成像效应的主因是成像光轴角, 辅因是测量天顶角; 辅因作用的大小取决于测量天顶角与发射天顶角的差异度. 关键词： 辐射测量 辐射测温 成像效应