环境样品反康普顿Gc（Li）r谱分析

本文研究了样品的体积(量)恒定和样品体积(量)可变两种情-兄下，环境样品的Ge(Li)r谱和反康普顿Ge(Li)r谱的分析方法。     

计算机解谱研究

作者应用电子计算机进行γ能谱定量解析方法的研究,已有近20年的历史。全面介绍无此必要。本文只简单地叙述近些年来应用计算机解谱的研究工作。主要是Ge(Li)γ谱峰自动分析方法的研究。     

用14MeV中子轰击铌伴生γ射线研究

利用脉冲化的T(d,n)⁴He中子源、伴随粒子方法、Ge(Li)探测器和飞行时间技术测量了14.9MeV中子和铌反应在30°—140°之间七个角度上的分立γ射线谱;由高分辨γ谱分析程序识别了79条谱线;初步确定了62条谱线所由产生的反应类型和跃迁能级,其中有40条谱线是在由中子诱发的核反应中首次发现的.定出了每条谱线在七个角度上的微分产生截面,结果表明该反应中的伴生γ发射基本上是各向同性的.     

Li_3VO_4-Li_4TO_4(T=Ge,Si)固溶体离子导体~7Li的NMR研究

在150—573K温度范围内,研究了固溶体Li_3VO_4-Li_4TO_4(T=Ge,Si)系统不同成分的~7Li的NMR谱。发现γ_(II)相固溶体室温~7Li的NMR线宽和自旋晶格弛豫时间T_1的值都比Li_4GeO_4,Li_4SiO_4和Li_3VO_4小约一个数量级。这表明在γ_(II)相固溶体离子导体中,Li~+离子运动有可能比固溶前有数量级增长。同时还发现~7Li的电四极分裂伴线数随成分和温度而异,以及伴线强度百分比依赖于温度。这反映γ_(II)相的不同成分中,间隙Li~+离子占有的不等价位置个数不同,而Li~+离子在每个不等价位置上的占有率又随温度而变化。     

正电子在铝中湮没γ射线能量的精密测量

用Ge(Li)探测器测量正电子在两种不同来源的铝样品中的湮没辐射,以¹⁸¹Hf的482keVγ,峰做为基准,重复测定湮没峰与基准峰的相对位置,精密度达到±6eV。结果表明,在两种铝样品中的电子静止质量在10eV水平上是一致的。 关键词：     

较小动量转移下γ射线的相干散射

用¹⁴¹Ce源的145keVγ射线和Ge(Li)谱仪,对Al,Fe,Cu,Pb样品,在动量转移x=1.2—5?^-1的范围内的相干散射进行了测量,实验结果在误差范围内与基于相对论的Hartree-Fock方法的形状因子近似理论计算值相吻合。 关键词：     

X,γ射线谱仪用的半导体探测器

半导体探测器是六十年代发展起来的一种新型探测器.随着硅、锗单晶性能的提高,硅(锂)[Si(Li )]、锗(锂)[Ge(Li)]及高纯锗[HPGe]探测器的制备工艺日趋完善.与此同时,随着电于学线路的改进,Si(Li),Ge(Li),HPGe探测器及低噪声电子学线路和低温装置所组成的X,γ射线谱仪性能得到迅速提高。逐渐发展成高热率、高能量分辨率的X,γ谱仪,这就使应用γ射线核能谱学增添了新的实验数据,同时使微量及痕量元素分析技术达到了新的水平. 半导体探测器一般又称固体探测器[1],它实质上是由一块半导体材料所组成的电离室.对核谱仪用的探测器的基本要求…     

裂变产物Ge(Li)γ能谱通用自动分析程序——GSAP

本文提出一个裂变产物 Ge(Li)γ能谱自动分析程序——GSAP,并简要地介绍该程序的计算方法。GSAP使用带适当自变量约束的改进 Levenberg 算法来解峰的最小二乘拟合问题,最多能分析8重峰。GSAP选取不对称高斯分布加上二次本底作为拟合函数,一般给出较好的拟合优度。本文介绍了用来证明程序可靠性和精度的各种实验检定。GSAP在裂变产额测定工作中得到了满意的结果。GSAP实际上是一个通用程序,它可以用来分析其它方面实验的Ge(Li)γ能谱。     

Li嵌入Mg2Ge的反应次序和电子结构变化

Mg2Ge有望成为新的锂离子电池负极材料.使用基于平面波展开的第一性原理赝势法,计算并得到了Li嵌入Mg2Ge负极材料时的反应次序.Li首先占据其中的间隙位置,占满间隙位置后随着嵌Li量的进一步增加,Li将逐步替位Mg2Ge中一半的Mg位置,直到生成Li2MgGe.计算结果表明,在整个嵌Li过程中主体材料的体积先膨胀后收缩.体积胀缩量很大,这是导致Mg2Ge作为锂离子电池电极材料循环性能较差的重要原因.对材料电子结构的分析表明,随着Li嵌入量的增加,主体材料发生了从半导体性到金属性、又到半金属性的转化.     

用Ge(Li)探测器测量正电子3γ湮没

本文提出了用Ge(Li)探测器测量正电子3γ湮没的方法,只测量511keV峰区计数,就能确定3γ湮没与2γ湮没的相对份额。我们称这种方法为“峰法”。对“峰法”和“峰-谷法”的结果进行了比较。 关键词：     

用低能弱γ源测量电子对的近阈产生截面

用2.7μCi的⁶⁰Co弱γ源和NaI(Tl)与Ge(Li)双探测器符合测量方法,测量了Al,Zn,Sn,Pb四种样品的电子对产生绝对截面。测量结果与前人用很强γ源得到的结果相符合,并验证了在近阈条件下,对产生截面满足Jaeger关系式:σ_pair=(Z²+aZ⁴)σ₀,求得对⁶⁰Co源γ光子,α=(1.51±0.23)×10^-4,σ_{0关键词：}     

高能量γ射线刻度源装置

在核物理实验和γ剂量探测中,γ射线探测器,如 Ge(Li),HpGe,Nal(T1)和 BGO等都需要刻度能量线性和相对效率.在兆电子伏能区,在加速器上可以利用不同的核反应获得不同能量γ射线.但在没有加速器的地方则无法进行.我们利用一个～105中子/s的Am-Be中子源制成了高能量γ射线刻度源装置.实验装置见图1.这个装置简单、方便.对于没有加速器的地方尤为实用. 一个原子核俘获一个热中子后,由于中子结合能,复合核将处在较高的激发态,它在退激时放出特征的单色γ射线,其能量由激发态的能级决定.一般来说,俘获γ射线谱是多线结构的,但是在高能部分,…     

离子束溅射自组装Ge/Si量子点生长的演变

采用离子束溅射技术,通过改变Ge的沉积量,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品. 利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,系统地研究了Ge量子点形貌、密度、尺寸大小以及Ge的结晶性和量子点中组分等随Ge沉积量的演变规律. 结果表明:Ge层从二维薄层向三维岛过渡过程中,没有观察到传统的由金字塔形向圆顶形量子点过渡,而是直接呈圆顶形生长;且随着Ge沉积量的增加,量子点密度先增大后减小,Ge的结晶性增强同时Ge/Si互混加剧,量子点中Si的组分增加. 关键词： 离子束溅射 量子点 表面形貌 Raman光谱     

ITER产氚试验包层模块中子诊断系统的初步设计

1封装薄箔活化片分析系统 此种方法己广泛用于裂变堆的中子强度测量，现己用于几乎所有大型托卡马克的中子产额测量，利用中子辐照某些高纯材料薄箔（样品），被中子活化的样品辐射某种能量的γ射线，经高分辨能力的半导体探测器[如HP—Ge或Si（Li）]测量，得到辐照到样品上的中子的中子数。     

用平面Ge(Li)γ谱仪测量核燃料的燃耗

结合我们的经验,叙述用半导体γ谱仪测量燃耗的方法.准备了测量仪器,考验了它们的性能.用平面Ge(Li)γ能谱仪,测量了在热中子反应堆中照射八个月出现烧熔现象的铀棒的燃耗纵向分布.燃耗值是按 Cs137 662 kevγ,射线.Ce144134 kevγ射线和 Zr95 724 kevγ射线的强度测定的.在燃料元件出现空腔处,裂变产物存在着明显的迁移.     

160Tb β-衰变纲图研究

对由160Tb的β-衰变而产生的γ射线利用GeLi和HpGe探测器进行了单谱和γ γ符合谱的测量.根据单谱和γ-γ符合谱的测量结果给出了160Tb的β-衰变纲图.并用绝热对称转动模型对160Dy中转动带与振动带的耦合参数Zγ值进行了计算,得出从振动带到转动带的γ跃迁几率B(E2)值之比不能通过唯一的Zγ值来描述.Tb/β-衰变;衰变纲图;带耦合参数 The γtransitions in 160Tb decay has been studied by γ ray spectroscopy and γ γ coincidence measurements with high efficiency Ge(Li) and HpGe detectors. The β- decay scheme of 160Tb was proposed according to the results of γ ray spectroscopy and γ γ coincidence measurement. The band mixing parameter Zγ for 160Dy is determined and it is observed that the measured γ ray branching ratios do not lead to a unique value of Zγ for 160 Dy.     

14.7MeV中子诱发~(232)Th裂变的质量分布

使用Ge(Li)γ,射线能谱法以及放射化学法测定了14.7MeV中子诱发~(232)Th裂变中从~(77g)Ge到~(151)pm共57个裂变产物的产额.从中得到44个质量数的链产额及质量分布曲线,其中12个链产额尚未见文献公开发表.在质量数134处存在精细结构.质量分布的峰谷比为3.6,轻峰和重峰平均质量分别为91.3和138.1.质量分布对称区存在明显的第三小峰,其裂变产额占总产额的14.0％.     

非晶态离子导体Li_2B_2O_4的核磁共振研究

本文报道了非晶态离子导体Li_2B_2O_4的~7Li核磁共振研究。测量了~7Li核磁共振谱与温度的关系。实验中发现,Li_2B_2O_4的晶态、非晶态和部分晶化样品的~7Li核磁共振谱有很大的不同,且在部分晶化样品的~7Li核磁共振谱上有附加的小峰,它与LiCl(Al_2O_3)的~7Li核磁共振谱上附加的小峰相类似。我们也对非晶态离子导体B_2O_3-0.7Li_2O-0.7LiCl进行了~7Li核磁共振研究,其结果与上面的类似。研究结果表明,它们都起因于非晶母体与微晶的界面效应。     

γ射线能量的精确测定

本文论述了用Ｇｅ（Ｌｉ）和ＨＰＧｅγ谱仪系统,精确测定γ射线能量的方法、意义和用途,指出了减小测量误差应该注意的问题,综合了作者测量的结果．The method, main meaning and purpose of precision energy determinations with Ge(Li) or HPGe γ spectrometer are reviewed in this paper. In order to reduce the uncertainties, some specisl problems are pointed out.     

多功能扫描质子核探针信号探测和数据获取系统

为了在一次扫描质子核探针实验中能获取多种物理信息,研制了多功能信号探测与数据获取系统。系统由组合探测器、多站多参量数据采集与束流扫描、样品台控制与显微观测三个子系统组成。组合探测器包括了Si(Li)X射线探测器,高纯Geγ射线探测器,以及Au(Si)面垒带电粒子探测器,可完成多种物理参数的同时获取。系统的核心数据采集与束流扫描系统基于NI公司的PXI-7852R数据采集卡和LabVIEW软件平台,具备了多个物理信号采集、多能谱显示以及束流扫描和二维成像等功能。六轴高精度真空样品台由计算机控制,可实现显微图像对样品的定位及对扫描区域的可视化选择。初步实验验证了该系统的可靠性与稳定性。