100kev,20mA多磁极会切场离子源的研制与调试

一、引 言 在科学技术领域中,离子源的应用越来越广泛,形成了一门独立的学科——离子应用科学。尤其是70年代以来由于离子注入技术应用到材料表面改性的研究取得进展,从而使离子注入技术得到发展。 离子注入材料表面改性是一门新技术,它的优点是离子注入不通过加热形成特定的原子混合,又能快速引入晶格缺陷,从而改变金属的微观结构及相成分,最后导致金属宏观性质的改变。     

离子注入强化金属表面的作用机制

离子注入技术是将高能束流的离子(一般为几十一几百keV)注入到固体材料的表面,从而改变材料表层的物理、化学和机械性能的一种新方法.早期,离子注入技术用于半导体器件的掺杂,大大促进了微电子学的发展.近年来,离子注入技术迅速地扩大应用到固体物理和材料科学的许多领域,如非晶态、超导、磁泡材料、集成光学材料等,成为一种重要的研究手段,并获得日益广泛的应用. 离子注入技术作为金属表面处理的一种新方法,可直接用于改善工程材料表层的耐磨损和耐腐蚀能力.与通常的离子氮化、离子镀膜和溅射镀膜不同,注入层与基体金属没有明显的分界面,…     

激光椭圆仪对P~ 注入金属表层形成非晶态的分析

激光椭圆仪是利用椭圆偏振光与物质相互作用之后偏振状态的变化去探索物质性质的一种手段[1].对金属表层进行离子注入是获得金属表层非晶态的一种途径.本工作的目的是尝试将激光椭圆仪用于离子注入金属表层的分析,试图用椭圆仪获得离子注入的金属表层由晶态到非晶态转变的信息,     

离子注入在陶瓷材料中的应用

随着科学技术的发展,离子注入的应用范围在不断扩大.它除了广泛应用于半导体、金属材料的表面改性外,在加工绝缘材料(如玻璃、陶瓷和高分子聚合物等)方面也表现出有一定的发展潜力,有可能在光的波导、磁泡储存,铁电陶瓷、光敏陶瓷、高温陶瓷、表面导电聚合物和表面催化等方面发挥作用.本文对离子注入在陶瓷材料中的一些应用及最近取得的一些成果作一综述.主要包括离子注入陶瓷材料的表面改性、离子注入合成陶瓷材料和离子轰击加强金属(陶瓷)/陶瓷界面的“缝合”三个方面. 一、离子注入陶瓷材料的表面改性 陶瓷泛指整个硅酸盐材料,是无机非金…     

高分子材料辐射改性

总结了作者关于电离辐射和离子注入技术在工程塑料，生物医用高分子材料改性研究方面的最新成果。     

金属与陶瓷的离子束表面改性

近年来,用荷能离子束对金属和陶瓷材料的近表面区进行改性的研究工作得到很大的发展.离子束注入和离子束混合使材料的近表区结构、组成均发生变化,还因离子辐照引起碰撞级联造成缺陷,这些作用最终影响到材料的性能。离子注入固体或薄膜的表面,不仅是使其改性的重要手段,而且也是材料基础研究的一种理想的工具。本文综述了(i)离子注入金属与陶瓷引起的近表面区的各种变化;(ii)由此而导致的性能改变;(iii)离子束混合效应。     

LZ-50离子注入装置及其在材料表面改性中的应用

本文叙述了LZ-50离子注入装置及其在材料表面改性中的应用。该装置离子能量80keV,氮离子束流强～10mA,注入面积～200cm~2,性能稳定,重复性好,可长期稳态运行。利用该装置对硬质合金、工具钢、钛合金、陶瓷及其它有色金属材料进行了氮离子注入实验,并取得了一些有应用价值的工艺结果,如离子注入使Co-WC机械夹固刀片的耐磨性能提高2—4倍。     

200KV重离子加速器及其应用

本文介绍一台采用双潘宁型多电荷重离子源的200kV重离子加速器,简述它在GaP光探测器的研制、聚合物材料和金属材料的离子注入改性等方面的研究与应用。     

聚合物物理属性对离子注入效应的影响

聚合物导电性能差, 表面电荷积聚所产生的电容效应致使其表面电位衰减, 采用等离子体浸没离子注入对其表面改性是非常困难的. 建立了绝缘材料等离子体浸没离子注入过程的粒子模拟(PIC)模型, 实时跟踪离子在等离子体鞘层中的运动形态及特性并进行统计分析. 并基于PIC模型, 将聚合物表面的二次电子发射系数直接与离子注入即时能量建立关联, 研究了聚合物厚度、介电常数和二次电子发射系数等物理量对鞘层演化、离子注入能量和剂量的影响规律. 研究结果表明: 当聚合物厚度小于200 μ m, 相对介电常数大于7, 二次电子发射系数小于0.5时, 离子注入剂量和高能离子所占的份额与导体离子注入情况相当. 通过对聚合物表面离子注入剂量和高能离子所占份额的研究, 为绝缘材料和半导体材料表面等离子体浸没离子注入的实现提供了理论和实验依据.     

我国等离子体工艺研究进展

扼要综述了我国等离子体材料工艺研究的新近进展。内容包括：热等离子体源,等离子冶金、化工,超细粉合成,喷涂;低气压非平衡等离子体源,镀膜,表面改性,等离子浸没离子注入,电晕放电,介质阻挡放电,滑动弧等及其应用,当前,各类薄膜制备和表面改性的研究工作更为活跃。     

MEVVA源离子注入金属表面优化应用

针对几种钢部件的磨损、耗能问题，本课题组应用ＭＥＶＶＡ源离子注入技术，对Ｈ１３、Ｔ１０Ａ、ＨＳＳ、Ｃｒ１７等钢材料进行了离子注入表面改性研究，得出了提高钢耐磨性和改善其固体自润滑的一套有用的离子注入工艺． Ion implantation with MEVVA source has been investigated on several types of steel such as H12,T10,HSS,Cr17 and so on,and the real industrial parts have been tested too...     

等离子体源离子注入（I）──原理和技术

等离子体源离子注入（ＰＳＩＩ）是用于材料表面改性的一种新的、廉价的、非视线技术，它消除了一般束线离子注入（ＩＢＩＩ）所固有的视线限制，克服了保持剂量问题，使注入装置变得简单和价廉。介绍了ＰＳＩＩ过程、装置和基本物理与技术问题，也介绍了在美国威斯康辛大学和哈尔滨工业大学ＰＳＩＩ研究室中进行的ＰＳＩＩ技术研究及其工业应用的初步结果。     

等离子体源离子注入（Ⅰ）—原理和技术

等离子体源离子注入（ＰＳＩＩ）是用于材料表面改性的一种新的、廉价的、非视线技术。它消除了一般束线离子注入（ＩＢＩＩ）所固有的视线限制，克服了保持剂量问题，使注入装置变得简单和价廉。介绍了ＰＳＩＩ过程、装置和基本物理与技术问题，也介绍了在美国威斯康辛大学和哈尔滨工业大学ＰＳＩＩ研究室中进行的ＰＳＩＩ技术研究及其工业应用的初步结果。     

高能离子注入及其应用

本文介绍了高能离子（Ｍｅｖ／ａｍｕ）与固体相互作用的特点，综述了近几年来高能离子注入技术在制备多层结构晶体管、减少载流子寿命、材料表面改性及增强薄膜与基体粘着力等方面的研究概况．     

采用硅离子注入改进SIMOX埋氧的抗总剂量辐射性能研究

采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)的绝缘体上硅(SOI)材料进行改性, 在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅NMOS/SOI晶体管, 并对其进行⁶⁰Co γ射线总剂量辐照试验. 通过背栅的I-V特性表征晶体管的总剂量辐照特性. 结果表明, 在埋氧层注硅可以降低NMOS/SOI受辐照引起的背栅阈值电压漂移, 提高埋氧层的抗总剂量能力.     

离子注入后小麦种子表皮细胞的扫描电镜观察

应用扫描电镜观察了低能氮离子注入小麦干种子后表层细胞结构的变化.结果表明,离子注入对小麦表皮细胞有明显的损伤作用.随着离子剂量的增大,离子对种子细胞的损伤程度增大,且种子表面有孔洞出现.     

等离子体源离子注入——一种材料表面改性的新技术

本文介绍了近几年发展起来的一种新型离子注入技术——等离子体源离子注入（Ｐｌａｓｍａ Ｓｏｕｒｃｅｌｏｎ　ｌｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ，简称 ＰＳＩＩ）——的原理、装置和应用．除可应用于半导体外，这一技术应可满足金属或非金属材料表面改性的需要．实践证明它是一种极有开拓前景的离子注入技术．     

视线离子注入温度效应

离子束材料表面改性有着许多优点，不仅注入离子可以任意选取，且注入或添加元素时样品的温度不受限制。在离子注入过程中，温升效应主要来自于入射离子的能量传递，其作用对化合物的形成、增强混合和增强扩散有着显著效果，促进化合物形成和相析出，在材料表面强化处理方面有着独特的意义。     

会议报告安排

<正>9月15日上上午第第一部分主主持人:孙良亭中国科学院近代物理研究所代表主办单位致词代表承办单位致词放射性核束离子源研制北京大学强流离子源的进展及在材料表面改性中的初步应用高功率孪生靶反应磁控溅射技术及其应用武汉大学串列加速器运行状态第第二部分主主持人:谭俊装甲兵工程学院全方位离子注入复合涂层技术在难加工材料加工刀具的     

等离子体源离子注入（Ⅱ）—技术扩展和初步研究结果

等离子体源离子注入（Ⅱ）──技术扩展和初步研究结果汤宝寅（哈尔滨工业大学，哈尔滨１５０００６）在ｐｓｌｌ前期研究工作上，我们主要集中在室温下气体离子注入，主要是氮离子注入。初步研究结果表明，ＰＳＩＩ氮离子注入能够显著提高某些材料的表面硬度和抗磨损特性...