组合式Si-PIN 14 MeV中子探测器

提出了一种在多片Si-PIN探测器中间用2mm厚的聚乙烯作为灵敏度增强介质，采用加法电路模式进行信号输出的组合式新型DT聚变中子(14MeV)探测技术原理. 这种组合的主要特点有： 1)大幅度提高了Si-PIN探测器的中子灵敏度和测量统计性； 2)提高了探测器的n/γ分辨本领； 3)在实现多个探测器信号相加的同时，组合探测器相对于单片探测器时间响应没有明显改变. 从实验及理论上对组合探测器的14MeV中子及1.25MeV γ灵敏度、n/γ分辨，时间特性和测量统计性进行了研究.     

铝合金材料在14 MeV中子

铝合金是激光惯性约束聚变(ICF)装置中最常用的结构材料之一,将直接受到高能量、高产额的中子辐照。评估铝合金材料在14 MeV中子辐照下的活化特性,可为我国ICF装置的材料选取提供参考。采用FISPACT活化计算软件,计算并比较了三种不同牌号的铝合金材料在14 MeV中子辐照后产生的比活度和剂量率,并分析了不同元素对比活度和剂量率的贡献。结果表明,铝合金的比活度和剂量率在冷却一周之内下降了3个数量级。铝合金的活化主要来自Al元素、Mn元素和Zn元素,主要活化产物为²⁴Na, ⁵⁴Mn和⁶⁵Zn。Al元素在冷却一周内对比活度(剂量率)的贡献大于90%,其余两种元素在两周之后占主导作用,其贡献之和超过50%。通过选取低Mn, Zn质量分数的铝合金,可降低材料在活化后的放射性水平。     

组合式Si-PIN 14 MeV中子探测器

提出了一种在多片Si-PIN探测器中间用2mm厚的聚乙烯作为灵敏度增强介质,采用加法电路模式进行信号输出的组合式新型DT聚变中子(14MeV)探测技术原理. 这种组合的主要特点有： 1)大幅度提高了Si-PIN探测器的中子灵敏度和测量统计性; 2)提高了探测器的n/γ分辨本领; 3)在实现多个探测器信号相加的同时,组合探测器相对于单片探测器时间响应没有明显改变. 从实验及理论上对组合探测器的14MeV中子及1.25MeV γ灵敏度、n/γ分辨,时间特性和测量统计性进行了研究. 关键词： Si-PIN半导体探测器 灵敏度 n/γ分辨 时间响应     

14MeV中子硒同位素反应截面的测量

在14MeV中子能区用活化法测得了⁸²Se(n,2n)^81m,gSe, ⁷⁶Se(n,2n)⁷⁵Se,⁷⁸Se(n,p)⁷⁸As,⁷⁶Se(n,p)⁷⁶As,⁷⁴Se(n,p)⁷⁴As和⁸⁰Se(n,α)⁷⁷Ge反应截面值, 以⁹³Nb(n,2n)^92mNb反应截面为中子注量标准, 并且将测量值和收集到的文献值进行了比较.     

14MeV中子治疗仪束流特性的综述

描述了１４ＭｅＶ快中子治疗仪的束流特性，它包括：中子能谱，快中子与生物的相互作用，吸收剂量与深度的关系，吸收剂量与生物效应等。并同其他类型的中子治疗仪进行了比较。     

14MeV中子场注量测量技术

为直接或间接地满足用于模拟试验的中子注量（率）物理诊断测试系统的性能研究、检定（校准、刻度、标定）和测试要求。建立起测量14MeV中子注量（率）的伴随粒子法计量装置，通过比对等量值传递方法溯源到国家、部门或行业有关计量基准和计量标准，并建立量值传递技术。     

CCD相机对14MeV和2.5MeV中子瞬态响应特性

从理论上分析了中子在CCD相机拍摄图像中引起的瞬态干扰噪声的机理,并针对两种不同类型的CCD相机,在能量为14MeV和2.5MeV的低强度稳态中子源上开展了实验研究,分析了噪声特征与入射中子能量、入射角度、注量及CCD相机结构的关系。实验结果表明中子瞬态干扰噪声主要表现为脉冲噪声,且出现斑点现象,与理论分析结果相吻合。研究得出了噪声特征随入射中子注量变化的规律,比较了不同能量及不同入射角条件下的噪声特性,并分析了两种不同结构的CCD相机响应特性的差别。     

CCD相机对14 MeV和2.5 MeV中子瞬态响应特性

从理论上分析了中子在CCD相机拍摄图像中引起的瞬态干扰噪声的机理,并针对两种不同类型的CCD相机,在能量为14 MeV和2.5 MeV的低强度稳态中子源上开展了实验研究,分析了噪声特征与入射中子能量、入射角度、注量及CCD相机结构的关系。实验结果表明中子瞬态干扰噪声主要表现为脉冲噪声,且出现斑点现象,与理论分析结果相吻合。研究得出了噪声特征随入射中子注量变化的规律,比较了不同能量及不同入射角条件下的噪声特性,并分析了两种不同结构的CCD相机响应特性的差别。     

有限球中14MeV中子点源问题的数值模拟

点源问题的物理实验与数值计算是研究反应堆防护和辐射效应,考查中子参数和计算方法的重要手段。本工作解决了有限元节点上的加源问题,并对几个典型的14MeV中子点源问题的物理实验,用双向间断有限元法进行了数值模拟,并和其它方法的计算结果及物理实验的测量结果进行了比较,取得了较为满意的结果。     

用14MeV中子轰击铌伴生γ射线研究

利用脉冲化的T(d,n)⁴He中子源、伴随粒子方法、Ge(Li)探测器和飞行时间技术测量了14.9MeV中子和铌反应在30°—140°之间七个角度上的分立γ射线谱;由高分辨γ谱分析程序识别了79条谱线;初步确定了62条谱线所由产生的反应类型和跃迁能级,其中有40条谱线是在由中子诱发的核反应中首次发现的.定出了每条谱线在七个角度上的微分产生截面,结果表明该反应中的伴生γ发射基本上是各向同性的.     

基于14 MeV中子的烧氚历史诊断模拟研究

针对直接测量16.7 MeV进行烧氚历史诊断所需聚变产额高的情况,模拟研究了利用14 MeV中子与副靶作用产生的非弹伽马进行烧氚历史诊断的情况,计算了几种材料14 MeV中子作用产生的次级伽马能谱以及切伦科夫辐射阈能之上的非弹伽马数目,对副靶材料和厚度进行了选择。计算了14 MeV中子产生的切伦科夫光子时间谱,分析了光电转换器件处伽马、电子以及正电子等噪声信号,分析了气体切伦科夫系统测量统计涨落与聚变中子产额之间的关系,确定了气体切伦科夫系统所适用的最低聚变中子产额,通过测量14 MeV中子与副靶产生的非弹伽马进行烧氚历史诊断较直接测量16.7 MeV伽马可将测量所需聚变中子产额降低2个量级。     

14MeV中子引起的核反应截面测量中监督反应的研究

讨论了14MeV中子引起的核反应截面测量中监督反应对测量结果的影响,同时列出了常用的一些监督反应及参数,利用截面的评价值给出了一些监督反应的截面随中子能量变化的关系曲线,并对^27Al（n,p）^27Mg反应做了定性分析,说明了监督反应的选取对反应截面测量的重要性。 It was discussed in this article that the effects of different monitors in the cross section measurements of nuclear reactions induced by 14 MeV neutrons, at the same time some monitors and correlative parameters were listed. The excitation functions of monitors are taken from the evaluatied cross sections, and a qualitative analysis has been performed for ^27Al（n,p） ^27Mg reaction. It indicates that the choice of monitor is very important for cross section measurements     

14MeV中子照相中散射中子对成像影响的Monte Carlo模拟

依据实验参数，建立了14MeV快中子照相的物理模型，并利用Monte Carlo方法对照相过程进行了模拟. 分析了经聚乙烯样品散射的中子对快中子图像的影响随样品与探测器间距及样品参数的变化. 计算结果表明，样品与探测器的距离d<5cm时，样品中的散射中子对图像的影响强烈依赖于d，而当d>20cm时，样品散射中子对图像的影响可忽略；当样品密度为3—5g/cm³时散射中子对图像的影响相对最大；样品宽度越大，图像中的散射成分越多，当宽度在3cm以上时散射成分的强度趋于饱和. 关键词： 14MeV中子 快中子照相 散射中子 Monte Carlo模拟     

14MeV中子在氘核上引起的三体破裂反应截面测量

在n-D 破裂反应中,中子-中子准自由散射测量,可以研究三核介限内未态相互作用和准自由散射过程,确定核子-核子低能散射参数,提供实验和计算之间量的比较,它是实验和理论研究的重要课题。本文着重叙述E_n=14Mev 时,D(n,nn)P反应,共平面并对称排列的中子-中子准自由散射测量及其意义。     

14MeV中子的(n, 2n)反应截面系统学研究

本文对1984年以前的A=19—209的124种核素的14MeV(n, 2n)反应截面的实验数据进行了收集、分析和评价. 研究了截面与(N—Z)/A的关系. 看不出有明显的中子壳效应存在. 用复合核统计理论对一些核的反应截面进行了计算, 对中重核和重核的计算结果与实验值符合较好.     

14MeV中子与铈元素的（n，2n）反应截面测量

在本工作中，铈元素14MeV中子（n，2n）反应截面通过^27Al（n，α）^24Na标准反应截面相对测量获得，^27Al（n，α）^24Na活化反应截面被推荐为一级放射计量标准截面，作为标准值被广泛用于放射剂量和活化测量中，尤其是在13．和14．9MeV能区，该反应截面的不确定度小于1．0％，适合作为相对测量反应截面使用。     

改进型Andersson-Braun中子雷姆仪对0.025eV-45.4MeV中子的能量响应

描述了一种适用于高能粒子加速器周围杂散辐射场测量的改进型Ａｎｄｅｒｓｓｏｎ－Ｂｒａｕｎ中子雷姆仪的原理与结构。利用国内外多种类型的中子源装置，进行了中子能量从０．０２５ｅＶ－４５．４ＭｅＶ的注量率能量响应实验，实验表明，这种改进型Ａｎｄｅｒｓｓｏｎ－Ｂｒａｕｎ中子雷姆仪，对能量大于２０ＭｅＶ中子的响应，比普通Ａｎｄｅｒｓｓｏｎ－Ｂｒａｕｎ中子雷姆仪有明显的改善。     

2.45 MeV小型D-D中子管准直屏蔽结构设计

为获取小角度出射的单能中子源,采用蒙特卡罗软件对小型D-D中子管产生的能量为2.45 MeV的4立体角中子源进行了准直屏蔽结构设计。准直屏蔽结构分为准直器和捕获穴,准直器采用铁+含硼聚乙烯+铅的三层过滤结构,用于屏蔽照射野外杂散中子,捕获穴主要功能是增加反方向中子的弹性散射次数,从而降低出射束低能散射中子的比例。通过MCNP模拟得到了准直器各层材料的最佳厚度和出射孔尺寸以及捕获穴最佳结构。经验证,中子照射野处2.45 MeV的中子通量比照射野外大三个量级,中子照射野处低能中子通量比2.45 MeV的中子通量低一个量级,墙壁外总剂量率（中子+）在2.5 Gy/h以下。该研究对于小角度单能中子源的快速获取具有一定的实用价值,获取的中子源可用于中子剂量仪器有效性检验、中子监测仪性能测试等方面的研究。     

14.2MeV中子在锆上弹性散射的微分截面

用伴随粒子飞行时间方法,在10°—140°范围内测量了14.2MeV中子在Zr上的弹性散射微分截面.用蒙特卡洛方法对中子在样品中的通量衰减,多次散射及有限角分辨进行了修正;并将测量数据与光学模型理论计算及他人的结果作了比较.     

14MeV钕的同位素反应截面的测量

报道了在13.5—14.6MeV中子能区用活化法以⁹³Nb(n,2n)^92mNb反应截面为中子注量标准测得的¹⁵⁰Nd(n,2n)¹⁴⁹Nd,¹⁴⁸Nd(n,2n)¹⁴⁷Nd和¹⁴²Nd(n,2n)¹⁴¹Nd的反应截面值.由13.5±0.2,14.1±0.1和14.6±0.2MeV中子引起的¹⁵⁰Nd(n,2n)¹⁴⁹Nd反应截面值分别为2037±85,1737±68,1657±65mb,¹⁴⁸Nd(n,2n)¹⁴⁷Nd反应截面值分别为1394±58,1416±54,1956±76mb,^{142Nd(n,2n)141Nd反应截面值分别为1501±59,1623±62,1764±111mb.单能中子由T(d,n)4He反应获得.文中还收集了已发表的数据以作比较.}