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固态微波毫米波半导体材料与器件、固态微波毫米波电路与模块、毫米波与太赫兹技术以及新型固态微波毫米波器件在近年来有很大的发展,在相控阵雷达、电子战、军民用通信领域有广泛的应用前景。当前这些器件应用较为集中于各类T/R组件。文章按固态微波毫米波半导体材料与器件、固态微波毫米波电路与模块、毫米波与太赫兹技术以及新型固态微波毫米波器件的顺序,概要介绍了固态微波毫米波技术的新进展。 相似文献
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对Ka频段三端器件漏极混频器电路进行了分析和优化设计。由三端器件小信号S参数和直流特性测试值拟合出该器件非线性等效电路模型和参数;采用谐波平衡和变换矩阵分析法推导出漏极混频器变频增益,由此优化设计混频器电路。实验测试结果射频为27.4GHz、本振为33.4GHz/10dBm,获得变频增益为4dB。 相似文献
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本文首先论述当前因态微波，毫米波器件的总体发展特点及各种固态微波，毫米波三端器件的可用频率发展水平，最后，对这类器件及其ＭＩＭＩＣ的国内外技术发展水平进行定量对比研究，明确其差距，透视其方向。 相似文献
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报道了毫米波ＨＥＭＴ的发展及现状，介绍了低噪声和功率器件的一些相关技术和典型研究水平。并介绍了１２ＧＨｚ的低噪声ＨＥＭＴ在卫星电视接收机中的应用情况。 相似文献
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采用0.18μm G aA s PHEM T工艺,设计和研制了34~40 GH z毫米波单片混频器。该混频器选择了单平衡结构,采用180°电桥结构改善LO-RF的隔离度,并修改了该结构以方便布版。在39 GH z频点上,该混频器的插入损耗小于7.2 dB、LO-RF隔离度大于32 dB。 相似文献
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采用0.18um GaAs PHEMT工艺,设计和研制了毫米波压控振荡器.该压控振荡器采用反射式结构,并针对了我国本地多点分配业务(LMDS)频段进行了优化设计,芯片采用OMM IC ED02AH工艺实现,芯片的尺寸为1.2mm×0.8mm.实测性能指标为:在28.46GHz,该压控振荡器的输出功率为7.3dBm,偏移1MHz处的相位噪声为-101dBc/Hz,调谐范围为27.5~30.4GHz. 相似文献
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消除低频不稳是利用雪崩管设计毫米波固态源,特别是大功率源的重要课题.本文设计了一种新型的可调谐式低通阻抗变换器以消除振荡源的低频不稳定性.该变换器不仅能大大地抑制低频不稳,而且由它提供的调谐自由度,加上可移动的短路活塞提供的另一调谐自由度可使振荡源调至最佳状态.本文借助计算机对该变换器进行优化设计,并给出其带通特性的理论曲线. 相似文献
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