回答对“非均匀等离子体湍流重正化准线性理论中的平均电场效应”一文的质疑

１文献［１］提出的质疑（以下简称质疑）举例说明文献［２］的“许多公式数量级上混乱”。例１说“式（５）左边是ε的零级；右边第一项却是ε的一级”。第二项呢？“式（５）”，即Ｌ（ｔ）≡－（ｅ／ｍ）Ｅ０（ｘ，ｔ）ｖ＋ｖｘ（１）Ｌ（ｔ）是右边两项之和的符号...     

随机电报过程引起的光失相的计算

本文计算了红宝石中Ａｌ核自旋跳变引起的Ｒ１［４Ａ２（Ｓ＝－３／２）→２Ｅ（Ｓ＝－１／２）］回波衰减．用随机电报过程描述每个Ａｌ核自旋（ｉ）跳变引起Ｃｒ共振频率的起伏Δｉ，这个过程对光子回波衰减的贡献〈Ｅｉ（ｔ２１）〉可以用解析式表示．首先计算核自旋（ｉ）跳变的总速率Ｗｉ及它引起的Δｉ，求出〈Ｅｉ（ｔ２１）〉．设对Ｃｒ光失相起主要贡献的每个Ａｌ核自旋跳变近似是独立的，所以总的回波强度是所有Ａｌ引起的〈Ｅｉ（ｔ）２１〉的乘积．计算得到非指数的回波衰减，以Ｉ＝Ｉ０ｅｘｐ〔－（４ｔ／ｔｍ）ｘ〕拟合，ｘ＝２．５６，ｔｍ＝５０．６μｓ，与实验及计算机模拟的结果一致     

稀磁半导体Zn1—xMnxSe外延膜的反射的光致发光谱

测量了用热壁外延（ＨＷＥ）生长的不同组分（０≤ｘ≤０．９８）的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ薄膜在温度为３００Ｋ下的反射光谱，用Ｘ射线能谱测定样品实际的组分ｘ值，由此获得了其能隙Ｅｇ与组分ｘ的关系：在０〈ｘ〈０．２组分范围，Ｅｇ随ｘ的变化显示了反常现象，当ｘ〉０．２时，能隙Ｅｇ随ｘ线性增大。在室温和低温下测量了样品的光致发光，除观测到Ｍｎ＾２＋离子内部４Ｔ１→６Ａ１发光峰外，在其低能边观测到一个较宽的发光峰     

第十五届非物理类专业大学生物理竞赛试题及解答

一、填空题（共６１分）１．（４分）作直线运动的质点,在ｔ≥０时,它沿ｘ轴方向的速度为ｖｘ＝αｘ,其中α为一个正的非零常量．已知ｔ＝０时,质点位于ｘ０＞０的位置,那么质点运动过程中的加速度ａｘ与位置ｘ之间的函数关系为ａｘ＝,质点位置ｘ与时间ｔ之间的函数...     

稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延膜的反射和光致发光谱

测量了用热壁外延（ＨＷＥ）生长的不同组分（０≤ｘ≤０．９８）的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ薄膜在温度为３００Ｋ下的反射光谱，用Ｘ射线能借测定样品实际的组分ｘ值，由此获得了其能隙Ｅｇ与组分ｘ的关系：在Ｏ＜Ｘ＜０．２组分范围，Ｅｇ随ｘ的变化显示了反常现象，当Ｘ＞０．２时，能隙Ｅｇ随ｘ线性增大。在室温和低温下测量了样品的光致发光，除观测到Ｍｎ２＋离子内部４Ｔ１→６Ａ１发光峰外，在其低能边观测到一个较宽的发光峰，对结果进行了分析讨论。     

J/Ψ衰变中的∧,∧γ和∧π~0产生

利用北京正负电子对撞机（ＢＥＰＣ）上的北京谱仪（ＢＥＳ）收集的７．８×１０６个Ｊ／事例，测量得到Ｊ／－Ａ，ＡＡｖ和八八三个衰变道的分支比分别为Ｂｒ（Ｊ／一Ａ八）：（ｌ．０８：：０．０６：：０．２４）ｘ１０－ａ，（ＶＡＡＮ＜ｌ．６ｘｌ０－‘（９０％Ｃｕ，和＆（Ｕ’）＝（２３ｌ０．７ｌｌ０．８）ｌ１０－ｔ：第一个衰变道的角分布为：（１、ａｃｏｓ‘０），ａ＝０．５２０．３３０．１３。     

新型钼（钨）—铁—硫簇合物的穆斯堡尔和晶体结构研究

本实验测定了新型钼（钨）－铁－硫簇合物（１）（Ｅｔ４Ｎ）［ＭｏＦｅ２（μ３－Ｓ）２（ＣＯ）８（Ｓ２ＣＮＥｔ２）和（２）（Ｅｔ４Ｎ）［ＷＦｅ２（μ３－Ｓ）２（ＣＯ）８（Ｓ２ＣＮＥｔ２］的穆斯堡尔谱和晶体结构。它们分子中的两个铁原子是等价的，所以都只的一组对称的四极分裂双峰。这个结果与单晶结构分析一致。经计算机拟合后的穆斯堡尔参数（７７Ｋ时）为：对于（１），化学位移δ＝０．０８±０．００４ｍｍ／ｓ，四     

GaAs1—xPx：EL2（x=0—0／08）光猝灭截面谱的温度依赖性

对实测ＧａＡｓ１－ｘＰｘ合金（ｘ＝０，０．０４和０．０８）三个样品中ＥＬ２中心的光猝灭截面谱σ的温度依赖性进行了研究。     

p—HgCdTe反型层中子能带电子的基态能量

用变分自洽方法求解了ｐ－ＨｇＣｄＴｅ金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构Ｎ型反型层子能带的基态能量Ｅ０及其与表面电子浓度的关系。计算中考虑了窄禁带半导体Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ带间相互作用所引起的非抛物带结构、波函数平均效应、共振缺陷态、Ｚｅｎｅｒ隧穿、以及电场在屏蔽长度内的衰减等因素，导出了子能带基态能量Ｅ０的计算公式并获得了与实验符合较好的结果。     

X射线辐照下BaF_xCl_（2－x）：Eu~（2＋）的热释发光性质

本文研究了在不同温度下，经互射线辐照后ＢａＦｘＣｌ２－ｘ：ＥＵ２＋的热释发光性质．给出了热释发光峰的温度与缺陷种类的关系，讨论了两种温度辐照下，ＢａＦｘＣｌ２－ｘ：Ｅｕ２＋（Ｘ＝０．９０，…，１．１５）热释发光产生差异的原因．     

1.55μmSi1—xGex光波导在Si1—xGex／Si多量子阱探测器集成的优…

对１。５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为：１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５，脊宽，高和腐蚀深度分别为８，３和２．６μｍ，２）对ＳＩ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱红外探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５，探测器由厚度为５５０ｎｍ，２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５ＧＥ０．５＋１８ｎｍＳｉ组成，长度约２ｍｍ。     

新型（Pb，Cd）－1222相化合物的制备、结构和电学性质

本文成功地合成了一系列新型Ｐｂ－１２２２相层状铜氧化物（Ｐｂ０．５Ｃｄ０．５）（Ｓｒ０．９Ｒ０．１）２（Ｒ＇０．７Ｃｅ０．３）２。Ｃｕ２Ｏｘ，Ｒ＝Ｒ＇＝Ｙ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ以及（Ｒ，Ｒ’）＝（Ｌａ，Ｅｕ），（Ｓｍ，Ｇｄ），（Ｓｍ，Ｅｕ），（Ｌａ，Ｇｄ），（Ｅｕ，Ｇｄ），（Ｎｄ，Ｅｕ），（Ｎｄ，Ｄｙ），（Ｎｄ，Ｙ），（Ｎｄ，Ｅｒ）．Ｘ－射线衍射和电子衍射表明它们属于四方晶系，其结构与（Ｐｂ，ＣＵ）－１２２２相结构相似．其中（Ｒ＇，Ｒ＇）＝（Ｅｕ，Ｇｄ）的样品在氧气中成相得到２３Ｋ的超导转变临界温度．     

依赖于时间的Jaynes—Cummings模型中的反聚束效应

本文利用友格－库塔法对多个方程组连续进行积分，提出了一种处理依赖于时间的Ｊａｎｅｓ－Ｃｕｍｍｉｎｇｓ模型，描述二能级原子与腔场相互作用的耦合系数依赖于时间的ＪＣＭ的哈密顿量为Ｈ＝１／２ω０σ３＋ω＾＋ａ＾＋ａ＾＋ｇ（ｔ）（σ＋ａ＋σ－ａ）ｈ＝１（１）这里，ｇ（ｔ）选择为时间上的一个脉冲ｇ（ｔ）＝ｇ０ｅｘｐ（－（ｔ－ｔ０）＾２／２ａ＾２），其中ｔ０和ａ分别为脉冲中心和脉冲宽度，ｇ０是一有量纲常数，     

Nd1-xSrxMnO3阴极材料的制备及性能研究

用溶胶－凝胶法制备了单相性、均匀性好的Ｎｄ１－ｘＳｒｘＭｎＯ３（ｘ＝０．１,０．２,０．３,０．４,０．５）微粉系列样品。通过Ｘ射线衍射分析表明,当０≤ｘ≤０．５时样品具有畸变的正交钙钛矿（ＣｄＦｅＯ３型）结构。考察样品的烧结特性和高温电导率随掺锶量的变化规律,发现ｘ＝０．２时样品的导电性能最好。对用微粉制备的膜电极过电位进行测试表明,Ｎｄ０．８Ｓｒ０．２ＭｎＯ３有极过电位低于Ｌａ０．７Ｓｒ０．３ＭｎＯ３阴极过电位。     

喷雾热解法制备掺Cr的Al2O3薄膜及其抗腐蚀性能

用喷雾热解法制备出厚为２０００Ａ的掺Ｃｒ的Ａｌ２Ｏ３薄膜。ＸＲＤ和ＸＰＳ分析证明其为无定形的Ａｌ２－ｘＣｒｘＯ３（ｘ＝０．０７２），ＳＥＭ和椭圆仪分析结果验证了薄膜的均匀性。该薄膜表现出良好的绝缘性质和抗腐蚀性能。     

Y1—xPrxBaxCu3O7—δ超导体正常态异常的正电子湮没研究

在７７－３００Ｋ温度范围内用正电子湮没方法测量了Ｙ１－ｘＰｒｘＢａＣｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０．２，０．１，０．０）三个超导样品中正电子湮没寿命随温度的变化，细致地研究了正常态异常现象，ｘ为０．０和０．１的二个样品分别在较Ｔｃ高４０Ｋ和３０Ｋ处观察到了正常态异常现象．ｘ＝０．２样品没有观察到正常态异常现象，实验观察到的正常态异常现象可能是发生超导转的前秦，由结构不稳定产生的类相变所致。     

关于一维无限深方势阱描述的一个注记

关于一维无限深方势阱描述的一个注记额尔敦朝鲁（内蒙古民族师范学院物理系，通辽０２８０４３）当前国内流行的许多量子力学教科书中，对一维无限深方势阱的描写出现多种形式，概括起来，至少存在以下四种不同的形式［１～３］：１）Ｕ（ｘ）＝０，０＜ｘ＜ａ∞，ｘ＜０...     

卤代烷第一电离能的变化规律研究

卤代烷ＲＸ的第一电离能Ｉｐ的变化规律可用如下方程表示：Ｉｐ（ｅＶ）＝３．３３８０＋０．７３４４Ｅｐ（Ｘ）＋２．７４２４「（１／αｘ）ｑｘ」－１．４０２ＰＥＩ其中,Ｅｐ（Ｘ）、αｘ分别为卤素原子最外层Ｐ电子的电离能和原子极化离,ｑｘ是卤代烷ＲＸ分子中卤原子Ｘ所带的部分电荷,ＰＥＩ是ＲＸ分子中烷基Ｒ的极化效应指数。华肜上式估算卤代烷的第一电离能与实验值符合的比较好。     

应变层异质结ZnS/ZnSe、ZnS/ZnS_xSe_(1-x)和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)价带带阶的研究

采用基于原子球近似下线性Ｍｕｆｉｎ－Ｔｉｎ轨道（ＬＭＴＯ－ＡＳＡ）的平均键能计算方法，研究了以ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ为衬底，沿（００１）方向外延生长的应变层异质结ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＺｎＳ／ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ的价带带阶值ΔＥｖ（ｘ）．研究表明，ΔＥｖ（ｘ）值随衬底合金组分ｘ单调变化．且两者的关系是非线性的．在此计算结果与其它理论计算和实验结果符合较好．     

Ca替代YB_2zCu_4O_8超导材料的正电子湮没谱研究

研究了Ｙ（１－ｘ）ＣａｘＢａ２ＣＵ３Ｏ８（ｘ＝０．００—０．１５）超导体系的正电子寿命谱，计算了局域电子密度ｎｅ和空位浓度Ｃｖ随替代含量ｘ的变化，发现了存在于ｘ＝０．１附近的峰值响应，讨论了相应的正电子湮没机制以及和超导电性之间的关联．