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晶体的生长习性与配位多面体的形态 总被引:4,自引:0,他引:4
本文由配位多面体生长习性法则分析了ZnS,锐钛矿和γ-AlO(OH)晶体的生长习性.发现ZnS晶体的各晶面的生长速度为:v(111)>v(001)=v(010)=v(100)>v();锐钛矿各晶面的生长速度为:v(010)=v(001)>v(110)>v(111);γ-AlO(OH)晶体各晶面的生长速度为:v(100)>v(001)>v(101)=v(110)>v(010).此结果与在水热条件下观察到的生长习性符合得相当好.指出了当晶体结构中配位多面体只有一种方位时,此晶体的生长习性与配位多面体的形状相类似.即配位多面体顶点指向的方向生长速度快;面指向的方向生长速度慢;棱指向的方向生长速度介于两者之间.此外,本文还指出了PBC理论在分析极性晶体的生长习性时存在的缺点. 相似文献
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用碳化硅合成的金刚石微晶的抗氧化性 总被引:4,自引:0,他引:4
用碳化硅加Ni70Mn25Co5合金体系在高温高压下合成出具有完好晶形的金刚石微晶.通过粒度分析和热重量分析对这种晶体的热稳定性进行了评价.作为比较,对工业上用石墨合成的六种不同粒度的金刚石微粉和微晶也作了热重量分析.结果表明,用石墨合成的四种普通金刚石微粉的氧化温度随粒度的减小而明显降低,当粒度为80~100μm到1~2.5μm时,其起始氧化温度为770℃到627℃;两种未经破碎的金刚石微晶的抗氧化性能明显较高,其粒度为20~70μm,起始氧化温度为806℃和819℃.与它们相比,用碳化硅合成出的金刚石晶体的粒度分布在10~50μm范围,而起始氧化温度为838℃,完全氧化温度为1101℃,比用石墨合成的未经破碎的金刚石微晶具有更高的抗氧化性能.本文定性地讨论了用碳化硅合成的金刚石具有高耐热性的原因,认为完好的表面和硅杂质的存在可能对这种晶体热稳定性起了重要作用. 相似文献
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以工业固体废弃物铬铁废渣和粉煤灰为主体原料,研究了在单因素下引入不同含量的铬铁废渣和粉煤灰对制备建筑陶瓷砖的性能和显微结构的影响.通过固相反应制备了晶相为SiO2、3Al2O3· 2SiO2、FeAl2O4、MgAl1.5Cr0.5O4的陶瓷砖.利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜以及能谱(EDS)对陶瓷砖进行了表征分析,并考察了在不同含量下的铬铁废渣和粉煤灰的条件下对所制试样的线收缩率、吸水率、体积密度、抗折强度以及显微结构的变化特征.结果表明:当铬铁废渣和粉煤灰引入量都是35 g,西矿陶土40 g,石英4 g时,所制备的建筑陶瓷砖试样的综合性能最优. 相似文献
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采用坩埚下降法沿「001」方向生长出长度为60mm、直径为25mm的溴化铅晶体,并对该晶体进行了定向,测定了其光度体方位及其主折射率,测得该晶体的透过率范围复盖自0.3μm至25μm的整个区域,其声光优值为511。 相似文献
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液晶分子的预倾角是液晶显示器件的重要参数,本文探讨了温度对平行排列的液晶分子的预倾角的影响,指出了温度的升高,导致液晶分子的预倾角降低,并用分子空间相互作用模型进行了理论分析。 相似文献
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为了改善常规的ECBLCD的显示品质,采用不摩 擦技术制备了无序的平行ECB液晶盒,并研究了盒中液晶的微观织构,分析了它的电光特性和视角特性。无序的平行 ECB液晶盒是多畴的并且 具有不能被人的肉眼所识别的的微观向错的结构,并具有分色性好、视角的整个平面内方位对称等特性。为了克服实际驱动时产生的宏观向错,制备了聚合物稳定 的无序的平行ECB器件,其聚合物形成的网络限定了向错的界限,有效地防止了宏观向错的形成。 相似文献
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本文综述了晶体对熔体热辐射吸收对晶体生长的影响,包括对热腔热耗散的影响;对晶体生长温度时间特性的影响;对液流形态和固液界面形状的影响;对晶体界面反转的影响;对晶体中温度分布和应力分布的影响. 相似文献
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