新型含氟液晶-1 4—〔（4-正烷氧基—2，3，5，6—四氟苯基）乙炔基〕苯甲酸4—正戊氧羰基苯酚酯的合成和液晶性质研究

骨架结构中含有多氟原子的液晶，由于在改善熔点、粘度、双折射率及介电各向异性等物理性能方面具有明显的优点，而越来越受到人们的重视。本高文以1—五氟苯基—2—三甲硅基乙炔为起始原料，合成了4—〔(4—正烷氧基—2，3，5，6—四氟苯基)乙炔基〕苯甲酸4—正戊氧羰基苯酚酯一类新型化合物。通过正交偏光显微镜观察的研究结果表明，所得到的化合物是呈现近晶A相和向列相的新型液晶。端基对液晶行为的影响也在本文中得到讨论。     

新型含氟液晶-3，-（4’-正烷氧基—2，3，5，6—四氟联苯基—4—乙炔基）苯甲酸4—氯苯酚酯的合成和液晶行为研究

设计和合成新型含氟液晶化合物并对其性能进行考察，将有助于扩大人们对液晶及其器件应用等方两的科学理解。本文以1—五氟苯基—2—三甲硅基乙炔为起始原料，合成了4—(4’—正烷氧基—2，3，5，6—四氟联苯基—4—乙炔基)葶甲酸4—氯苯酚酯一类新型化合物。通过正交偏光显微镜观察研究，发现所得到的化合物是呈现高度稳定的近晶A相和向列相的新型互变液晶，分子结构对液晶行为的影响也在本文中得到考察。     

新型含氟液晶—2 4—〔（4-正烷氧基—2，3，5，6—四氟苯基）乙炔基〕苯甲酸苯酚酯的合成和液晶行为研究

研究液晶性能与分子结构之间的关系具有十分重要的意义。本文以1—五氟苯基-2-三甲硅基乙炔为起始原料，合成了4—〔(4-正烷氧基—2，3，5，6—四氟苯基)乙炔基〕苯甲酸苯酚酯一类新型化合物。通过正交偏光显微镜观察研究。发现所得到的化合物是新型的单变向列型液晶。本文亦考察了端基对液晶行为的影响。     

熔体生长4‘—硝基亚苄基—3—丙酰胺基—4—甲氧基苯胺（MNBA—Et）晶体

用引上法第一次从熔体中生长了有机晶体４－硝基亚苄基－３－丙酰胺基－４－甲氧基苯胺（ＭＮ－ＢＡ－Ｅｔ）讨论了生长条件并对ＭＮＢＡ－Ｅｔ熔体的性质进行了研究。     

正硅酸乙酯为碳源制备C@ZrSiO4色料的研究

采用正硅酸乙酯为碳源和硅源,四氯化锆为锆源,LiF为矿化剂,通过非水解溶胶-凝胶法(NHSG)制备了硅酸锆包裹炭黑(C@ZrSiO4)色料.通过XRD和SEM研究了前驱体和矿化剂浓度对硅酸锆合成及显微形貌的影响,同时采用CIE-L*a+b+色度仪考察了该色料的色度.实验结果表明,正硅酸乙酯中的乙氧基原位炭化成细小的碳粒作为发色基团,同时与氯化锆通过非水解溶胶-凝胶反应生成硅酸锆均匀包裹于炭黑颗粒表面.随着前驱体浓度的增大原位碳含量增加,C@ZrSiO4色料黑度提高;前驱体浓度高于3mol·L-1时样品颗粒团聚严重,同时过厚的包裹层不利于色料发色.经氮气气氛900℃热处理2h,空气气氛800℃热处理2h后制备出的C@ZrSiO4黑色包裹色料具有良好的色度值,L* =44.54,a*=0.82,b*=2.84,施于透明基础釉中经1200℃煅烧仍能保持优异的呈色能力.     

新型含氟液晶—8．1—（4′—乙基—联苯基）2—（4—烷氧基—2，3，5，6—四氟基基）乙炔的合成及相态研究

设计，合成了1-(4′-乙基-联苯基)2-(4-烷氧基-2，3，5，6-四氟基基）乙炔的液晶化合物。用偏光显微镜以1及DSC确定了它们的液晶相态，它们均为向列相液晶，并与相类似全碳氢类液晶化合物进行比较。     

极性有机晶体N—4—硝基苯—（L）—脯氨醇的结晶习性和形成机理

从结晶化学角度出发，研究了极性有机非线性光学晶体Ｎ－４－硝基苯－（Ｌ）－脯氨醇的结构与晶体形貌间的关系，从结构基元在晶体中的方位和生长基元在各面族上的叠合规律，讨论了ＮＰＰ晶体结构习性的形成机制，并解释了正角极面生长速率差异很大的原因。     

生长正钒酸钙晶体Ca3(VO4)2的原料制备

本文报道了Ca3(VO4)2晶体生长时原料组分的选择,指出相图上CaO质量分数的范围在36;～40;是合理的生长区间.讨论了合成原料的合理方式,采用CaCO3与V2O5直接合成的方法能够避免采用CaO或Ca(OH)2与V2O5进行合成时原料与空气中的H2O及CO2反应,影响称量准确性的问题.详细地给出了光加热浮动熔区法和提拉法生长Ca3(VO4)2晶体时原料的制备工艺.采用光加热浮动熔区法时用9MPa压力制棒,采用两步法烧结:850℃×8h→1200℃×8h.在提拉法生长晶体时采用球磨机湿混料、80℃烘干、20MPa压力下压料饼,也采用两步法烧结:850℃×8h→1200℃×8h.     

在H2—CH4—CO2气相系统中沉积金刚石薄膜

研究了在Ｈ２－ＣＨ４－ＣＯ２气相系统中金刚石薄膜的沉积情况。随着ＣＯ２浓度的增大，金刚石薄膜二次成核现象减少，晶体形态趋于完整，薄膜质量变化；随着ＣＯ２、ＣＨ４２的同时增大，金刚石薄膜农渐从完整晶体形态变为菜花状聚晶体，薄膜质量变差；在较高的ＣＨ４（约１５％）、ＣＯ２（约２０％）浓度下，仍可获得昌体形态貌良好的金刚石薄膜；在Ｈ２＿ＣＯ２气相系统中，不能沉积金刚石薄膜。