纳米级PtSi/Si(111)膜成形工艺与连续性研究

研究了在（１１１）Ｓｉ衬底上沉积５ｎｍＰｔ膜经不同工艺成形后其反应产物及膜的连续性．结果表明高温短时间退火（６００℃、３ｍｉｎ）有利于形成连续的ＰｔＳｉ膜     

单WiFi室内分米级定位技术探讨

无线WiFi是现在互联网世界的基础,一切互联网技术都是在这个平台上使用的.近几年,互联网的使用很大程度上都是依赖无线网WiFi,其中的WiFi室内定位技术已经成为人们讨论最多的话题,很多人都在这方面做了研究.目前,WiFi大多数智能是在室内定位已知的先验条件下实现的,但在实际中,不能部署多个AP依然是最大问题.     

海力士研发出40纳米级记忆体芯片

海力士半导体公司（Hynix Semiconductor）日前宣布,已使用最细微技术研发出全球密度最高记忆体芯片。这种崭新的“DDR3 DRAM”（DDR3动态随机存取记忆体堪片采用的技术,能让内部线路相距仅40纳米,细微度是目前产品的1／5。     

纳米级气流有望为未来的计算机提供冷却处理

美国普渡大学(位于美国印地安那州西拉斐特)的机械工程师正在开发一种利用空气分子电离来产生纳米级气流的新颖冷却技术,有望用于为未来的计算机实施冷却处理。这种技术可被用来制作安装在未来微型芯片上(或集成到未来微型芯片内)的冷却器件,从     

纳米级CMOS集成电路的发展状况及辐射效应

介绍互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的发展历程及纳米级CMOS集成电路的关键技术,在此基础上研究了纳米级CMOS集成电路的辐射效应及辐射加固现状。研究结果表明,纳米级FDSOICMOS集成电路无需特殊的加固措施,却比相同技术代的体硅CMOS集成电路有好得多的辐射加固能力,特别适用于空间应用环境。     

纳米级性能微测量中的原位透射电子显微学的现状和展望

纳米材料的研究无论是在基础科学还是在应用技术上都面临着许多新的挑战。纳米材料的性能极大地取决于它们的尺寸和形状。测量大面积或大量的纳米材料所得的性能是整个样品的平均值，因此，单个纳米颗粒或单根纳米管的不寻常的特性就被掩盖了。测量由原子结构所决定的单一纳米结构的性能是纳米科学的一个基本方向。对现有的测试技术和试验方法来说，表征单一纳米颗粒／纳米管／纳米纤维的性能是一难题。首先，因为它的尺寸（直径和长     

纳米级MOSFET器件模拟的载流子输运模型

随着半导体微细加工技术的发展,预计硅SOC的集成度可达万亿个晶体管,单个晶体管的尺寸将达到10nm范围内。因此从理论上研究纳米尺寸器件的性能和特性对发展超大规模集成电路尤为重要。综述了纳米级MOSFET器件数值模拟的量子模型,以及在该模型下用到的几种载流子输运模型,并结合模拟结果对这一模型作了评价。     

纳米级CMOS电路的漏电流及其降低技术

随着CMOS工艺的进一步发展,漏电流在深亚微米CMOS电路的功耗中变得越来越重要.因此,分析和建模漏电流的各种不同组成部分对降低漏电流功耗非常重要,特别是在低功耗应用中.本文分析了纳米级CMOS电路的各种漏电流组成机制并提出了相应的降低技术.     

海力士研发出40纳米级存储器芯片

南韩海力士半导体公司（Hynix Semiconductor）日前宣布,已使用最细微技术研发出全球密度最高存储器芯片。海力士这种崭新的“DDR3DRAM”（DDR3动态随机存取存储器）芯片采用的技术能让互联线相距仅40纳米,细微度是目前产品的1／5。     

一种不依赖差分技术的车道级卫星定位技术

在5G+新基建的移动互联网时代,高精度定位成为诸多领域的新宠,备受年轻一代的青睐.在此背景下,博盛尚科技向市场推出一种新型的RAC高精度卫星定位接收机,其特点是不使用任何差分技术(及惯导),仅采用普通民用单频信号(GPS L1或北斗B1),就能实现优于1米的定位精度.这项技术的应用,使高精度卫星定位既摆脱了对地基(星基...     

纳米级表面轮廓传器

介绍一种用于半导体工业领域测量膜厚和表面轮廓的传感器,其分辨率达１ｎｍ。经计量部门测试,测量范围为±１８０μｍ时,线性度达０．４％ＦＳ;量程分为四挡：量程为１００ｎｍ时,重复误差为２％,量程为５００ｎｍ或１０００ｎｍ时,重复误差为１％,量程为５０００ｎｍ以上时,重复误差为零。传感器触针对工件的压力在０￣０．５ｍＮ间可调。     

纳米级表面轮廓传感器

介绍一种用于半导体工业领域测量膜厚和表面轮廓的传感器,其分辨率达１ｎｍ 。经计量部门测试,测量范围为±１８０μｍ 时,线性度达０－４ ％ ＦＳ;量程分为四档：量程为１００ｎｍ 时,重复误差为２ ％ 。量程为５００ｎｍ 或１０００ｎｍ 时,重复误差为１％ 。量程为５０００ｎｍ 以上时,重复误差为零。传感器触针对工件的压力在０ ～０－５ｍＮ 间可调。     

纳米半导体材料的制备技术

介绍了纳米半导体材料的定义、性质及其在未来信息技术中的地位,讨论了纳米半导体材料的制备方法。     

纳米压印光刻技术

为了避免纳米压印光刻技术与光刻技术混淆，纳米压印光刻技术严谨的专业术语定义是：不使用光线或者辐射使光刻胶感光成形，而是直接在硅衬底或者其他衬底上利用物理学机理构造纳米级别的图形。这种纳米成像技术真正地实现了纳米级别的图形印制。     

封装技术成为应对纳米级设计挑战的关键

<正>前不久,CSIA设计分会2004年年会在沪胜利召开,包括Cadence、中芯国际、江苏长电、中电华威、科利登等知名公司在内的600人参加了本次会议,Cadence执行副总裁兼执行董事长和管理团队的高级顾问赵修平先生出席了此次盛会并发表了重要演讲。     

国内外半导体级多晶硅生产技术差距分析

随着我国多晶硅生产技术的不断进步,半导体级多晶硅生产技术水平与国外的整体差距也在不断缩小,并在某些方面可比肩国际一流企业水平。由于国内从事大规模半导体级多晶硅生产技术研究起步较晚,相比于深耕几十年的国外一流企业,在某些细节上依然存在差距,本文主要从技术指标、关键设备材料、生产运营理念等方面分析其存在的差距。     

室内定位技术现状和发展趋势

本文首先概述一些室内定位技术的应用场景,并基于这些应用提出一些相应的系统需求。然后对不同的定位技术及它们的优势和局限做出分析。最后,讨论了室内定位领域的新发展趋势。