金刚石微波功率晶体管

本文概述了金刚石的材料特性，金刚石晶体管的结构和工艺，预计金刚石微波功率晶体管可在10GHz下，连续输出功率200W，在100GHZ下，连续输出1W。     

4.2GHz2W硅功率晶体管

<正>硅平面双极晶体管自问世以来,其频率和功率性能不断提高,发展迅速。但是,当频率提高到C波段以上时,由于其频率性能的提高与输出功率、散热性能和寄生参数等都发生了尖锐的矛盾。因此,硅微波功率管在C波段以上频段发展缓慢,并且渐渐被GaAs FET功率管所替代。然而,硅双极晶体管具有比GaAs FET低得多的相位噪声,所以,C波段硅功率管在卫星通讯等微波整机系统中仍有广泛的用途,国内的需求也非常迫切。 南京电子器件研究所硅工艺线采用先进的T形电极新结构、掺砷多晶硅发射区、BF_2。离子注入形成极薄的基区、反应等离子刻蚀技术和局部氧化等技术,用Ф75mm硅片研制成功C波段硅功率管。器件的典型微波参数是:     

RF LDMOS功率晶体管及其应用

论述了RF LDMOS功率晶体管的基本结构和特点,从与双极晶体管相比较的角度,讨论了这种器件的优异性能,对其发展动态和应用情况作了介绍。     

结构改进的高压VDMOS功率晶体管

本文给出高压VDMOS功率晶体管的一种新颖结构,可以明显地减小器件的导通电阻和保持较高的开关速度。     

两种功率场效应晶体管的比较

介绍FAIRCHILD公司的A-FET类和B-FET类功率器件，分析它们的结构、特点及参数的异同，为整机设计用户提供参考。     

新型功率晶体管频率高 表面装 功率大

工业界预测,今年功率晶体管将至少增长16％,明年可能增长13％。虽然对功率晶体管的需求在增长,但象日本这样的国家没有新的制造厂家涉足这一领域,中国台湾供应厂商的数量实际上也在减少。而中国的公司却在扩大其生产能力,不过现在也面临着国内市场的日渐饱和。 现在主要原材料的价格在     

功率MOS场效应晶体管及其应用

文章简要介绍了功率MOSFET的基本功能,对选用功率MOSFET需考虑的问题进行了归纳总结,并通过一个实用的无刷直流电机驱动电路来介绍功率MOSFT应用中要重视的技术关键。     

C波段3W硅功率晶体管

<正>C波段硅功率晶体管在微波整机和通讯等领域有广泛用途。由于硅双极型晶体管具有比GaAs FET低得多的1/f相位噪声,因此,在一些高质量的振荡器中,急需硅功率晶体管。但是,当工作频率提高到C波段时,晶体管的频率和功率性能发生尖锐的矛盾。晶体管的输出功率、增益和效率随着工作频率的升高而急剧下降。这给器件的研制带来了很多困难,国内长期无法解决。南京电子器件研究所采用T形发射极自对准结构,用φ75mm硅片研制成功C波段硅功率管。晶体管的E-B金属电极横向间距几乎为零。发射极扩散层和基极接触窗口的间距约0.4μm。这种T形电极晶体管(TSET)对光刻工艺精确度的要求不很苛刻。测试结果表明,晶体管在4.2GHz时,连续波输出功率大于3W,增益大于8dB,集电极效率大于40％。晶体管作振荡应用时,在4.3GHz下振荡输出功率可达1W,直流—射频转换效率可达20％,是     

高压功率晶体管的纵向结构设计

本文给出高压功率晶体管的纵向结构设计，可以为器件的工艺设计提供依据，以及选择实施的工艺方案。