锗酸铜晶体压致非晶化的研究

High-pressure Raman spectra of copper metagermanate(CuGeO3) are presented,.Above 70 kbar copper metagermanate becomes amorphous,in the range of 70-125 kbar the transition is veversible,above 141 kbar is irreversible.The recrystallization process of pressure-induced amorphous state were investigated.     

三元非晶态Zr_(76)Cu_(14)Ni_(10)低温高压下的超导性

用液相高速淬火技术制备了三元Zr_(76)Cu_(14)Ni_(10)非晶态合金.进行了不同压力下电阻与温度之间关系试验;进行了在卸除高压(10kbar)后样品电阻与温度之间关系的试验.结果表明:常压下非晶态超导转变温度T_c为3.32K.转变宽度△T_c为0.05K.随着压力从1ba→7.3kbar→10kbar递增,T_c相应从3.32K→3.39K→3.42K递增,而△T_c基本不变.超导前的剩余电阻却随压力增加而逐渐下降.168小时后卸除高压(10kbar),此时观察到样品的T_c是可逆的,而剩余电阻是不可逆的.     

30000大气压大空间液体介质超高压设备

地球内部99 %以上的物质处于10kbar以上的压力下.因而,要了解地球内部的结构和状态,必须在超高压条件下进行实验.实验的对象是岩石.岩石本身很不均匀,这样只有采用较大的试样才能使实验结果具有一定的代表性,因此,需要研制大空间的超高压设备.大空间设备除要克服高压设备中的密封、强度两个基本困难外,还要考虑外部系统不能过分庞大.本设备是在一系列小空间超高压设备[1,2]的基础上研制的.在20kbar以下进行实验时,此设备的工作空间(圆柱形)为 φ 30 × 170(mm×mm);而在20-30kbar节围内.工作空间(圆柱形)为φ26 × 170(mm × mm). 设备的核…     

硅中金受主能级在单轴应力下瞬态电容的研究

用恒定温度下瞬态电容法研究了硅中金受主能级在沿〈100〉,〈110〉,〈111〉晶向单轴应力作用下的能级移动。考虑到硅的导带在单轴应力下的分裂,导出了单轴应力下深中心中电子发射率的公式。根据该式和发射率的实验数据以及切变畸变势常数Ξ_u,求出了金受主能级激活能随应力的改变。在实验应力范围内(0—9kbar),激活能与应力成线性关系。当应力平行于〈110〉〈111〉晶向时,激活能随应力改变的斜率分别为α_<110>=-3.2±0.6meV/kbar,α_<111>=-0.3±0.6meV/kbar;当应力平行于〈100〉晶向,若取Ξ_u=9.2eV,α_<100>=-5.8±0.8meV/kbar,若取Ξ_u=11.4eV,α_<100>=-5.3±0.8meV/kbar,α表现出强烈的各向异性。进一步确定了金受主能级相对于零压力下导带底的绝对移动的压力系数。若取Ξ_u=9.2eV,这些系数分别为S_<100>=-1.3±0.8meV/kbar,S_<110>=0.7±0.6meV/kbar,S_<111>=-0.7±0.6meV/kbar。如取Ξ=11.4eV,则S_<100>=-3.5±0.8meV/kbar,S_<110>=0.0±0.6meV/kbar,S_<111>=-1.0±0.6meV/kbar。同一组的三个绝对移动值之间的偏离都超过了实验误差这一事实,说明了金中心具有立方对称性,同时中性金与带负电的金的基态都是非简并的可能性很小。 关键词：     

用高压显微光谱系统研究(Zn_(0.85)Cd_(0.15))S:Cu,Al磷光体在流体静压力下施主-受主对的发光

用金刚石对顶砧高压显微光谱系统在室温和1bar—66kbar的流体静压力范围内研究了(Zn_(0.85)Cd_(0.15))S:Cu,Al磷光体的发光峰位置和相对发光强度随压力而变化的规律。随着压力的增加,发射峰值波长迅速移向短波方向,而发射峰值对应的光子能量随压力增加的速率为4.7meV/kbar(38cm~(-1)/kbar)。这个值比该材料的吸收边随压力增加的速率要小。随着压力的增加,该磷光体的发光峰值相对强度急骤下降,当压力从常压升到66 kbar时,发光峰值相对强度下降到原值的6％。这些结果可以用Al~(3 )-Cu~的施主-受主对模型来解释。本文还估计施主(Al~(3 )和受主(Cu~ )的激活能之和随压力增加的速率为 3.7meV/kbar(30cm~(-1)/kbar)。     

高压下LiKSO4介电和弹性特性的反常及p—T相图

本文通过对不同温度T(150—350K)和压力p(0—10kbar)范围内LiKSO₄晶体介电和弹性性质的研究,发现在室温8.2kbar(对应于升压过程),和4kbar(对应于降压过程)附近介电和弹性系数有突变。我们把它归结为压力诱导的LiKSO₄相转变。这个相变过程伴随着很大的压力滞后现象。本文还给出了LiKSO₄在上述温度和压力范围内的p-T相图。并发现在3.8kbar和281K处存在一个三相点。 关键词：     

高压下LiKSO_4介电和弹性特性的反常及p—T相图

本文通过对不同温度T(150—350K)和压力p(0—10kbar)范围内LiKSO_4晶体介电和弹性性质的研究,发现在室温8.2kbar(对应于升压过程),和4kbar(对应于降压过程)附近介电和弹性系数有突变。我们把它归结为压力诱导的LiKSO_4相转变。这个相变过程伴随着很大的压力滞后现象。 本文还给出了LiKSO_4在上述温度和压力范围内的p-T相图。并发现在3.8kbar和281K处存在一个三相点。     

稳定的Sr-La-Cu-O化合物在流体静压下的超导电性

在0-17kbar范围内,研究了稳定的Sr-La-Cu-O 化合物的超导临界温度与压力的关系,超导起始转变温度T_(co)由37.0K增加到今5.0K(14 kbar)。     

Molecular Dynamical Simulation of Ice Phase Transition： Ice Ih to High-Density Amorphous

We put 5kbar and 12kbar on perfect ice Ih lattice at 77K and 180K. After 30000 simulation steps （in units of 10^-15 s）, high-density amorphous ice is formed. Four-site simple-pair potential TIP4P is used for molecular interactions and the rigid molecular model is employed. Phase transition processes are fitted by an exponential function, and different phase transition times τ are obtained from O-O radial distribution functions （366 and 359fs for 77K and 180K） and O-O-O angle distribution functions （126 and 116fs for 77K and 180K）.     

半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe光吸收边的压力效应

本文研究了室温下1—40kbar流体静压力范围内三元化合物半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe光吸收边的压力效应。实验结果给出:x<0.5的样品,吸收边随压力增加向高能方向以α=6—8×10~(-3)eV/kbar的速率漂移,并具有10~(-5)/kbar~2量级的二级非线性系数;x≥0.5的样品,表观吸收边随压力增加向低能方向漂移,压力系数为α-5×10~(-3)eV/kbar。高压下所研究的样品均有一从闪锌矿结构到NaCl结构的相变发生。这一相变可以是不可逆的,相变压力与样品组分有关,大致在25—40kbar范围内。根据半导体能带畸变势效应和晶体场理论模型估计了压力系数的理论值,讨论了不同压力系数的物理原因。     

用高压显微光谱系统研究(Zn0.85Cd0.15)S:Cu,Al磷光体在流体静压力下施主-受主对的发光

用金刚石对顶砧高压显微光谱系统在室温和1bar—66kbar的流体静压力范围内研究了(Zn_0.85Cd_0.15)S:Cu,Al磷光体的发光峰位置和相对发光强度随压力而变化的规律。随着压力的增加,发射峰值波长迅速移向短波方向,而发射峰值对应的光子能量随压力增加的速率为4.7meV/kbar(38cm^-1/kbar)。这个值比该材料的吸收边随压力增加的速率要小。随着压力的增加,该磷光体的发光峰值相对强度急骤下降,当压力从常压升到66kbar时,发光峰值相对强度下降到原值的6％。这些结果可以用Al³⁺-Cu⁺的施主-受主对模型来解释。本文还估计施主(Al³⁺)和受主(Cu⁺)的激活能之和随压力增加的速率为3.7meV/kbar(30cm^-1/kbar)。 关键词：     

40kbar内碘酸锂(LiIO_3)的P-T状态图

在0一40kbar,20一750℃的压力与温度范围内探索了碘酸锂(LiIO_3)可能存在的高压相,发现在1.5—4.9kbar及310—450℃的压力及温度范围内以及15kbar以上的高压范围内分别存在一个高压结构。较精确地测定了各相的相界,改正了国外1969年发表的相图中的一些错误,并对高温高压下各相的稳定性进行了初步讨论。     

半磁半导体Cd1-xMnxTe光吸收边的压力效应

本文研究了室温下1—40kbar流体静压力范围内三元化合物半磁半导体Cd_1-xMn_xTe光吸收边的压力效应。实验结果给出:x<0.5的样品,吸收边随压力增加向高能方向以α=6—8×10^-3eV/kbar的速率漂移,并具有10^-5/kbar²量级的二级非线性系数;x≥0.5的样品,表观吸收边随压力增加向低能方向漂移,压力系数为α-5×10^-3eV/kbar。高压下所研究的样品均有一从闪锌矿结构到NaCl结构的相变发生。这一相变可以是不可逆的,相变压力与样品组分有关,大致在25—40kbar范围内。根据半导体能带畸变势效应和晶体场理论模型估计了压力系数的理论值,讨论了不同压力系数的物理原因。 关键词：     

40kbar内碘酸锂(LiIO3)的P-T状态图

在0一40kbar,20一750℃的压力与温度范围内探索了碘酸锂(LiIO₃)可能存在的高压相,发现在1.5—4.9kbar及310—450℃的压力及温度范围内以及15kbar以上的高压范围内分别存在一个高压结构。较精确地测定了各相的相界,改正了国外1969年发表的相图中的一些错误,并对高温高压下各相的稳定性进行了初步讨论。 关键词：     

高压下非晶Fe_(82)Si_4B_(14)合金的晶化

研究高压对非晶Fe_(82)Si_4B_(14)合金晶化过程的影响,给出常压下与77kbar下的时间-温度-变态图(即T-T-T图)。结果表明:合金晶化温度的压力梯度值随晶化进行的时间长短而改变。常压下晶化时,bcc-Fe(Si)固溶体相先形成;77kbar下晶化时,DOe型Fe_3B与bcc-Fe(Si)固溶体相同时出现。     

Y-Ba-Cu和Y-Gd-Ba-Cu氧化物超导电性的压力研究

在0—12kbar的压力下,在77—300K的温区里,研究了Y_1-Ba_2-Cu_3和Y_1-Gd_1-Ba_1-CU_3氧化物超导转变温度的压力效应。电阻测量采取标准直流四线方法。采用液体介质传压的Be-Cu自锁式压力装置。压力能提高这二种样品的偏离线性温度Tci 和零电阻温度Tcf。Y-Ba-Cu氧化物的Tcf平均增加率为0.71K/kbar,Y-Gd-Ba-Cu氧化物为0.27K/kbar。在Tci处的电阻率Pci随压力P增加而下降。     

金属钨三键多核金属有机配合物高压拉曼及红外光谱研究

研究了金属钨三键多核金属有机配合物 [Cl(CO) 2 (DPPE)WCC6 H4CCC6 H4NC]2 ReCl(CO) 3(DPPE =bis(diphenylphosphino)ethane,(Ph) 2 PCH2 CH2 P(Ph) 2 )不同压力下的拉曼和红外光谱 (最高压力约 5 0kbar)。配合物在 3 0kbar存在一压力诱导二级相变。金属钨三键伸缩振动ν(WC)压力相关 (dν/dp)在低压相区 ( 0 5 9cm-1·(kbar) -1)与高压相区 ( 0 0 4cm-1·(kbar) -1)差别很大 (约 15倍 )。在高压下 ,从基团Cl(CO) 2 (DPPE)WC中的金属钨W向COπ 轨道的π 反馈明显增强 ,WC的键强度减弱 ,力常数减小和ν(WC)降低 ;此效应与压力缩短WC键 ,增大力常数和增加ν(WC)的效应互相竞争。     

高压下非晶Fe82Si4B14合金的晶化

研究高压对非晶Fe₈₂Si₄B₁₄合金晶化过程的影响,给出常压下与77kbar下的时间-温度-变态图(即T-T-T图)。结果表明:合金晶化温度的压力梯度值随晶化进行的时间长短而改变。常压下晶化时,bcc-Fe(Si)固溶体相先形成;77kbar下晶化时,DOe型Fe₃B与bcc-Fe(Si)固溶体相同时出现。 关键词：     

氨基酸DLH及其稀土镧配合物的高压红外和拉曼光谱研究

测定了DL-2-氨基-4-磺酸基-丁酸 [DLH, DL-Homocysteic acid, (NH+₃)-CH(COOH)-(CH₂)₂-SO-₃] 及其稀土La配合物[La(DLH)₂Cl₃·H₂O=LaL₂]在不同压力下的红外和拉曼光谱。DLH 在50 kbar左右压力以下存在两个压力诱导相转变区,它们分别在17和37 kbar左右,两者均为二级相转变,认为分子间氢键的存在是出现两个压力诱导相转变区的原因。在红外光谱中,SO-₃的对称伸缩振动的压力灵敏度(dν/dp)表现出与其他振动模式不同的变化趋势,它们在低压相区的平均压力灵敏度为0.30 cm-1·(kbar)-1、中压相区为0.32 cm-1·(kbar)-1、高压相区为0.41 cm-1·(kbar)-1,低压相区与高压相区的比值为0.72, 而其他振动模式刚好相反,低压相区与高压相区的比值为4.8。稀土La配合物LaL₂的生成,改变了分子间的氢键,在50 kbar左右压力以下只观察到1个压力诱导相转变区(27 kbar附近)。在红外光谱中,配合物LaL₂中SO-₃的反对称伸缩振动的压力灵敏度(dν/dp)也表现出与其他振动模式不同的变化趋势,它们在低压相区的平均压力灵敏度与高压相区的平均压力灵敏度的比值为0.43, 而其他振动模式的比值为2.5。     

流体静压力下快离子导体Rb4Cu16I7Cl13离子电导的研究

在流体静压力为0.5—11.6kbar,温度-80—80℃范围内,测量了Rb₄Cu₁₆I₇Cl₁₃多晶粉末“松散”样品和“致密”样品的离子电导。“松散”样品电导与压力的关系表明,在4.0—5.0kbar附近,电导存在极大值;“致密”样品电导随压力单调下降。在一定压力下,“致密”样品电导率随温度变化的趋势与常压结果相同,压力对Rb₄Cu₁₆I₇Cl_关键词：