中子辐照含氢硅中的一种新EPR谱

氢气氛下生长的区熔硅(磷～10¹⁴/cm³)经镉比为10,总通量为(2.9—6.0)×10¹⁷n/cm²的中子辐照后,在77K,X波段观测到一种S=1/2的新EPR谱(标号为PK2)。g_eff值随(011)平面内磁场的角度关系呈三斜对称性。对应于缺陷在硅中一特定取向下的g张量主值及主轴相对于立方晶轴的方向余弦如下:g(±0.0004) n[100] n[010] n[001] g_{1关键词：}     

电子辐照硅层中缺陷能级的研究

用12MeV电子辐照硅p⁺n结,在硅中除引入氧空位E₁(E_c-0.19eV),双空位E₂(E_c-0.24eV)和E₄(E_c-0.44eV)外,还引入缺陷E₃(E_c-0.37eV)。用DLTS方法和反向恢复时间测量研究了这些能级的退火行为,可以看到,E₃的退火温度最高(≈520℃)。由退火特 关键词：     

中子辐照含氢FZ-Si的红外吸收研究

对于中子辐照的n-FZSi(H₂),利用红外吸收光谱研究了由于辐照所产生的各种与氢有关的缺陷态。在未辐照的样品和辐照的样品中分别发现了未曾报道的1992cm^{-1和1857cm-1吸收峰。对于在n-FZSi(H₂)所引起的本征吸收峰和辐照损伤吸收峰,进行了讨论和指派。2150cm-1吸收峰则被认为是由于氢施主所引起的。 关键词：}     

中子辐照直拉硅中的本征吸除效应

对经中子辐照的直拉硅中的本征吸除效应进行了研究.结果表明:经中子辐照后,直拉硅片经一步短时退火就可以在硅片表面形成完整的清洁区.清洁区宽度受辐照剂量和退火温度所控制,清洁区一旦形成,就不随退火时间变化.大量的缺陷在中子辐照时产生,并同硅中氧相互作用,加速了硅片体内氧的沉淀,是快速形成本征吸除效果的主要因素,从而把热历史的影响降到次要地位 关键词： 本征吸除 中子辐照 直拉硅     

12MeV电子辐照缺陷能级的研究

近年来,利用１—１２ＭｅＶ加速电子辐照,在硅材料中可以成功地引入复合中心,并代替扩金等工艺．它有效、精确地控制了器件寿命参数．全面衡量器件各参数,可以看出,１２ＭｅＶ电子辐照比低能量电子辐照或Ｃｏ－ｒ,辐照更有利于半导体器件参数的全面最佳化．在１—１２ＭｅＶ电子辐照中,１２ＭｅＶ电子有较强的穿透力和引入缺陷的能力．在相同的复合效果条件下,１２ＭｅＶ电子辐照又比ｒ辐照剂量小得多．本文研究在３×?...     

中子辐照氢气氛生长硅的红外吸收

用傅里叶变换红外吸收光谱技术测量了中子辐照氢气氛生长区熔硅在1800—2300cm^-1和400—1200cm^-1频段的吸收光谱。给出了较强谱带的退火曲线。与质子注入硅的红外光谱及中子辐照氢气氛生长硅的深能级瞬态谱结果相比较,讨论了相应于一些谱带的硅氢中心的可能结构。 关键词：     

中子辐照高掺硅砷化镓的光致发光研究

研究了高掺硅的n型GaAs在中子辐照前后和150℃-500℃等时热退火以后的光致发光光谱。观察到在中子辐照后积分发光强度降低为辐照前的1/36。在退火温度超过250℃时,积分发光强度显著增长,当退火温度达400℃以上时,在带边峰的低能侧出现能量为1.35eV、1.30eV和1.26eV的发光峰。假设250℃退火阶段对应于较大的空位团分解为较小的空位团,400℃退火阶段对应于较小的空位团分解出VGa,可以较好地解释实验现象。     

硅中的辐照点缺陷

点缺陷是指晶体中一个原子尺度的缺陷.半导体中的点缺陷包括晶格空位、间隙原子、化学杂质以及它们的复合物.由于这些缺陷的存在,使半导体晶格周期性的规则排列遭到破坏,因而往往在禁带中引入能级.半导体的许多重要性质与杂质和缺陷紧密相关,因而它们是半导体研究中基本的和重要的课题之一. 近一二十年来,硅中点缺陷的研究有了显著进展.这是因为电子顺磁共振技术、结谱法以及光学测量等得到成功的应用.用电子顺磁共振技术(EPR)可以测定具有顺磁性的点缺陷的原子组态、电子结构及其点群对称性,在此基础上又发展了电子-核磁双共振(ENDOR)…     

高温电子辐照硅中缺陷的研究

本文对高温电子辐照硅中产生的缺陷进行了研究,发现缺陷的引进率随电子辐照温度的增加而增加,在达到极值温度T_m后,缺陷的引进率将随之而下降,T_m值与缺陷的退火激活能有关。E₃缺陷(E_c—0.36eV)浓度在高温电子辐照中显著增加,在330℃高温电子辐照时,E₃缺陷浓度为室温电子辐照的6倍。研究结果表明,E₃缺陷的可能结构为与多空位和氧有关的复合体。 关键词：     

硅中的过渡元素杂质能级

本文提出了半导体中过渡元素杂质的一个简单模型,用格林函数方法计算了硅中替代和间隙原子产生的杂质能级和波函数。发现两者的性质有很大的差别。替代原子只有当d原子能级V_d低于价带顶时才能产生杂质能级。它的波函数主要是悬键态,当能级靠近导带边时变成正键态。间隙原子只有当V_d高于价带顶时才能产生杂质能级。它的波函数主要是中心原子d态,当能级靠近导带边时变成弱反键态。最后定性地说明了过渡元素杂质能级的化学趋势和一些实验事实。 关键词：     

中子辐照GaAs快速退火行为的低温光荧光研究

用低温（１０Ｋ）光荧光（ＰＬ）的方法对中子辐照砷化镓中的缺陷及及嬗变掺杂进行了研究，结果表明：低温ＰＬ实验可观察到中子掺杂效应，嬗变掺杂使近导带旋主增加从而使与ＣＡＳ有关的跃迁峰向低低能移动，辐照剂量较低时，嬗变原子Ｇｅ占居Ｇａ位；当辐照剂量较大时，部分嬗变原子Ｇｅ占居Ａｓ全，在高剂量辐照情况下，经８００℃（２０秒）退火，仍有反位缺陷ＧａＡＳ（Ｅｖ＋２００ｍｅＶ）和复合缺陷ＩＧａ－ＶＡｓ存在，在低     

氢离子注入对硅单晶电子辐照缺陷和氢泡形成的影响

以50keV和100keV能量的氢离子注入p型(100)直拉硅单晶薄膜。注入剂量为10¹⁵—2×10¹⁷H⁺/cm²。试样在HU-1300型超高压透射电子显微镜中进行电子辐照和原位加热动态观察。结果表明在20—300℃温度范围内与未注氢硅相比,注氢硅在相同的电子辐照条件下产生的电子辐照缺陷较少,电子辐照缺陷形成所需的潜伏时间较长。在电子显微镜中加热试样时于190℃开始观察到氢泡,190—220℃范围内氢泡逐渐产生并长大 关键词：     

含氢气氛下区熔硅单晶中缺陷的研究

利用化学腐蚀和X射线投影貌相方法研究了含氢气氛下区熔无位错硅单晶中的缺陷,发现异常腐蚀现象、缺陷密度与气氛中氢含量紧密相关,观测了纯氢气氛下无位错硅单晶退火后的缺陷,找到了貌相与蚀象的对应关系,还观察了二次退火效应,最后,综合所观测到的结果,讨论了氢在硅单晶中的集聚、沉淀和位错环列的发射、运动及交互作用。 关键词：     

氢对铁中缺陷行为的影响

本文研究了铁中氢与辐照缺陷的相互作用。氢与这些缺陷结合,形成不同类型的氢与缺陷的复合体,在从低温到高温的时效过程中,可以清楚地观察到间隙型位错环(>300℃)、空位型位错环(>450℃)和空洞(520℃)的形成。研究表明,这三种缺陷分别是氢与间隙原子、氢与单个空位、氢与复数个空位等三种复合体聚集而成。 关键词：     

氢气区熔硅单晶氢致缺陷的研究

本文应用X射线透射截面形貌技术研究了氢气区熔硅单晶中氢致缺陷与热处理温度的关系。根据早期氢致缺陷的X射线形貌图衍衬分析,指出氢沉淀周围晶格受到压缩性应变,并简单阐述了硅氢键断裂与氢致缺陷形成过程。 关键词：     

硅单晶氢致缺陷分布的实验研究

利用X射线形貌术方法研究了含氢硅单晶中氢致缺陷的分布。将原生晶棒从内部切开,观察到在切口暴露表面附近,热处理后产生的氢致缺陷的密度与尺寸与内部未暴露部分相同,而不同于薄片退火的情况,对此结果作了简要的讨论。 关键词：     

电子辐照InP的体内和界面缺陷研究

本文用电子辐照的方法在n型InP中引入缺陷,并以深能级瞬态谱为基础,结合多种实验方法和理论计算,对缺陷的结构作了较为系统的研究和分析。首先,根据空位的引入和迁移模型,从理论上计算出In和P单空位的引入率和消失温度,经与实验结果比较,鉴别出室温电子辐照后InP中主要的缺陷是以络合结构的形式存在的。文中还推导了连续界面态与DLTS信号的关系式。很据这一关系式,经计算机运算,证实辐照前InPDLTS谱中的某一个宽峰是由界面电子的发射和俘获所引起。从实验还发现,经电子辐照后该峰明显变小,反映了界面态密度的降低,结 关键词：