化学沉积法制备Ni-P纳米线与纳米管有序阵列

以多孔氧化铝膜为模板, 在室温下的酸性化学镀镍槽中通过化学沉积法生长出纳米线与纳米管有序阵列. 分别用X射线衍射仪(XRD)与透射电子显微镜(TEM)对纳米线、纳米管阵列进行表征. 并通过对纳米线与纳米管的生长方式进行分析比较, 系统地研究了多孔氧化铝模板的前处理对纳米阵列生长的影响. 结果表明, 生成的纳米线与纳米管均为非晶态的镍磷合金. 室温下镍纳米管的生成主要取决于敏化、活化过程, 而当纳米管的厚度达到一定程度后就不再随时间变化.     

循环伏安法制备Ag纳米线阵列

In this paper, highly ordered anodic aluminum oxide (AAO) template with hexagonal close-packed arrays was successfully fabricated through a two-step anodization process. Ag nanowire arrays with high aspect ratio were prepared using cyclic voltammetry within the confined nanochannels of AAO template. In addition, standing Ag nanowire arrays free-support of templates were also fabricated successfully by cyclic voltammetry method. The micrographs and crystal structures of Ag nanowires were studied by field emission scanning electron microscope (FESEM) and X-ray diffraction (XRD). FESEM observation showed that the Ag nanowire arrays with high aspect ratio lie orderly on the surface of the substrate. The diameter of the Ag nanowire is about 60 nm and the length up to 30 μm or more. While the controlled nanowire arrays exhibit highly ordered structure in large area and the standing Ag nanowire in the array has the length of 1 μm and good orientation. XRD results illustrated that the Ag nanowires in the arrays deposited by cyclic voltammetry method have a face centered cubic structure and are preferentially oriented in the (220) direction.     

Fe-Co-Ni合金纳米线有序阵列的模板合成与磁性

以二次阳极氧化的氧化铝膜为模板，用电化学沉积的方法成功地合成了Fe-Co-Ni三组份有序纳米线阵列.扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜(TEM)观察表明纳米线表面光滑、有序、高长径比；磁性测量表明,其矫顽力较同组份的膜材料有较大的提高.将样品在惰性气体氛围中不同温度下退火，随着退火温度增加，其纵向矫顽力有一个极值，而对应的横向矫顽力没有类似的变化，关于这一现象的机理,本文进行了初步的讨论. 图5参15     

镉的硫族化合物半导体纳米线阵列的模板法

以多孔氧化铝为模板,用交流电分别通过含有相应的ＣｄＣｌ２、ＺｎＣｌ２、单质Ｓ、Ｓｅ等的二甲亚砜（ＤＭＳＯ）溶液,沉积ＣｄＳ、ＣｄＣｅ以及ＣｄｘＺｎ１－ｘＳ半导体纳米线阵列并研究其紫外可见吸收光谱。实验结果表明,当半导体纳米线的直径小于２５ｎｍ时,其吸收边相对于体相的吸收边产生蓝移,而且蓝移的幅度随着半民体纳米线直径的减小而增加,显示了明显的量子限域效应。     

氧化铁纳米线阵列的溶胶-凝胶模板法制备与表征

0引言氧化铁在颜料、磁记录材料和催化剂等方面具有广泛的应用[1,2]。尤其是纳米氧化铁在纳米尺度具有良好的气敏特性[3]。纳米材料可以分为零维、一维、二维纳米材料,一维材料是纳米材料的重要组成部分,是纳米组装的基础。一维纳米材料的制备方法中氧化铝模板法占有极其重要的     

大面积Bi单晶纳米线阵列的制备

在有序的氧化铝模板(AAO)的孔洞中, 采用电化学沉积工艺成功地制备了准金属Bi纳米线有序阵列. 使用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)及高分辨电子显微镜(HRTEM)对样品的结构和形貌进行了表征. XRD结果表明, 所制备的铋样品为六方相, 且沿[110]方向有很好的生长取向; FE-SEM图片清晰地说明铋纳米线阵列是大面积、填充率高和高度有序的; TEM的结果显示纳米线直径均匀、表面光滑且长径比大; HRTEM图片中清晰的晶格条纹和选区电子衍射(SAED)结果表明纳米线是单晶.     

有序CdS纳米线阵列的制备和光学特性

应用直流电沉积法在多孔氧化铝模板中制备了高度有序的CdS纳米线阵列,并由XRD、Raman、SEM、TEM和HRTEM等进行物理化学表征.结果表明,沉积在多孔氧化铝模板中的CdS呈六角结构,c轴沿孔长度方向定向生长.紫外吸收光谱研究表明,随着纳米线尺寸的减小,纳米线阵列的吸收边向短波长方向移动,荧光光谱测量显示,CdS纳米线阵列的荧光强度高于氧化铝模板,而且在可见光区的荧光特性与激发波长无关.     

铅纳米线阵列的制备

使用电化学沉积方法,在有序的氧化铝模板(AAO)孔洞中制备了铅纳米线有序阵列。用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)对样品的结构、形貌、进行表征和观测。XRD的结果表明所制备的样品为纯的立方面心铅,且纳米线生长沿<220>有很好的取向。FE-SEM的图片清晰地说明铅纳米线阵列是大面积、高填充率和高度有序的。TEM的结果显示纳米线直径均匀、表面光滑且长径比大。     

硅基多孔氧化铝模板非水电沉积CdS纳米线的研究

纳米材料,包括尺寸为纳米量级的超细微粒?线?薄膜?量子阱和超晶格等引起了人们广泛的重视 [1,2] ?其中 , 半导体纳米微粒和由其构成的纳米固体结构开辟了材料科学研究的新领域?硫化镉 (CdS) 作为一种重要的Ⅱ - Ⅵ族无机半导体材料 , 具有独特的光电性质 , 在光电化学电池和多相光催化反应中都有广泛应用?近年来 , 已有大量关于合成 CdS 纳米结构的文献报导 [3～12] , 所采用的方法如反胶束法?单分子膜法?自组装法以及电化学沉积法等 , 其中非水电解与模板技术相结合的制备方法引起了人们高度的重视并且被广泛的采用?自从 Baranski 等在上…     

Co、Ni及其合金纳米线阵列的制备及磁性研究

采用交流电化学沉积法,在多孔阳极氧化铝(AAO）模板孔洞中成功组装了铁磁性金属Co、Ni、CoNi合金纳米线阵列并采用扫描电子显微镜(SEM）、X射线衍射(XRD）等对样品进行表征。结果表明,Co、Ni及CoNi合金阵列体系中纳米线均匀有序,形状各向异性较大(长径比达30以上）,有显著的结晶择优取向。对Co、Ni、CoNi合金纳米线阵列体系进行磁性分析,振动样品磁强计(VSM）测试结果显示,纳米线有明显的磁各向异性,适合用作垂直磁记录介质。纳米线阵列退火后沿纳米线方向矫顽力和矩形比减小,样品的垂直磁各向异     

电沉积法制备金属纳米线阵列膜的偏光特性

Metal nanowire array films were prepared by electrodepositing Cu, Ag, Ni, Co and Cu-Ag on porous anodic alumina film. Optical transmittance of both the porous anodic alumina film and metal nanowire array film was measured in the wavelength range of 400---2600 nm under an obliquely incident light. The experimental results show that metal nanowire array films exhibit a prominent polarization function. It was found that optical polarization properties can be improved by choosing suitable kinds of electrodepositing metal, controlling the shape and length of nanowire, and changing the incident angle.     

糖葫芦状二氧化钛纳米线阵列的制备及其光催化性能

 采用溶胶-电泳技术,在多孔阳极氧化铝(PAA)模板的有序孔洞中制备了高度取向的糖葫芦状TiO2纳米线阵列光催化剂,通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射对样品进行了表征. 结果表明, TiO2纳米线为锐钛矿晶型,纳米线直径与PAA模板的孔径一致,且分布均匀. 纳米线取向性极好,每根纳米线都具有周期性凹凸,形似糖葫芦,因此命名为糖葫芦状TiO2纳米线阵列. 以甲基橙的降解反应评价了光催化剂的活性,与相同条件下制备的TiO2/玻璃膜相比, TiO2纳米线阵列在光照1 h时对甲基橙的降解率达到93.6%, 比前者提高了40.2%, 具有很好的光催化活性.     

纳米阵列铂电极的样模法制备与应用

双多孔氧化铝为样模,利用直流沉积法自组装纳米阵列Ｐｔ电极。该电极在Ｆｅ（ＣＮ）＾４－６溶液中的线性扫描伏安图呈现Ｓ型稳态曲线,对甲醇的氧化具有很高的电催化活性。另外,以该电极作为表现增强拉曼散射的活性基底,现场研究甲醇的电化学氧化过程,检测出中间产物单端吸附的ＣＯ。     

单晶Ni纳米线阵列的制备与磁性能

采用恒电流沉积方法, 在多孔阳极氧化铝(AAO)模板中制备出了具有单晶结构的Ni纳米线阵列. 采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)技术对制备的Ni纳米线阵列的形貌及结构进行了表征. 利用振动样品磁强计(VSM)对单晶Ni纳米线阵列的磁性能进行了研究. 结果表明, 单晶镍纳米线阵列的易磁化方向为纳米线轴向, 并且与多晶纳米线相比显示出了更高的矫顽力. 直径为30 nm的纳米线具有较高的矫顽力(8.236×104 A/m)和较高的剩磁比(Mr＝0.94Ms).     

Sb有序单晶纳米线阵列的制备

采用直流电沉积的方法在氧化铝模板（AAM）中成功地制备了Sb单晶纳米线阵列. X射线衍射（XRD）证明所制得的纳米线阵列为(110)取向的六方相Sb.透射电镜（TEM）显示Sb纳米线平滑而均匀,直径40～50 nm,长径比大于1000.选区电子衍射（SAED）结果表明,所制得的纳米丝为Sb单晶丝.场发射扫描电镜（FE-SEM）显示Sb纳米线阵列规则,填充率接近100％.     

多孔氧化铝模板催化制备定向碳纳米管阵列

Well-aligned open-ended multi-walled carbon nanotube (MWCNT) arrays were prepared via chemical vapor deposition (CVD) method in porous anodic aluminum oxide (AAO) templates without depositing any transition metals as catalyst. Effects of the CVD temperature and heat treatment were studied in detail.Well-aligned open-ended MWCNT arrays were obtained at the CVD temperature above 600 ℃; when CVD temperature is reduced to around 550 ℃, CNTs, CNFs and other structures existed at the same time; no CNTs or carbon nanofibres (CNFs) could be found as the CVD temperature is below 500 ℃, and only amorphous carbon in the porous AAO template was found. Experimental results showed that the AAO template is catalytic during the CVD process, and it has the following two effects: to catalyze thermal decomposition of acetylene and to catalyze conversion of carbon decomposed from acetylene into CNTs or CNFs. Heat treatment could improve the graphitization degree, but it might also introduce new defects.