一种新型结构的a—SiN：H／a—Si：H多层雪崩光电二极管

本文提出一种新结构的多层膜异质结雪崩光电二极管（ＡＰＤ）－穿通沟道型，对标志其性能的两个重要参数－倍增因子Ｍ和额外噪声因子Ｆ。做了定性分析，从理论上推导出Ｍ和Ｆｅ的定量表达式，并详细讨论了此种结构中载流子输运的微观机制。通过对实验室制备的穿通沟道型ＡＰＤ的测试及对测试结果的分析，提出一种新模型－隧穿模型，由实验曲线计算Ｍ，当ＶＲ＝－１３Ｖ时，Ｍｅ＝５．８，额外噪声因子Ｆｅ＝１．４８。     

一种制备Au/n-Al0.3Ga0.7N横向肖特基二极管的方法

用MOCVD生长未掺杂n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器,并通过电击穿MSM右边肖特基势垒而制成了横向肖特基二极管.器件在零偏电压处的背景光电流为87.3 pA.从器件的室温I-V特性曲线计算出理想因子n、零偏势垒高度B0和串联电阻RS分别为1.99、0.788 eV和10.2 kΩ.器件在305 nm波长处有陡峭的截止边,300 nm峰值波长处电流响应率为0.034 A/W.     

一种STM—16段开销处理的实现方法

本文提出了一种利用ＳＴＭ－４的开销处理芯片ＰＭ５３１２来实现ＳＴＭ－１６的开销处理的方式，并给出了相应问题的解决方法。特别是对影响系统性能的发送方向四片ＰＭ５３１２的数据相位对齐的问题进行了分析并给出了几种具体解决方案，经过试验取得了满意的结果。     

宽频带自适应通信天线阵的一种窄带处理方法—频率约束法

本文提出了一种用窄带处理宽频带自适应通信天线阵的方法－频率约束法，并给出了该方法的自适应天线阵结构，用这个方法可在很宽的频带内（如短波波段）对各个窄带信号进行良好的自适应，对来自各向的强干扰能提供满意的抑制，且结构简单，计处量小，并给出了一些计算机仿真实验结果。